CS创世 SD NAND与SPI NAND的对比分析

　　之前我们写过文章说明了CS创世 SD NAND与eMMC，TF卡，Raw nand等产品的对比。今天给大家聊聊CS创世 SD NAND 与SPI NAND的对比。

　　这两个产品外观看起来类似孪生兄弟：感兴趣的朋友们可以找雷龙发展申请免费样品测试哦~~~

CS创世 SD NAND 与SPI NAND的对比

　　都是6*8mm大小，SD NAND是LGA-8封装，SPI NAND是WSON-8封装。它们有哪些异同点呢？

　　一， 相同点：

　　1.1 内部材质

　　主流基本都使用的是SLC NAND Flash晶圆，擦写寿命5~10W次

　　1.2 封装大小

　　主流尺寸都是6*8mm，8pin脚

　　二， 不同点：

　　2.1接口不同

　　SD NAND正常接CPU的SDIO使用，有些平台也支持SD NAND接SPI接口（但读写速度可能会变慢）； SPI NAND接SPI接口, 接SDIO则无法正常使用。

　　2.2驱动程序

　　基本上主流CPU平台都自带SDIO的驱动，因此SD NAND不需要用户额外写驱动;另外SD NAND内置了针对NAND Flash的EDC/ECC，坏块管理，平均读写，垃圾回收等算法。针对NAND Flash的管理完全做好了；而SPI NAND主要是做协议的转换，从并口转为SPI接口，有部分厂商产品内置了EDC/ECC算法，但其他管理机制未包含在内。从而导致了用户在使用SPI NAND时还是要写驱动程序。

　　2.3读写速度

　　由于接口和协议的差异，两者的速度差异比较大。SD NAND走的是4-bit传输带宽，读写速度相比SPI NAND要快很多，最高写入速度可以达到Class 10级别；而SPI NAND 主流还是1-bit传输模式，读写速度要慢很多。

　　2.4稳定度

　　SD NAND由于内置了全套管理算法，在稳定度方面会好很多。特别是针对掉电保护这块。例如CS创世 SD NAND二代通过了客户10K次的随机掉电测试。而SPI NAND跟Raw NAND 都“继承”了NAND Flash先擦后写机制带来的弊端，在写入数据的时候突然掉电很容易丢失数据。

　　整体来看SD NAND是一个集成了完整NAND Flash算法的Total Solution，而SPI NAND主要是完成协议的转换，内置的算法并不完整。

　　亲爱的卡友们，如果看完文章之后还是有疑惑或不懂的地方，请联系我们，自己去理解或猜答案是件很累的事，请把最麻烦的事情交给我们来处理，术业有专攻，闻道有先后，雷龙发展专注存储行业13年，专业提供小容量闪存解决方案。

SD NAND应用领域

可替代SPI NORNAND闪存方案的xSPI MRAM

Everspin MRAM解决方案供应商推出了用于工业物联网和嵌入式系统的EMxxLX xSPI MRAM非易失性存储器解决方案。该解决方案可以替代SPI NOR/NAND闪存的方案，其读写速度可以高达400MB/s，存储容量在8Mbit和64Mbit之间。 Everspin此款新xSPI产品系列基于扩展的串行外设接口，这是用于非易失性存储设备的最新 JEDEC 标准。提供高性能、多 I/O、SPI 兼容性，并具有高速、低引脚数 SPI 兼容总线接口，时钟频率高达200 MHz。这些持久性内存 MRAM 设备在单个 1.8V 电源上运行，并通过八个 I/O 信号提供高达 400MBps 的读取和写入速度。更多产品相关资料咨询Everspin代理英尚微电子。 xSPI MRAM的主要亮点是400MB/s的读写速度，因为这个速度是NOR或NAND等闪存设备的数倍，在写入方面甚至更高。该产品的其他好处，比如：在编程之前无需擦除、高效写入（比NAND 低10倍，比NOR低200倍），以及可以兼容旧软件的NOR闪存模式。

xSPI MRAM和SPI NOR NAND闪存对比

xSPI MRAM开启了通用存储器应用解决方案的新纪元，取代了 SRAM、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR器件等产品，面向工业自动化、过程控制、仿真、汽车和运输、游戏以及更广泛的工业物联网市场。

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