铠侠计划2030年初量产1000层NAND

日本NAND Flash大厂铠侠表示，目标在2030-2031年量产1000层以上的3D NAND。 另外，铠侠也正在发展储存级存储器技术，希望建立NAND之后的下一个成长支柱。

本文源自金融界AI电报

铠侠瞄准2030年：1000层3D NAND量产，引领存储技术革命！

【铠侠致力于实现2030年初量产1000层NAND的目标，并探索储存级存储器技术以开拓新的增长点】4月16日，日本NAND Flash领域的领军企业铠侠宣布，已设定在2030-2031年实现量产1000层以上3D NAND的目标。该公司还在积极发展储存级存储器技术，以期在NAND市场之后的下一个增长点建立竞争优势。铠侠作为全球领先的存储解决方案提供商，始终致力于技术创新和产品升级。通过不断提升其3D NAND产品的层数，铠侠旨在满足日益增长的数据存储需求，同时提高产品性能和可靠性。在未来几年中，铠侠将继续投资研发资源，加强与合作伙伴的协作，以实现这一宏伟目标。与此同时，铠侠认识到在竞争激烈的市场中，单一产品线难以保持长期竞争优势。因此，该公司正在积极探索储存级存储器技术，以寻求新的增长机会。储存级存储器技术具有更高的存储密度、更快的读写速度和更低的功耗，将为数据中心、人工智能和物联网等高增长领域提供关键支持。铠侠的这一战略布局显示了公司对未来发展的信心和决心。通过不断创新和优化产品线，铠侠有望在全球存储市场中保持领先地位，并为客户提供更高效、更可靠的数据存储解决方案。

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