Intel准备将自家NAND全面升级到144层，第二代傲腾也在路上了

Intel的非易失性存储解决方案部门最近公布了他们的新动向，也就是目前和未来一段时间的发展计划。目前其他各家NAND供应商都已经开始向1xx层数堆叠过渡，而作为主要NAND制造商之一的Intel自然是不会在这方面有落后，他们计划在明年全面转向144层堆叠。

首先使用144层堆叠NAND的产品会是Intel自家的QLC SSD，他们打算在今年晚些时候推出这些产品。另外，除了研究更高层数的堆叠技术外，Intel还在积极开发PLC，也就是单个单元存储5 bit数据的新NAND，不过他们并没有公布具体会在什么时候推出PLC SSD。在将QLC SSD升级到144层NAND之后，下一步，在2021年，Intel会把全系列的SSD都升级到采用144层堆叠NAND。

初代双层3D XPoint结构

另外，Intel还公布了与傲腾（Optane），也就是3D XPoint闪存相关的新动向，新一代傲腾SSD的代号为Alder Stream，它将会使用四层的第二代3D XPoint闪存，并且换上全新的控制器和PCIe 4.0。新一代傲腾SSD的最大容量可能将达到3TB，当然，这是企业级产品的容量。Intel非易失性存储解决方案部分的负责人Rob Crooke表示，他们正在位于新墨西哥州的工厂进行3D XPoint技术的研发，并拥有多家能够生产3D XPoint的工厂。不过他们也没有放弃与美光之间的供应关系。

既然有第二代傲腾SSD的消息，那第二代傲腾内存也不会远，新的傲腾内存代号为Barlow Pass，将会在今年晚些时候正式发售，预计是六月份。新一代傲腾内存有望在容量上实现突破。

获“无限期豁免”后，三星西安工厂将升级236层NAND技术！

10月22日消息，据外媒体报道，存储芯片大厂三星在获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，使得三星在中国的工厂将无需特别许可申请，就可进口美国芯片设备来进行升级或扩产的动作。

报道称，在取得豁免后，三星高层已决定将其为在中国西安NAND Flash闪存工厂升级到236层堆叠的技术，并准备开始大规模扩产动作。

△三星 1Tbit Gen 8 V-NAND 芯片

报道引用消息人士的说法指出，三星已开始预定和购买最新的半导体设备以用于接下来的制程转换动作。预计，新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产三星第8代V-NAND的技术，堆叠层数将达到236层，相比其第7代V-NAND的176层数增长了34%。这也被业界视为在当前全球NAND Flash闪存需求疲软，导致产能下降的应对计划。

根据公开数据显示，三星中国半导体有限公司在2012年正是落脚中国西安高新区。其中，三星半导体西安工厂，是该公司唯一的海外內存半导体生产基地，于2014年开始运营，并在2020年增建第二座工厂后，主要以生产128层堆叠NAND Flash闪存为主，月产能达20万片12寸晶圆，占三星NAND Flash产总量的40%以上。

资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。三星中国西安工厂的第一期工程投资108.7亿美元，而在2017年开始，三星开始展开第二期工程，两期工程先后共投资了150亿美元。目前，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。

编辑：芯智讯-林子

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