nand闪存针脚定义研究盒子闪存芯片，分析其封装和针脚定义，闪存变U盘图文教程

发布时间 : 2024-10-13

作者 : 小编

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研究盒子闪存芯片，分析其封装和针脚定义，闪存变U盘图文教程

序言

前几天网友发来几台闲置盒子，帮其刷为全网通盒子，实现免费看电视，及观看网络影视目的。其中有一台盒子开不了机（俗称砖机），留在这里让我研究。目前的思路是用读卡器直接写入固件备份，修复盒子。

盒子主板分析

网络机顶盒拆机后，里面就一张主板，上面主要部件有cpu处理器，内存，闪存以及WiFi无线芯片。处理器性能高低直接决定了盒子解码能力，是机顶盒档次主要决定因素。内存一般大小为1G，多为两片或四片构成，也有极少数是3片构成。

网络机顶盒的所有程序都存在闪存芯片中，闪存有nand或emmc两种封装形式，常见的是emmc封装的，这种封装的芯片看不到针脚，多为贴片组装在主板上。emmc体积小，读写速度较快，使用较多。

闪存分析

上面的盒子已经无法启动，主板上闪存是emmc封装形式，从芯片上面的可以看到生产商是SK hynix ，芯片型号是H26M41204HPR。查询相关资料得知，这个芯片是FBGA封装形式，具体看是BGA153封装，容量大小8G。

机顶盒或手机上面的emmc闪存颗粒实际是集成了控制器的闪存芯片，只要找到数据针脚，就可以通过普通的TF卡读卡器来进行读写。这样废旧手机上面的这个emmc芯片就可以连接到读卡器上变成大容量U盘。

BGA153封装emmc针脚定义

了解了emmc闪存芯片的封装格式，还需要查询详细的针脚定义，找到数据读写关键针脚。下图是通过查询，得到的BGA153封装的emmc闪存芯片颗粒，具体针脚。除BGA153外，还有BGA162，BGA169等封装形式，后面的数字表示具体针脚数目。

当手机损坏后恢复数据就是用这种方法，用风枪把emmc吹下来，然后飞线的方式连接sd卡套或tf卡读卡器，插到电脑后能被识别为内存卡从而恢复数据，当然也可以直接通过EMMC编程器直接读写数据。

读写EMMC具体方法

用tf读卡器读写emmc需要下面的针脚CLK CMD GND VCC DAT2 DAT1 DAT0 DAT3共8个，对应针脚从芯片中找到，然后焊接到tf读卡器的对应针脚上即可，下图是SD大卡的针脚定义，也可以emmc转接SD卡读卡器。

这样就可以把废旧手机或机顶盒上面的闪存芯片变成一个普通的U盘了，实现了废物利用，提升了价值。以后再也不用换脸盆、换不锈钢盆子了。这样，无论是废旧手机上的emmc颗粒，还是网络盒子上面的emmc闪存，都可以焊接到读卡器上变成一个普通的U盘，华丽变身巧妙变成大容量U盘。

综上，以上只是基于理论分析，大部分人是没有专业工具来拆卸emmc颗粒的。至少，我们知道相关知识，废旧手机里面的数据通过这种途径是可以恢复的，恢复出厂是不管用的。技术有两面性，可以以此修复手机或机顶盒，有可能泄露数据。建议废旧手机不要随便丢或者换脸盆了。

闪存结构全解：固态硬盘小白晋升大师之路

正所谓"外行看热闹，内行看门道"，很多朋友搜寻一款固态硬盘的信息主要看性能跑分，而知识更加丰富的玩家则会重点关注这款固态硬盘的硬件架构，闪存规格以及主控、固件的口碑。毕竟除了跑分，还有很多因素影响着固态硬盘到底是否好用。

今天存储极客就将带你深入到固态硬盘以及闪存的基础知识当中，带你看懂行业"黑话"，不再一脸懵逼。

Channel：通道

提到一个固态硬盘的通道数量，多数时候说的是闪存通道，但M.2 NVMe固态硬盘会有PCIE通道的参数。我们这里谈的是前者。

闪存通道数量直接反映了固态硬盘的并发读写能力。可以简单理解为马路上有多少条车道，显然通道数量越多，理论性能越好。当然，还有很多影响因素，通道数量只是一个底子。

CE：片选信号

紧跟闪存通道之后的往往就是CE数量。经常可以在一些固态硬盘评测中看到这样的介绍，某某主控支持X通道，每通道支持Y CE。CE是Chip Enable片选的缩写，下图是一个东芝闪存颗粒的逻辑结构，2 Die封装，拥有两个CE信号。

除了通道可以并行提升吞吐量之外，多CE交错也可以提高固态硬盘性能。主控的闪存通道以及每通道支持的CE数量还会影响它最终能够提供多大的固态硬盘容量。

Package：封装

我们能够看到的一颗闪存就是一个Package封装，它有TSOP或者BGA两种形态，前者的引脚在封装两侧引出，后者则在封装的底部拥有一个球栅阵列。下图是东芝TR200固态硬盘中使用的TSOP封装闪存颗粒。TSOP和BGA本身没有好坏之分，通常在空间足够的情况下使用TSOP，而M.2固态硬盘则大都选择封装密度更高的BGA形态。BGA封装还有一个优势：每个颗粒能支持2个甚至4个闪存通道，而TSOP只能支持1个。

我们在上边看到的黑色颗粒并不是闪存的本来面目，那只是一到多个芯片通过引线键合或者TSV硅通孔工艺完成连接之后，再用树脂材料封装并引出针脚。而芯片则是从闪存晶圆中摘下的一小片合格晶粒。

俗称的原片就是由原厂检测并封装、打上原厂商标的高品质颗粒，原厂固态硬盘，比如上面提到的东芝TR200当中使用的就是这种类型的闪存。而白片则是未经原厂认证的不明体制闪存芯片封装成的闪存颗粒；黑片是在检测中明确被淘汰的下脚料，被利益熏心的人低价回收后赌人品。

Die：这里并不是死的意思

Die也被称作LUN（逻辑单元），也是闪存内可执行命令并回报自身状态的最小独立单元。下图是由4个Plane组成两个Die，两个die组成的芯片。

单Die容量是衡量闪存技术先进性的一个指标。单Die容量越大意味着闪存存储密度越高，做出来的固态硬盘容量也就越大。目前东芝第三代3D TLC闪存已经实现512Gb的单Die容量，如果是QLC类型，则能达到768Gb的水平。

Plane：面

一个闪存Die可以拥有1到多个Plane面。下图是东芝BiCS3闪存的一个512Gb Die，包含了两个256Gb容量的Plane面，总容量512Gb。

Block：块

接下来就到了微观领域，通常是无法直接看到外观的层级。NAND闪存自问世那一刻起就有一个恒定不变的使用要求：写入（Program）数据前必须先进行擦除（Erase），而闪存的最小擦除单位就是Block块。

Page：页

每个Block都是由数百乃是数千个Page页组成的，而Page的意义也非比寻常，它是闪存当中能够读取合写入的最小单位。当前闪存的一个Page通常是16KB，如果你需要读取512字节的数据，那在闪存层面上就必须把包含这512字节数据的整个Page页内容全部读出（实际发生的读取16KB）。

Cell：单元

每个16KB的Page页又是由大量的Cell单元构成。Cell是闪存的最小工作单位，执行数据存储的任务。闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。目前3D TLC是闪存的主力类型，优质的原厂闪存配合具备LDPC纠错的主控，可以实现3000次左右的擦写寿命，与过去2D平面MLC闪存接近。