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nand内存和lpddr 手机内存越大越好？你需要了解LPDDR3与LPDDR4的区别

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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手机内存越大越好？你需要了解LPDDR3与LPDDR4的区别

2月22日，360 在北京发布了 2017 年旗下 N 系列首款机型——N5，并且史无前例的将骁龙653 处理器+6GB 运存的配置卖到了 1399 元的价格，再次将性价比拉升到了一个新的高度。

360 N5 售价

4GB 早在 2015 年下半年就被某些手机厂商列为了最低标配，而大多数厂商也在去年上半年陆续跟进让 4GB 运存成为旗舰的标配，相比之下国产手机竞相争夺性价比的前提下，4GB 内存手机的价格更是不断被刷下限。

vivo 在去年 2 月底发布了 Xplay 5 旗舰手机，成为首款搭载 6GB 内存的手机，此后国内陆续有一加3（T），努比亚Z11、小米Note 2、小米MIX、vivo X9Plus、vivo Xplay6、OPPO R9s Plus、锤子M1L、金立M2017、360 N5 等手机用上了 6GB 运行内存。

锤子M1L

而在这些手机中 360 N5 的价格无疑是最低的，1399元也成为了最便宜的 6GB 运存手机，有取就有舍，除了 6GB 运存和骁龙653 处理器之外，360 N5 在其他方面则是完完全全的千元机配置，除了 F/2.0 光圈和 PDAF 相位对焦外发布会上甚至都没有详细介绍前后 800万+1300万相机的具体参数配置。

关于 360 N5 的 6GB 运存，官网如是描述：

360 N5 6GB大内存

不过其实就算是 4GB 和 6GB，还是有差别的。而这个差别就体现在我们常说的 LPDDR3 和 LPDDR4（X），以及单通道或者双通道。

比较 LPDDR3 和 LPDDR4 两代的话，发现其差别还是比较大的：

第一、LPDDR4 的规范旨在带来高达 3200MB/s 的双倍数据速率 ，同时减少对移动设备的能源消耗。此外，LPDDR4 支持 16bit 双通道(总位宽 32bit)，而 LPDDR3 则只有单通道。

第二、核心功耗的减少，得益于缩短了的数据路径，同时这也让运行速度得到了进一步提升。LPDDR4 每核心的带宽为 17GB/s ，但是也可以根据需要来做成更快的双通道。

第三、节能 。最简单的就是降低运行电压了，LPDDR3 的电压为 1.2V，而 LPDDR4 已经进一步降低到了 1.1V，LPDDR4X更是将运行电压降低到了 0.6V 。此外新标准还改进了低频节能模式，因此设备可以在执行简单的后台任务的同时，将始终速度降下来，以便进一步节能电能。

LPDDR4双通道内存

所以去年魅族发布的 PRO 6 为人诟病不够 PRO ，主要症结就在于 PRO 6 搭载的联发科Helio X25 处理器并不支持 LPDDR4 内存，也不支持 UFS 2.0 闪存。PRO 6 的 LPDDR3 + eMMC 5.1 比起前一年发布的 PRO 5 的 LPDDR4 + UFS 2.0 相去甚远。

PRO 6 & PRO 5

再说说闪存方面，以 eMMC 5.0、eMMC 5.1 和 UFS 2.0、UFS 2.1 来比较：

2013 年 7 月，三星开始量产首款 eMMC 5.0 存储产品，其读取速度为 400MB/s ，受限于 8 位的并行界面速度已经位于瓶颈。

其后的eMMC 5.1 的读取速度也仅仅为 600MB/s 。

与 eMMC 的标准不同，UFS 2.0 的闪存规格则采用了新的标准，它使用的是串行界面，很像 PATA、SATA 的转换，并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。UFS 2.0 闪存读写速度可以高达 1400MB/s；UFS 2.1 的数据读取速度则飙至1.5G/s。

所以内存和存储的组合，也不能只看大小。更先进的内存的带宽显然更大，能支持更高清的图像和视频输出（支持更高的摄像头像素和更高清的视频录制）；新媒体如慢动作视频、人脸识别、3D摄像头捕捉都需要更大的 RAM 带宽，LPDDR4 内存显然更加适合这些工作。

视频输出对内存带宽的要求

按照目前的发展来看，明年旗舰标配的应该是LPDDR4x＋UFS 2.1 了！

DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR区别

今天分享DDR相关知识。

1 什么是DDR

DDR是Double Data Rate的缩写，即“双比特翻转”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。

DDR的核心要义是在一个时钟周期内，上升沿和下降沿都做一次数据采样，这样400MHz的主频可以实现800Mbps的数据传输速率。

2 每一代DDR的基本区别

3 关键技术解释

3.1 VTT

VTT为DDR的地址线，控制线等信号提供上拉电源，上拉电阻是50Ω左右。VTT=1/2VDDQ，并且VTT要跟随VDDQ，因此需要专用的电源同时提供VDDQ和VTT。例如芯片TPS51206DSQT，LP2996。用专门的电源芯片，还有一个重要的原因，在Fly-by的拓扑中，VTT提供电流，增强DDR信号线的驱动能力。

DDR的接收器是一个比较器，其中一端是VREF，另一端是信号，例如地址线A2在有VTT上拉的时候，A2的信号在0和1.8V间跳动，当A2电压高于VTT时，电流流向VTT。当A2低于VTT时，VTT流向DDR。因此VTT需要有提供电流和吸收电流的能力，一般的开关电源不能作为VTT的提供者。此外，VTT电源相当于DDR接收器信号输入端的直流偏执，且这个偏执等于VREF，因此VTT的噪声要越小越好，否则当A2的状态为高阻态时，DDR接收器的比较器容易产生误触发。

上文说过，VTT相当于DDR接收器的直流偏执，其实如果没有VTT，这个直流偏执也存在，它在芯片的内部，提供电流的能力很弱。如果只有1个或2个DDR芯片，走Fly-by拓扑，那么不需要外部的VTT上拉。如果有2个以上的DDR芯片，则一定需要VTT上拉。

3.2 Prefetch

Prefetch字面意思就是预存取，每一代的DDR预存取大小不同，详见第2章中表格。以DDR3为例，它的Prefetch=8n，相当于DDR的每一个IO都有一个宽度为8的buffer，从IO进来8个数据后，在第8个数据进来后，才把这8个数据一次性的写入DDR内部的存储单元。下图是一个形象的解释，同时我们关注一下几个速率。DDR3的时钟是800MHz，Data Rate是1600Mbps，由于这个Buffer的存在，DDR内部的时钟只需要200MHz就可以了（注意DDR内部不是双比特翻转采样）。

我们来做一个频率对照表，如下：

DDR内部的最小存储单元（1bit）是一个晶体管+一个电容，电容会放电，需要不断的“刷新”（充电）才能保持正常的工作状态，由于电容充放电需要时间，DDR内部的频率受限于此，很难提高，目前技术一般在100~200MHz。因此需要用Prefetch技术来提内部数据高吞吐率（其实就是串并转换原理）。Prefetch位宽的提高，是DDR2,3,4非常显著的变化。

第一段提到，对于DDR3，在第8个数据进来后，FIFO满了，然后才把这8个数据一次性的写入DDR内部的存储单元，那么必须要求DDR的内部时钟和外部时钟有一定的约束关系，FIFO满的时候一定是以DQS下降沿采样结束的，数据手册中对DQS的下降沿与clk有一个建立时间和保持时间的约束要求的目的原来是这样。

3.3 SSTL

SSTL（Stub Series Terminated Logic）接口标准也是JEDEC所认可的标准之一。该标准专门针对高速内存(特别是SDRAM)接口。SSTL规定了开关特点和特殊的端接方案。

SSTL标准规定了IC供电，IO的DC和AC输入输出门限，差分信号门限，Vref电压等。SSTL_3是3.3V标准，SSTL_2是2.5V标准，SSTL_18是1.8V标准，SSTL_15是1.5V。

SSTL最大的特点是需要终端匹配电阻，也叫终端终结电阻，上拉到VTT（1/2VDDQ）。这个短接电阻最大的作用是为了信号完整性，特别是在1拖多的Fly-by走线拓扑下，还能增强驱动能力。

3.4 Bank

以下图为例，一个Bank中包含若干个Array，Array相当于一个表单，选中“行地址”和“列地址”后，表单中的一个单元格就被选中，这个单元格就是一个bit。Bank中的所有Array的行地址是连在一起的，列地址也是。那么选中“行地址”和“列地址”后，将一起选中所有Array的bit。有多少个array，就有多少个bit被选中。以DDR3为例，Data线宽度是32，prefetch是8，那么Array就有32x8=256.内部一次操作会选中256bit的数据。

Bank数量越多，需要的Bank选择线越多，DDR3有8个bank，需要3个BA信号BA0~2。BA，行地址，列地址共同组成了存储单元的访问地址，缺一不可。

3.5 DDR的容量计算

下图是DDR3 1Gb的寻址配置，以其中128Mbx8为例说明，其中x8表示IO数据（DQ）位宽度。

我的理解是，这个page size更像是逻辑上的一个页，并不是一个bank中，一行的所有bit，因为一行的所有bit要考虑prefetch宽度。

上表是JESD-3D中的表格，Row Address和Column Address都是真实需要寻址的地址，其他用途的地址比如A10，A12或者A11等并没有计算在内。在计算时，不要因为有A13，就认为Column Address就是A0~A13。

3.6 Burst

Burst字面意思是突发，DDR的访问都是以突发的方式连续访问同一行的相邻几个单元。进行Brust时，需要有几个参数：

Burst Length：一次突发访问几个列地址。

Read/Write: 是读还是写

Starting Column：从哪一列开始Burst

Burst：突发的顺序。

下图是DDR3中突发类型和顺序，Burst是通过A12/BC#选择的。但对于DDR，DDR2和DDR4，不一定就是通过A12/BC#，详见PIN定义章节。

3.7 DDR的tRDC，CL，tAC

在实际工作中，Bank地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令称之为“行激活”（Row Active）。在此之后，将发送列地址寻址命令与具体的操作命令（是读还是写），这两个命令也是同时发出的，所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。根据相关的标准，从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲），我们可以理解为行选通周期。tRCD是DDR的一个重要时序参数，广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=3，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，DDR3-800，tRCD=3，代表30ns的延迟。

接下来，相关的列地址被选中之后，将会触发数据传输，但从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的 I/O 接口之间还需要一定的时间（数据触发本身就有延迟，而且还需要进行信号放大），这段时间就是非常著名的 CL（CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期）。CL 的数值与 tRCD 一样，以时钟周期数表示。如 DDR3-800，时钟频率为 100MHz，时钟周期为 10ns，如果 CL=2 就意味着 20ns 的潜伏期。不过CL只是针对读取操作。

由于芯片体积的原因，存储单元中的电容容量很小，所以信号要经过放大来保证其有效的识别性，这个放大/驱动工作由S-AMP负责，一个存储体对应一个S- AMP通道。但它要有一个准备时间才能保证信号的发送强度（事前还要进行电压比较以进行逻辑电平的判断），因此从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始，数据即已传向S-AMP，也就是说此时数据已经被触发，经过一定的驱动时间最终传向数据I/O总线进行输出，这段时间我们称之为 tAC（Access Time from CLK，时钟触发后的访问时间）。

目前内存的读写基本都是连续的，因为与CPU交换的数据量以一个Cache Line（即CPU内Cache的存储单位）的容量为准，一般为64字节。而现有的Rank位宽为8字节（64bit），那么就要一次连续传输8次，这就涉及到我们也经常能遇到的突发传输的概念。突发（Burst）是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输的周期数就是突发长度（Burst Lengths，简称BL）。

在进行突发传输时，只要指定起始列地址与突发长度，内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。这样，除了第一笔数据的传输需要若干个周期（主要是之前的延迟，一般的是tRCD+CL）外，其后每个数据只需一个周期的即可获得。

突发连续读取模式：只要指定起始列地址与突发长度，后续的寻址与数据的读取自动进行，而只要控制好两段突发读取命令的间隔周期（与BL相同）即可做到连续的突发传输。

谈到了突发长度时。如果BL=4，那么也就是说一次就传送4×64bit的数据。但是，如果其中的第二笔数据是不需要的，怎么办？还都传输吗？为了屏蔽不需要的数据，人们采用了数据掩码（Data I/O Mask，简称DQM）技术。通过DQM，内存可以控制I/O端口取消哪些输出或输入的数据。这里需要强调的是，在读取时，被屏蔽的数据仍然会从存储体传出，只是在“掩码逻辑单元”处被屏蔽。DQM由北桥控制，为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节，每个DIMM有8个DQM 信号线，每个信号针对一个字节。这样，对于4bit位宽芯片，两个芯片共用一个DQM信号线，对于8bit位宽芯片，一个芯片占用一个DQM信号，而对于 16bit位宽芯片，则需要两个DQM引脚。

在数据读取完之后，为了腾出读出放大器以供同一Bank内其他行的寻址并传输数据，内存芯片将进行预充电的操作来关闭当前工作行。还是以上面那个Bank示意图为例。当前寻址的存储单元是B1、R2、C6。如果接下来的寻址命令是B1、R2、C4，则不用预充电，因为读出放大器正在为这一行服务。但如果地址命令是B1、R4、C4，由于是同一Bank的不同行，那么就必须要先把R2关闭，才能对R4寻址。从开始关闭现有的工作行，到可以打开新的工作行之间的间隔就是tRP（Row Precharge command Period，行预充电有效周期），单位也是时钟周期数。

3.8 ODT

ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让一些信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。换句话说就是在片内设置合适的上下拉电阻，以获得更好的信号完整性。被ODT校准的信号包括：

DQ, DQS, DQS# and DM for x4 configurationDQ, DQS, DQS#, DM, TDQS and TDQS# for X8 configurationDQU, DQL, DQSU, DQSU#, DQSL, DQSL#, DMU and DML for X16 configuration

当一个CPU挂了很多个DDR芯片的时候，他们是共用控制线，地址线的，走线肯定要分叉，如果没有中端匹配电阻，肯定会产生信号完整性问题。那么如果只有一个DDR芯片的时候，需不需要呢？正常情况下，走线很短，有符合规则，是不需要的。

下图是DDR中的IO上下拉电阻，RON是DDR的输出结构的上下拉电阻，RTT是DDR输入结构的上下拉电阻。这两个电阻的阻值都是可调的。

下图是RON的调节，注意这不是ODT的任务，调节是通过寄存器实现。

下图是RTT的调节，是ODT要做的事情，而且RTT的档位要多，也是通过寄存器调节的。

注意，DDR3的PIN定义上有一个引脚是ODT，如果ODT=0，DRAM Termination State功能关闭；ODT=1，DRAM Termination State的功能参考寄存器设置。如下是一个真值表。因为DRAM Termination State非常耗电，所以不用的时候最好不要打开。

3.9 DDR3的ZQ

ZQ信号在DDR3时代开始引入，要求在ZQ引脚放置一个240Ω±1%的高精度电阻到地，注意必须是高精度。而且这个电阻是必须的，不能省略的。进行ODT时，是以这个引脚上的阻值为参考来进行校准的。

校准需要调整内部电阻，以获得更好的信号完整性，但是内部电阻随着温度会有些细微的变化，为了将这个变化纠正回来，就需要一个外部的精确电阻作为参考。详细来讲，就是为RTT和RON提供参考电阻。

3.10 OCD

OCD 是在 DDR-II 开始加入的新功能，而且这个功能是可选的，有的资料上面又叫离线驱动调整。OCD的主要作用在于调整 I/O 接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，从而调整DQS 与 DQ 之间的同步确保信号的完整与可靠性。调校期间，分别测试 DQS 高电平和 DQ高电平，以及 DQS 低电平和 DQ 高电平的同步情况。如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉 / 下拉电阻等级（加一档或减一档），直到测试合格才退出 OCD 操作，通过 OCD 操作来减少 DQ 、 DQS的倾斜从而提高信号的完整性及控制电压来提高信号品质。由于在一般情况下对应用环境稳定程度要求并不太高，只要存在差分 DQS时就基本可以保证同步的准确性，而且 OCD 的调整对其他操作也有一定影响，因此 OCD 功能在普通台式机上并没有什么作用，其优点主要体现在对数据完整性非常敏感的服务器等高端产品领域。

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4 DDR3的PIN定义

下面是三星K4B4G0446Q/K4B4G0846Q的PIN定义，每一个都有很详细的解释。

以x8的配置为例，如下是其Ball Map。

一对时钟线CK和CKn数据线DQ0~DQ7共8位。一对差分对DQS和DQSn地址线A0~A15，其中，A10和A12有特殊用途。行选中信号RASn列选中信号CASn写使能Wen片选CSnBank选择BA0~2一个Reset信号，是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3 内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，且所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，甚至不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，该功能将使DDR3达到最节省电力的目的。ZQ和ODT PIN上文已经说明。

5 DDR的走线规则

DDR的信号线需要分组：

数据线一组（DQ,DQS,DQM），误差控制在20mil以内；控制线一组（Address，控制线，时钟），以时钟为中心，误差控制在100mil以内。

原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/VVrrA56RBU0hXw6Ud7PrCQ

转载自：记得诚

文章来源于https://blog.csdn.net/AirCity123/article/details/103658204?spm=1001.2014.3001.5501

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