传三星大砍平泽三厂达产规模，四季度NAND价格将上调10%

据中国台湾电子时报报道称，三星电子将下调韩国平泽三厂(P3)的 投资规模，并大砍DRAM、NAND Flash达产规模，其中NAND Flash产能增设规模或降至原定三分之一水准，加上随着三星持续转换先进制程，设备更换期间带来的自然减产效果预计也将扩大。

自去年以来，受俄乌冲突、全球通货膨胀、经济趋势下滑等诸多因素影响，智能手机、PC等电子产品的需求持续下滑，使得对于存储芯片的需求也出现了持续下跌，存储芯片价格持续大跌，存储芯片厂商的业绩纷纷变脸。对此，从去年下半年以来，就有存储芯片厂商开始陆续减产，希望能够通过减少供应来改善市场的供需结构，推动存储芯片价格的止跌回升。

作为全球最大的存储芯片供应商，在今年一季度惨淡的业绩公布之后，三星也一改之前坚决不减产的态度，宣布对存储芯片进行减产。三星电子在一份声明中称，“在评估公司已经获得了足够的产量以应对未来存储芯片需求变化的情况下，公司正在调整，以确保额外供应的产品为核心，将存储芯片产量降低到有意义的水平，并优化已经在进行的生产线运营。但是三星并未公布具体的减产规模。

随后在二季度的财报会议上表示，为了加速存储芯片市场的回暖，三星宣布延长减产计划，并调整包括NAND Flash在内的特定产品产出。

与此同时，另一家存储芯片大厂SK海力士也在二季度财报会议上表示，在 NAND Flash 的库存去化速度相比DRAM更慢，因此决定扩大对于NAND Flash的减产幅度。美光也在二季度财报会议上表示，美光正专注于库存管理和控制供应，近期DRAM和NAND晶圆将进一步减少近30%，预计减产将持续到2024年。

针对存储芯片市场目前表现，包括市场调查研究机构及外资的研究报告都表示，当前供应商的减产状况将持续，使得价格有逐渐恢复的趋势。不过，整体市场供需与价格要回复到健康的水准，预计整体还需要一段时间的努力。

另据韩国媒体BusinessKorea报道，三星电子为了提振NAND Flash芯片市场行情，打算在第四季将NAND Flash芯片价格调涨10%以上，且最快自10月开始涨价。业界人士认为，第四季DRAM及NAND合约价可望看涨10%～15%。

据市场调查及研究机构TrendForce最新的预测显示，预计2024年存储芯片原厂对于 DRAM 与 NAND Flash 的减产策略仍将延续。尤其，以亏损严重的 NAND Flash 更为明确。预估在 2024 年上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，加上通用型服务器的资本支出仍受到 AI 服务器排挤而显得相对需求疲弱下，鉴于 2023 年基期已低，加上部分存储产品价格已来到相对低点，预估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成长率分别有 13% 及 16%。

编辑：芯智讯-浪客剑

三星计划明年生产第9代V-NAND闪存：沿用双层堆栈架构，超300层

IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。

报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。

IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈 。

而三星即将生产的超 300 层第 9 代 V-NAND 将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的成本。

作为竞争对手，SK 海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的 3D NAND 层 ，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。

另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若 3D NAND 层数超过 400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。

在去年 10 月举行的“2022 三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030 年将层数提升至 1000 层 。

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