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华为nand来自 华为P40 Pro遭外媒拆解:部分关键零部件仍来自美国公司
发布时间 : 2025-03-17
作者 : 小编
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华为P40 Pro遭外媒拆解:部分关键零部件仍来自美国公司

乾明 发自 凹非寺 量子位 报道 | 公众号 QbitAI

完全脱钩,完全国产替代,难难难。

即便是华为,在美国接连封锁之下,最新发布的旗舰手机P40系列,仍在使用美国公司生产的零部件。

这一结论来自外媒FT,他们拆解了华为最近在巴黎发布5G旗舰P40 Pro发现,其射频前端模块,来自高通、Skyworks和Qorvo三家美国芯片公司。

FT援引Gavekal Dragonomics分析师评论称,这表明摆脱对美国技术的依赖,确实很难。

同时,FT对比了P40 Pro和遭受美国封锁前华为发布的P30,发现美国芯片制造商美光,可能不再出现在P40 Pro 的供应商中。

美国对华为打压,冲击力到底如何,从这份拆解中也能窥见一斑。

华为P40零部件大部分来自中国、韩国

FT介绍,拆解华为P40 Pro的工作,由位于深圳的公司XYZone完成,一并拆解的还有华为P30——华为遭受美国打压之前发布的最后一款旗舰。

从拆解中可以看出,FT拿到的华为P40 Pro,大部分零部件来自中国、韩国和日本:

就这些关键零件来看,与华为P30相比并没有太多变化。

不过,去年为P30某些批次提供了NAND闪存的美光,这次拆解中并未得见。

射频前端模块,依旧来自高通、Skyworks和Qorvo三家美国芯片公司,来保持旗舰机器应有的水准。

FT援引消息人士说,高通得到了美国政府的批准,可以向华为销售产品。其他两家未知。

不过,美国并没有就此罢手,对华为的封锁力度,可能还要进一步加强。

华为太难,回应口风变了

就在华为发布P40系列产品的那一天,路透社爆料,美国准备扩大封锁范围,打击华为的全球芯片供应,以遏制芯片制造商(如台积电)向华为提供最新的芯片。

这还得了?

所以昨天华为2019年财报发布会中,华为轮值CEO徐直军,也就此事给出强硬回应:

中国政府不会让华为任人宰割,或者对华为置之不理。相信中国政府也会采取一些反制的措施。

这与华为此前对外口径大有不同。任正非此前反复表态不愿华为成为国与国之间的筹码,他希望当做企业问题解决,相信华为通过法律途径能给特朗普有力回击。

比如接受雅虎财经采访时,任正非就说:特朗普希望把华为当做讨价还价的筹码,但中国不会买账。

但现在,从徐直军的回应中,可以看出华为态度的转变——形势可能不如外界看到的那样乐观。

同时,徐直军也给出了华为的后路:华为还能从韩国的三星、中国台湾MTK、中国展讯购买芯片来生产手机。

他说,就算华为因为长期不能生产芯片做出了牺牲,相信在中国会有很多芯片企业成长起来,和韩国、日本、欧洲、中国台湾芯片制造商目前提供的芯片来研发生产产品。

但这毕竟是下策。

华为海外收入损失100亿美元,美国企业同样承压

徐直军说,(进一步封锁)对全球化的产业生态可能是毁灭性的连锁破坏,毁掉的可能不止华为一家企业。

就华为的财务状况来看,美国的封锁的确产生了效果:

2019年华为消费者业务海外收入受到的影响,至少在100亿美元左右。

华为供应链上的企业,都受到了波及。去年5月传出制裁消息后,包括高通、美光等在内的美国芯片公司,股价纷纷大跌。

一时间,高通、谷歌在内的公司,纷纷展开行动游说,或是请求撤销禁令,或是寻求临时许可证。

华为P40 Pro中还有美国公司的芯片,证明这些行动取得了效果。

但在美国打压进一步加紧、新冠疫情冲击的情况下,华为的2020艰难重重。

根据The Information等多家媒体报道,华为内部已经给出预计,2020年自家手机的出货量会减少20%。

昨天的财报发布会上,徐直军再次释放了不容乐观的信号。

他说,2019年是华为最具挑战的一年,但毕竟5月16号之前还能有接近半年的快速增长,也有大量的储备来应对客户的需求。

2020年,华为的目标是:

“力争活下来,明年还能发布财报”。

— 完 —

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华为Mate40系列“自研闪存”源自长江存储?

本月初的时候,芯智讯报道了华为Mate40系列疑似采用了华为自研的闪存的消息,由此也引发了一些争论。而现在,最新的消息显示,华为Mate40系列有望采用长江存储的64层3D NAND闪存。

回顾此前的报道,根据网友对于华为Mate40 Pro的闪存性能的实际测试显示,华为Mate40 Pro的持续读取、写入速度分别达到了1966MB/s、1280MB/s,远高于其他旗舰手机。作为对比,采用UFS3.1闪存的小米10至尊版的读写速度分别为1772MB/s、789MB/s;三星Note20 Ultra分别为1750MB/s、736MB/s。从数据对比上来看,华为Mate40 Pro闪存写入提升十分明显,相比竞品的闪存性能,部分增幅甚至超过了70%。

对于Mate 40 Pro的闪存读写速度大幅优于其他旗舰机所采用的最新的UFS 3.1标准的闪存的测试结果,有网友爆料称,华为Mate 40 Pro、Mate 40 Pro+以及Mate40 RS保时捷设计均采用华为自研的一种新型闪存(或为sfs 1.0)。

而根据艾奥科技对于华为Mate40 RS保时捷设计的拆解也显示,其内部采用了印有海思Logo的闪存。也就是说,这款闪存芯片可能是基于华为自研的技术。

但是,我们都知道华为自己并不是存储芯片厂商,并且也不具备研发和生产闪存芯片的能力。而目前像三星、SK海力士、铠侠等主流的闪存厂商基本都是自研、自产、自销,也不存在为第三方代工存储芯片的业务。

不过,目前在存储领域,存在着另一种生意模式,就是一些不具备闪存颗粒生产能力的厂商,向三星、SK海力士、铠侠等主流的闪存厂采购闪存颗粒,然后加上自研的或者第三方的闪存控制器及固件,然后自己(或者委外)进行封装测试,印上自己的LOGO。比如江波龙、佰维存储、时创意等厂商。

所以,对于华为来说,其Mate40系列上出现的印有华为海思自己LOGO的闪存芯片,很可能就是向某些闪存大厂采购了闪存颗粒,然后加上了自研的闪存控制器(华为一直都有自己的自研闪存控制芯片),再通过第三方的封测厂来进行封装。这也能解释,为何Mate40 Pro的闪存性能远超其他UFS 3.1标准的闪存。

那么问题来了,华为是采用的哪家存储芯片厂商的闪存颗粒?

在11月18日的北京微电子国际探讨会上,长江存储CEO杨士宁公开表示,与国际存储大厂相比,该公司用短短3年时间实现从32层到64层再到128层的跨越,3年完成他们6年走过的路。此外,杨士宁还证实了一件事,那就是他们的64层闪存已经成功打入了华为Mate40系列的供应链,意味着未来有望使用在Mate40手机当中。他还借用一句网络用语,表示“出道即巅峰”。

资料显示,2019年9月,长江存储正式宣布,其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。该闪存全球首款基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,即每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的3D闪存。

得益于长江存储自研的Xtacking技术,使得长江存储的64层3D NAND闪存则在读写速度和存储密度上得到了大幅的提升。

在I/O速度方面,目前NAND闪存主要沿用两种I/O接口标准,分别是Intel/索尼/SK海力士/群联/西数/美光主推的ONFi,去年12月发布的最新ONFi 4.1规范中,I/O接口速度最大1200MT/s(1.2Gbps)。第二种标准是三星/东芝主推的Toggle DDR,I/O速度最高1.4Gbps。不过,大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的I/O速度。而长江存储的Xtacking架构成功将I/O接口的速度提升到了3Gbps,实现与DRAM DDR4的I/O速度相当。

在存储密度方面,传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度(长江的64层密度仅比竞品96层低10~20%)。

今年4月,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。与此同时,长江存储的自研的Xtacking技术也进展到了第二代。

另外,在产能方面,根据TrendForce的数据显示,长江存储的目前的投片量已经达到了5万片/月,预计到明年年底将可提高到10万片/月。

而长江存储的64层3D NAND闪存自去年量产之后,目前已经获得了众多SSD品牌厂商的采用,不久前,长江存储还推出了自己的SSD品牌“致钛”,相关的产品也已经上市开售。不过,此次长江存储的64层3D NAND闪存打入华为Mate40系列供应链确实有点令人意外。

受去年5月美国禁令的影响,笔者认为,在去年长江存储64层3D NAND闪存成功量产之后,华为方面应该就已经开始了与长江存储的合作。虽然在今年8月,美国方面升级了对华为的禁令,禁止第三方基于美国技术的芯片或零组件厂商在没有获得许可的情况下向华为供货。但是,长江存储向华为供应的这批64层3D NAND很可能是在9月15日的最终期限之前完成交付的,所以没有违反禁令。

当然,长江存储肯定不是Mate40系列闪存的独家供应商,华为此前也储备了很多其他原厂的闪存芯片。据芯智讯了解,长江存储之前只是小批量向华为Mate40系列供应了一些闪存,至于是否是以闪存晶圆的形式供应的就不清楚了。另外,华为是否也向三星、SK海力士等购买了闪存晶圆也不得而知。

当然,从另一方面来看,存储芯片相比CPU等逻辑芯片来说,在设计的复杂度上可能要低一些,对于美系EDA软件的依赖度也较低,而且长江存储的闪存核心技术也主要是基于自研,同时,存储芯片对于制程工艺的要求也要比手机CPU更低。在从设计到生产的整个过程当中,对于美系软件、技术及设备的依赖度较低。

编辑:芯智讯-浪客剑

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