nand flash型号芯趋势丨二季度后业绩出现环比增长：半导体部分领域进入触底回升轨道？

芯趋势丨二季度后业绩出现环比增长：半导体部分领域进入触底回升轨道？

21世纪经济报道记者骆轶琪广州报道

下行周期中，A股不少半导体公司上半年业绩都出现了下滑，持续清理库存某种程度上会牺牲一定价格，由此对净利润也带来压力。

伴随半年报和后续逐月业绩陆续释放，部分公司开始提到，二季度业绩环比有所上升，行业现筑底迹象。只是从筑底到逐渐复苏甚至回暖，仍需要一段时间沉淀，业界普遍看向2024年。

左蓝微电子总经理助理朱立锋对21世纪经济报道记者表示，整体看，今年消费电子市场的销售情况不算理想，但目前根据下游客户的反馈以及公司在手订单来说，趋势已经明朗。

“我们预估，下游消费电子的库存基本在今年四季度到明年初会消耗完毕，在此期间会有新订单产生。所以虽然现在还在相对困难的节点，但今年底到明年初，会有回暖过程。 ”他如此表示。

群智咨询（Sigmaintell）执行副总经理兼首席分析师陈军分析，自2022年下半年以来，半导体产业库存逐步走高，产业处于下行周期，无论IDM还是Pure Foundy公司均承受较大压力，主流厂商的产线稼动率逐步走低。

整体来看，群智咨询认为，目前处于半导体产业复苏的底部时期 ，“筑底”和"AI"是目前产业的关键词。随着AI在应用端逐步落地，2024年下半年会有相对比较清晰的复苏趋势，且将率先带动PC产品的更新换代，推动存储、算法芯片等相关器件的快速回升 。

存储市场博弈

存储器有半导体行业风向标之称，此轮下行周期中，存储也是承压较大的细分行业。

经过接近一年左右的去库存之后，诸多头部上游存储原厂都表示，二季度行业已经筑底。据披露，原厂目前依然在进行减产动作，以此希望进一步缓解库存压力，并推动承压多季度的价格有所抬升。

有从业者对21世纪经济报道记者分析，目前存储行业处在价格博弈阶段。 上游提供存储颗粒的原厂经历了持续减产之后，希望有所提价，但终端侧的存储价格仍没有完全稳定，市场行情有涨有跌，由此产业链之间正在博弈。

“上游存储厂想拉动价格，但是下游担心需求的稳定性，因此当前是相对混沌的阶段。”他续称，市场主要关注库存流动情况，这时当原厂提出涨价一定比例，下游厂商是否接受并提货、亦或提货多少都会进行考量，因为相比上游，下游存储厂会面临更高的成本压力。

据该人士分析，存储器行业率先出现价格上涨的是面向高性能市场的DDR5产品，其他产品将视具体需求而定。从目前行业形势看，预估将对2024年抱以更多期待，由于此前下滑幅度较大，年内尚难有较大扭转。

分析机构闪存市场认为，近期存储行情主要由原厂积极减产、强势涨价带动，市场随之惜售低价库存，这令NAND现货价格有上涨趋势。不过这种相对活络的氛围主要集中在现货市场，部分终端需求有所好转，市场还在持续消耗库存阶段，仍需密切关注供需双方的进一步动向。

不少人士认为的筑底行情下，国内存储产业链或多或少在刚披露的半年报中提到了二季度环比出现改善的倾向，以及手机之外市场的成长性。

兆易创新财报显示，上半年其汽车、消费和网通市场的出货数量实现一定幅度的同比增长。同时第二季度环比第一季度，在移动、消费、计算、工业、汽车等市场均实现出货数量增长，综合价格还在底部等因素，季度营收环比实现小幅增长；Flash产品上半年出货数量实现逐月环比增长。

江波龙财报显示，上半年车规工规级以及企业级存储市场虽相对乐观，但其规模占比较低，无力对冲消费类存储产品下跌带来的负面影响。不过第二季度营业收入环比第一季度上升50.22%。

群联电子近期公布的8月营收数据环比增长18%，公司执行长潘健成表示，8月SSD模块出货量已逐渐出现回温，显示系统客户因为库存回到正常水位或甚至低于正常水位后，开始陆续回补库存 ；甚至部分特定NAND Flash型号可能会在第四季出现供给不足的现象。

集邦咨询分析，NAND Flash价格反弹会早于DRAM，随着上游原厂持续减产、加速去库存，预估第四季NAND Flash均价有望持平或小幅上涨，涨幅预估约0-5%。不过若NAND Flash涨势要延续至2024年，仍仰赖持续性减产，以及需观察Enterprise SSD采购订单是否会大幅回补。

消费电子看向年底

占据半导体应用市场极大比例的消费电子，虽然正面临近十年来的成长性压力，但产业链环节在持续去库存动作中，也将迎来传统行业旺季，叠加新市场需求的挖掘，有望带来改变。

天风证券指出，射频前端周期底部或现。 该机构选取国际和国内头部射频前端上市公司进行库存情况对比发现，2018-2022年，国际头部厂商Skyworks和Qorvo的存货周转天数分别保持在120天、100天左右，较为稳定；国内厂商卓胜微、唯捷创芯的存货周转天数与国际头部厂商在同一水平。2022年，由于消费电子市场面临下行周期，射频前端供应链供应关系发生逆转，国内相关公司库存水位上涨，但根据2023年中报披露的存货周转天数环比一季度已有所下降。

卓胜微财报提到，上半年射频前端芯片产业链仍处于去库存进程，受全球宏观经济低迷等因素影响，消费电子需求不及预期，但随着行业库存持续去化，下游终端及公司自身库存有所改善。由此叠加二季度国内手机市场的消费促销活动提振，促使二季度营收环比提升。

同时国内终端厂商对导入国产供应链厂商的诉求正十分旺盛。朱立锋告诉记者，有机构统计显示，国产滤波器的自给率不到10%，这意味着空间巨大，且目前手机品牌商、ODM代工商等都有很高诉求引入国内供应链公司。

这一方面源于海外供应链与国内整机厂的磨合配合度存在差异，另一方面随着国内供应链公司逐渐成熟，也为国内整机厂提供了更多可选择空间。

“国内的射频前端滤波器领域，目前还在发展相对早期阶段，无论是芯片设计公司还是制造代工厂，整体的工艺水平与国际一流代工厂等供应链还有一定差距，但这并不是不可弥补的。”朱立锋对记者表示，比如国外一些成熟的滤波器产品，国内已经可以做到很好效果。“尤其是近1-2年间，会明显感受到有很多国内厂商的优秀产品进入到国内一线终端手机厂中。 ”

因此从这个角度看，朱立锋分析道，虽然当前消费电子的销售表现还在承压，但市场库存基本消耗完毕，新订单的产生与供应链能力匹配有一定时间过程。随着在此过程中消费电子行业逐渐回暖，供应链厂商也将积极抢占市场，届时对每家公司来说意味着机遇与挑战并存。“我们看到部分器件已经在逐渐补库存，行业环境在走向正向发展。 ”

挖掘新市场

除了对既有市场的深耕，寻求更多成长型市场的机会也是当下要义。

“目前手机端的利润变薄，行业开始转向汽车行业找寻高端市场的利润空间。 ”前述存储业内人士对记者分析，尤其是电动汽车发展浪潮将重构既有的汽车产业链，将为存储产业带来更多机会。

对于新的应用市场，朱立锋告诉记者，左蓝微作为射频滤波器厂商，其应用场景不仅限于手机通信，还可以拓展到物联网、小基站、智能穿戴设备、智能家居、无人机、POS机等众多涉及通信信号处理的场景。

“上半年我们已经在基站、物联网领域取得了一定突破。”他续称，在国产化器件快速发展的环境中，更重要是练好内功。滤波器市场的未来市场需求相对确定：将走向更高性能、更小尺寸、更高功率和频率、更小带内插损等，因此需要朝这些方向提升产品性能和产能。

据介绍，左蓝微电子以SAW滤波器作为主要技术路径，针对SAW、TC-SAW、PESAW等技术路线，在工艺、材料等方面延伸布局。除此之外，近日的深圳国际电子展上，该公司还展示了PESAW系列高性能滤波器产品，比如PESAW B28F双工器有高Q值、低损耗、高耐功率等特性，并通过了主流ODM厂商验证。

比之相对低迷的消费电子，工业和汽车类市场是半导体大厂近几个季度实现成长点的场景。

朱立锋告诉记者，左蓝微也有关注相应市场需求。“车载滤波器和手机滤波器的应用需求和环境有一定差异，我们在积极争取对新能源市场的渗透。”他分析道，此外，随着国内5G大规模基础设施建设基本部署完善，接下来就需要完善对小基站的部署，以此不断优化5G的应用体验。这也成为滤波器厂商的发展机会。

从行业应用趋势来说，朱立锋预估，手机通信、物联网都将占据滤波器的主要应用规模，网通类、智能穿戴类市场次之 ，小基站也是下游应用的重要板块之一，因此需要积极争取，只是从市场规模来看，基站类场景与手机通信模块的市场空间还有较大差距。

“随着5G的通信迭代发展，对于射频滤波器器件的需求也会倍数成长。以手机为例，5G通信需要的频段数量会比4G增加很多，那么5G手机需要用到的滤波器数量也会比4G手机多几十颗。”他分析道。

目前在射频市场，美系和日系类厂商占据主要优势份额，国内产业链公司在积极寻求突破。“射频市场中的滤波器领域，国内还处在群雄逐鹿过程中。厂商间比拼的是性能是否可以与海外产品媲美、供应链体系是否完善、甚至能否产品成本比海外更优秀等方面。通过这些维度，寻求与海外厂商的竞争突破口。”朱立锋指出，同样重要的是需要追求正向设计，公司自己实现从零到一的技术能力铺垫，如此才能根据客户的需求调整尽快做出响应。

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NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？

得益于5G、大数据、云计算、物联网、人工智能等新兴产业的快速发展，存储器需求呈现倍数增长，发展空间广阔。其中，NAND Flash作为半导体存储器第二大细分市场，自然也备受关注。

回溯NAND Flash的历史

经历了半个世纪发展的半导体存储技术，如今已逐渐成熟，其衍生出的存储技术中包括Flash技术。

Flash技术分为NAND Flash和NOR Flash二种。虽然NOR Flash传输效率很高，但写入和擦除速度很慢，容量也较小，一般为1Mb-2Gb，常用于保存代码和关键数据，而NAND Flash能提供极高的单元密度，可达到高存储密度，适用于大量数据的存储。NAND Flash具有写入、擦除速度快、存储密度高、容量大的特点，也因此迅速成为了Flash主流技术。

NAND Flash技术自问世以来，已经积累了近40年的发展底蕴，并已成为存储器第二大细分市场。按存储单元密度来分，NAND Flash可分为SLC、MLC、TLC、QLC等，对应1个存储单元分别可存放1、2、3、4bit的数据。目前NAND Flash主要以TLC为主，不过QLC比重正在逐步提高。

值得一提的是，被提出很多年但一直没有商用落地的PLC终于露出水面。

今年8月初，SK海力士旗下NAND闪存解决方案提供商Solidigm在闪存峰会上展示了全球首款正在研发的PLC（五层单元）SSD。与QLC（四层单元）SSD相比，PLC SSD可在每个存储单元内存储5bit的数据。

NAND闪存从SLC、MLC、TLC、QLC及PLC一路走来，容量逐步上升，可市场更关心的是性能、可靠性、寿命、成本等问题是否也可以跟着优化。据Solidigm介绍，在相同的空间内，使用PLC SSD存储数据量可增加25%，可以用来解决固态存储未来的成本、空间和能耗等问题。该款SSD将首先用于数据中心产品，具体发布和上市时间待定。

从闪存结构来看，为满足各时期的市场需求，NAND Flash技术已从2D NAND升级到3D NAND，再到4D NAND。

时光追溯到1987年，时任日本东芝公司工程师岡本成之提出的一项发明彻底改写了人类信息时代的面貌，即2D NAND。当时东芝（2019年更名为铠侠）虽占据NAND Flash市场先机，但东芝战略重心偏向DRAM市场，忽略了NAND Flash的发展潜力。之后，英特尔和三星迅速加入市场，推出了2D NAND产品。

随后，全球厂商都围绕着2D NAND进行研发，随着2D NAND的线宽已接近物理极限，3D NAND应运而生 。

2007年，东芝推出BiCS类型的3D NAND。2D NAND的含义其实是二维平面堆叠，而3D NAND，顾名思义就是立体堆叠。3D NAND的到来，让NAND Flash技术直接从二维升华到三维的密度。

按英特尔的说法，2D NAND就像在一块有限的平面上建平房，这些平房整齐排列，随着需求量不断增加，平房的数量也不断增多，可面积有限，只能容纳一定数量的平房。相较于2D NAND，3D NAND则可以在同一块平面上建楼房，楼层越高，容量也就越大，在同样的平面中楼房的容积率远远高于平房，提供了更大的存储空间。可见，随着市场对存储性能需求的提升，2D NAND过渡到3D NAND是大势所趋的。

3D NAND自2007年进入大众视野后，2014年正式商用量产 。

2013年，三星推出第一代V-NAND（三星自称3D NAND为V-NAND）闪存。据三星介绍，V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。虽然该款堆叠层数仅为24层，但在当时却打破了平面技术的瓶颈，并使3D NAND Flash从技术概念推向了商业市场。

2014年，SanDisk和东芝宣布推出3D NAND生产设备；同一年，三星率先发售了32层MLC 3D V-NAND，这也意味着3D NAND正式商用化。继三星之后，美光也实现了3D NAND商用化。凭借其在容量、速度、能效及可靠性的优势，3D NAND逐渐成为行业发展主流。

3D之后，4D NAND悄然来临 。SK海力士在2018年研发的96层NAND Flash已超越了传统的3D方式，并导入4D方式，该款也成为了全球首款4D NAND Flash。

据了解，4D NAND技术是由APlus Flash Technology公司提出，其技术原理是NAND+类DRAM的混合型存储器，采用了“一时多工”的平行架构，而3D NAND只能执行“一时一工”。若一到十工同时在4D闪存系统执行时，其速度会比3D NAND快一到十倍。虽然相比3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。不过，目前市面上还是以3D NAND为主。

从平房到摩天大楼，各大原厂的谋略

随着应用领域和使用场景愈发多样化，市场对NAND Flash的要求也随之提升，譬如想要更高的读写速度、最大化的存储容量、更低的功耗和成本等。可采用二维平面堆叠方式的2D NAND已经不再能满足市场的需求，这一切也促使NAND厂商必须谋定而后动，之后便沉下心来埋头研发，NAND Flash结构也从平房蜕变到摩天大楼。

采用三维平面堆叠方式3D NAND虽大大增加了存储空间，但如何突破3D NAND层数瓶颈，堆叠更高的摩天大楼，一直是市场的焦点，也是NAND厂商研发的痛点。在此之下，一场有关NAND Flash的层数之争已持续数年，NAND厂商早已吹响冲锋集结号，这一路也取得了不少的成就。

自2012年24层BiCS1 FLASHTM 3D NAND Flash之后，铠侠还研发出了48层、64层、96层、112层/128层。2021年，铠侠联手西部数据突破162层BiCS6 FLASHTM 3D NAND Flash。今年5月，西部数据与铠侠未来的路线图指出，预计2024年BiCS+的层数超过200层，如果一切按计划进行，2032年应该会看到500层NAND闪存。

最早在3D NAND领域开拓疆土的是韩国厂商三星。2013年8月，三星推出V-NAND（3D NAND）闪存，这也是全球首个3D单元结构“V-NAND”。之后，三星还陆续推出了32层、48层、64层、96层、128层、176层的V-NAND。2021年末，三星曾透露正在层数200+的V-NAND产品，目前暂未披露相关信息。

作为韩国第二大存储厂商的SK海力士也不甘落后，在2014年研发出3D NAND产品，并在2015年研发出36层3D NAND，之后按照48层、72层/76层、96层、128层、176层的顺序陆续推出闪存新产品。2022年8月3日，SK海力士再将层数突破到238层的新高度，该层数是当前全球首款业界最高层数NAND闪存，产品将于2023年上半年投入量产。

2016年，美光发布3D NAND，虽然发出时间晚于三星等上述几家厂商，但后期美光的研发实力不容小觑。在2020年美光抢先推出当时业界首款176层3D NAND，后又于2022年7月率先推出全球首款232层NAND，该产品现已在美光新加坡工厂量产。美光表示，未来还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。

目前从原厂动态来看，SK海力士和美光率先进入200+层时代，其中NAND闪存业界最高层数为SK海力士的238层，其次是美光的232层。主流技术NAND Flash 3D堆叠层数已跨越176层、232层、迈进238层，未来原厂还将发力200+层、300层、400层、甚至500层以上NAND技术。

在2021年IEEE国际可靠性物理研讨会上，SK海力士预测，3D NAND未来将达到600层以上。另有一些行业专家认为，3D NAND可以堆叠到1000层。可见，隔NAND Flash技术的天花板还有很高的距离。

△Source：全球半导体观察根据公开信息整理

NAND Flash未来既柳暗，又花明？

此前在5G手机、服务器、PC等下游需求驱动下，NAND Flash市场以可见的速度在增长。可今年，受疫情反复、通货膨胀、俄乌冲突等因素影响，全球形势变化多端。同时，存储器市场供需与价格波动时刻受产业发展动态影响，而作为存储器市场的主要构成产品之一，NAND Flash也不例外。

01、供需失衡

从消费端看，PC、笔电、智能手机等消费电子市场需求疲软，也影响到中上游产业链。其中，智能手机需求萎缩明显，出货量也随之减少。据TrendForce集邦咨询表示，受到传统淡季的加乘效应，使得2022年第一季智能手机生产表现更显疲弱，全球产量仅达3.1亿支，季减12.8%。

业内人士普遍认为，持续下降的最大原因是消费者使用智能手机的时间比以前更长。再加上智能手机技术更新快，新型号手机的性能与之前型号并无特别大的差距，从某种程度上看，这也降低了消费者的购买欲。

从供应端来看，TrendForce集邦咨询7月表示，由于需求未见好转，NAND Flash产出及制程转进持续，下半年市场供过于求加剧，包含笔电、电视与智能手机等消费性电子下半年旺季不旺已成市场共识，物料库存水位持续攀升成为供应链风险。因渠道库存去化缓慢，客户拉货态度保守，造成库存问题漫溢至上游供应端，卖方承受的抛货压力与日俱增。

TrendForce集邦咨询预估，由于供需失衡急速恶化，第三季NAND Flash价格跌幅将扩大至8~13%，且跌势恐将延续至第四季。

02、原厂持坚定信念

受手机与个人电脑等消费电子市场需求疲软等因素影响，美光于6月悲观预测，今年第四财季营收为72亿美元，上下4亿美元浮动，这一数据低于业界预期；又于8月再度下调第四季度业绩指引，该季度经调整营收将位于或低于此前预计的68-76亿美元区间下沿。

此前美光首席执行官Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，预计智能手机销量将较去年下降约5%，而个人电脑销量可能比去年下降10%，美光正在调整产量增长，以适应需求的减弱。不过，TrendForce集邦咨询8月在最新的研究指出，受到高通胀冲击，全球对于消费市场普遍抱持并不乐观的态度，基于周期性的换机需求以及新兴地区的新增需求带领下，智能手机生产量仍会小幅上升。

SK海力士此前也预测，由于搭载存储器的电脑和智能手机的出货量将低于原来的预测，并且服务器用存储器的需求也因客户的库存优先出货，预计下半年的存储器出货量将有所放缓。不过中长期来看，数据中心的存储器需求将持续成长。

三星、SK海力士、美光、西部数据、铠侠等存储器原厂在最新财报中均表示虽然部分市场需求疲软，但都坚定看好产业未来前景，各原厂保持坚定的信心也为存储器市场扫去部分阴霾。

据TrendForce集邦咨询最新研究显示，NAND Flash仍处于供过于求状态，但该产品与DRAM相较更具价格弹性，尽管预期明年上半年价格仍会走跌，但均价在连续多季下滑后，可望刺激enterprise SSD市场单机搭载容量成长，预估需求位元成长将达28.9%，而供给位元成长约32.1%。

结语

长远来看，NAND Flash市场前路虽柳暗，但花明。同时，NAND厂商马不停蹄地研发，今年有的再上升一个台阶，有的还在停步研发，最终谁先触抵NAND Flash层数天花板，我们静待观之。

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