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iphone nand过不去 iPhone 16可以切换到QLC NAND闪存以获得更高的存储型号 但有缺点
发布时间 : 2024-10-08
作者 : 小编
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iPhone 16可以切换到QLC NAND闪存以获得更高的存储型号 但有缺点

iPhone 16 系列可能还有另一个鼓励升级的卖点,特别是针对需要更多内部存储空间的潜在客户。据报道,苹果正在为其未来的设备采购QLC NAND闪存,使其能够灵活地在今年晚些时候推出更大的存储型号。唯一的问题是使用QLC NAND技术有几个缺点,尽管制造商仍然选择它,因为它允许他们节省成本,同时在相同的表面积内提供大量存储。

DigiTimes的一份报告被发现苹果内幕指出,提供 1TB 或更多存储空间的 iPhone 16 机型可能会转向 QLC NAND,从 TLC 技术过渡。对于那些不熟悉 QLC 和 TLC 的人,让我们分解一下差异。QLC 或四级单元允许每个内存单元使用四位数据,而不是三位。除了降低成本外,QLC NAND闪存还可以使用相同数量的单元存储更多数据,但这就是使用这项技术的所有好处。

假设 QLC NAND 在今年 9 月的 iPhone 16 中首次亮相,它将不如 TLC 可靠,闪存芯片上的写入周期更少,更不用说速度更慢了。这可能意味着内部存储空间较少的基本 iPhone 16 机型将比 1TB 机型更快,尽管实际测试会揭示差异,因此最好不要在现阶段妄下结论,至少在今年晚些时候推出新机型之前。

苹果此前曾被报道iPhone 14 系列采用 QLC NAND 闪存,允许公司引入更高的存储变体。然而,这些型号的存储容量上限为 1TB,iPhone 15 的故事没有变化,暗示 QLC NAND 闪存尚未在任何 iPhone 上首次亮相。也许 iPhone 16 系列可能是第一个采用这项技术的系列,因为如果苹果想推出一些存储空间超过 1TB 的版本,这是苹果唯一可能的途径。

苹果正在考虑在iPhone中使用QLC NAND闪存来增加存储容量

根据7月22日的市场研究报告,苹果公司正在考虑使用QLC NAND闪存来提高iPhone产品的存储容量,最早可能在2026年应用于其中。QLC NAND是一种四层单元的闪存技术,每个单元可以存储4bit数据,与TLC相比,其储存密度提高了33%。虽然QLC NAND适用于大容量应用和消费电子产品,但它的耐久度较低,并且通常需要100到1000次写入循环才能达到P/E Cycle(Program Erase Cycle)。

苹果公司已经在探索如何将NAND闪存用于语言模型存储而不是内存,这样就可以在本地运行更多的AI任务。因此,过渡到QLC NAND可能会改善Apple Intelligence的表现。

总结起来,在未来几年中,我们可能会看到更多iPhone和其他苹果产品使用高密度、低成本的QLC NAND闪存来提升其存储容量和性能。

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