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现在nand多少层美光详解全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，最高 TLC 密度

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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美光详解全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，最高 TLC 密度

IT之家 7 月 27 日消息，昨晚，美光公司宣布全球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡工厂量产，初期将以封装颗粒形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

现在，美光发文介绍了 232 层 NAND 的相关技术。

官方表示，该技术节点达到了现今业界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s， 比美光 176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品相比，美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽提高 100%，读取频宽亦增加超过 75%。

此外，美光 232 层 NAND 引进全球首款六平面（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC 闪存中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。

232 层 NAND 的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性，也实现了有史以来最高的 TLC 密度（14.6 Gb / mm2） ，其单位储存密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封装使其成为目前最小的高密度 NAND，在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主板空间。

美光的 232 层 NAND 也是首款在生产中支援 NV-LPDDR4 的产品，此低电压介面与过去的 I / O 介面相比可节省每位元传输逾 30%。

美光表示，232 层 NAND 突破性功能将助客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的移动装置和整个智慧边缘领域提供更多创新解决方案。

SK海力士率先发布128层4D NAND闪存，第五代内存也已到来

在CES 2020大会上，SK海力士展示了他们最新的存储技术。在这之中，最吸引人的是就是他们基于“4D NAND”技术的消费级固态硬盘产品，以及最新一代的DDR5 RDIMM内存。

　　4D NAND闪存最初在2018年8月被作为概念技术提出。但值得注意的是，所谓4D闪存，只是单芯片采用了四层架构的设计，再结合了电荷捕获闪存设计和PUC(Peri. Under Cell)技术，使得它在制造闪存时形成外围区域叠加在CTF堆栈上，从而缩小芯片面积。与现在较为普及的3D NAND闪存并没有什么革命性的技术突破。

　　在这之中，SK海力士就推出了两款M.2 PCI NVMe固态硬盘——Gold P31和Platinum P31，两款产品的主控均是SK海力士自主的产品，并且都采用了128层4D NAND闪存模块。在容量上，Platinum P31只有2TB的容量一种版本，而 Gold P31拥有500GB和1TB两个版本，两款硬盘的最高顺序读写速度均为3500MB/s和3200MB/s。

　　除此之外，SK海力士还展示了最新一代的DDR5 RDIMM，据了解，这款DDR5内存的频率为4800MHz，拥有最高单条64GB的容量。

　　要知道，目前一些高端DDR4内存在频率上才能够超频到4800MHz，而容量最高仅有32GB，并且还需要其它硬件的兼容性。而现在来看DDR5将会在频率和容量上直接翻倍，之后我们有望在主流DDR5产品中体验现在顶级内存的性能。

　　本文编辑：谭兴强

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