三星西安半导体工厂工艺升级 正采购236层NAND芯片生产设备
【太平洋科技资讯】 10月16日消息，韩国的三星电子和SK海力士等公司获得了美国政府的无限期豁免，这意味着他们在中国的工厂可以无需特别许可就可以进口美国的芯片设备。这对于三星来说无疑是一个重大利好，他们在获得豁免后已经开始采取相应的行动。
据外媒报道，三星电子的高层已经决定将其位于西安的NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并已经开始进行大规模的扩张。
由于全球IT市场需求低迷，半导体市场疲软严重影响了三星的NAND业务，导致库存水位一直增加，进而导致亏损不断扩大。尽管通过减产政策略降低产量后有所改善，但三星仍然需要尽快实现工艺升级。
消息人士透露，三星已经开始采购最新的半导体设备，预计这些新设备将在2023年底交付，并在2024年陆续引进到西安工厂，用于生产第8代NAND的设备。这一举措被业界视为是三星在全球NAND需求疲软，产能下降的情况下，采取的战略步骤。
通过升级最新的第8代NAND产品，三星不仅可以确保价格竞争力，而且考虑到第8代NAND相比第6代晶圆投入减少约30%，更能平衡市场供应和需求。
据了解，三星(中国)半导体有限公司于2012年在西安高新区设立，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。该工厂在2020年增设了第二期工厂项目，目前已经发展成为全球最大的NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆，占据了三星NAND总产量的40%以上。
【知多D】
三星2022年彻底放弃LCD业务，据 TheElec 报道，显示22年 6 月三星将其在美国与 LCD 相关的专利转让给了 TCL 华星。消息人士称，三星显示上个月也将其在韩国的专利转让给了 TCL 华星，其在美国共有 577 项专利被授予。
上游减产推高NAND闪存合约价，下游需求驱动存储行业景气上行及产业链机遇前瞻
据知名市场研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的报告，由于铠侠-西部数据以外的主要上游闪存制造商持续执行保守的产能投放策略，全球NAND闪存市场在第二季度预计将面临13%至18%的合约价格上涨态势，这一变动也将同步拉动消费级固态硬盘(SSD)的合约价格上浮10%至15%。尽管第二季度的NAND闪存采购活动相较于第一季度略有下滑，但是由于上游制造企业的主动减产措施以及供应链中较低的库存水平，市场供求关系持续紧绷，推动闪存合约价继续保持上行走势。
与此同时，存储产品全年的涨价趋势并未改变，下游终端用户在面对不断上升的成本压力下，已经开始接受存储厂商提出的涨价方案。传统服务器市场需求恢复性增长，加之人工智能(AI)技术革新带来的海量数据处理需求，促使NAND闪存晶圆(wafer)报价较底部时期实现了超过140%的强劲反弹。其中，行业巨头三星电子已成功将其NAND闪存产品售价上调20%，业界普遍预期SK海力士等其他大型存储制造商也将紧跟步伐，采取相应提价策略。
在AI技术深度渗透的时代背景之下，高性能计算对数据存储提出了更高的要求，固态硬盘正呈现出高速传输与高存储密度的双重发展特点，东北证券分析认为，这种发展趋势将进一步加速固态硬盘产品的更新换代，进而带来市场规模与销售价格的双重增长。针对此轮存储产业升级所带来的投资机会，相关投资标的值得关注，包括但不限于以下几类企业：
存储模组领域：江波龙凭借其在企业级及信创市场的深入布局；佰维存储以其独特的研发与封装测试一体化优势；朗科科技随着韶关数据中心项目的稳步落地；以及德明利，凭借其在NAND主控技术和模组生产方面的综合实力。
存储芯片设计环节：兆易创新作为NOR Flash与DRAM领域的领导者；东芯股份和普冉股份等企业同样值得关注，它们在存储芯片细分市场上展现出较强的增长潜力。
DDR5内存配套解决方案提供商：澜起科技和聚辰股份因其在新一代DDR5内存控制器及配套芯片方案上的领先地位，同样有望从存储行业的升级转型中获益。
综上所述，NAND闪存市场的短期供给调整与长期需求增长相结合，不仅预示着存储产品价格的持续上行，也为存储产业链中的相关企业带来了广阔的成长空间和发展机遇。
本文源自金融界
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