三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第 8 代 V-NAND 闪存，包括即将推出的 PCIe 5.0 SSD 在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。 随着 V-NAND 升级到 236 层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第 7 代 V-NAND 已提供 176 层、且支持高达 2.0 GT/s 的传输速率。

除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代 V-NAND 的 UFS 3.1（以及最新的 UFS 4.0）标准的高速闪存。

不过想要堆砌更多层的 3D-NAND 也并非易事，尽管三星早在 2013 年就率先发布了初代 V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。

于是在突破 200 层大关的时候，三星分别被美光（232L）和 SK 海力士（238L）给反超。

直到去年提供超过 200 层的 V-NAND 闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。

虽然我们尚未知晓三星第 8 代 V-NAND 的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。

作为参考，美光声称其 232 层 NAND 可实现单颗 2TB 容量，以及 11.68 GB/s 读取和 10 GB/s 的写入速度。

在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。

最后，随着 AMD锐龙 7000 和英特尔Raptor Lake 平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量 @ 10+ GB/s 速率的固态驱动器。

苹果正在考虑在iPhone中使用QLC NAND闪存来增加存储容量

根据7月22日的市场研究报告，苹果公司正在考虑使用QLC NAND闪存来提高iPhone产品的存储容量，最早可能在2026年应用于其中。QLC NAND是一种四层单元的闪存技术，每个单元可以存储4bit数据，与TLC相比，其储存密度提高了33%。虽然QLC NAND适用于大容量应用和消费电子产品，但它的耐久度较低，并且通常需要100到1000次写入循环才能达到P/E Cycle（Program Erase Cycle）。

苹果公司已经在探索如何将NAND闪存用于语言模型存储而不是内存，这样就可以在本地运行更多的AI任务。因此，过渡到QLC NAND可能会改善Apple Intelligence的表现。

总结起来，在未来几年中，我们可能会看到更多iPhone和其他苹果产品使用高密度、低成本的QLC NAND闪存来提升其存储容量和性能。

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