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nand 闪存领域三星电子：4nm节点良率趋稳，二季度开始量产HBM3E 12H内存

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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三星电子：4nm节点良率趋稳，二季度开始量产HBM3E 12H内存

IT之家 4 月 30 日消息，三星电子在今日公布的一季度财报中分享了其半导体相关业务的技术信息和未来展望，IT之家整理如下：

三星表示整体晶圆代工业务的复苏相对延迟，但晶圆厂的运营效率有一定提升。

技术方面，三星称其 3nm 和 2nm 节点技术发展顺利，将在本季度完成 2nm 设计基础设施的开发；而在 4nm 节点方面，良率渐趋稳定。

三星正就适用于 3D IC 的 4nm 技术进行准本，同时计划开发适用于 14nm、8nm 等成熟节点的基础设施，满足不同应用的需求。

三星确认其仍计划在下半年实现第二代 3nm 技术的量产，并提升 2nm 技术的成熟程度。

三星表示其已于本月开始量产 HBM3E 8H（8 层堆叠）内存，并计划于本季度内开始量产可提供 36GB 单堆栈容量的 HBM3E 12H 产品。三星将继续增加 HBM 供应，满足生成式 AI 市场的需求。

对于常规 DDR5，三星基于 1bnm（12 纳米级）制程的 32Gb DDR5 也将于本季度量产。三星计划在该产品上实现更快的产能爬坡，以提升企业在高密度 DDR5 模组市场的竞争力。

三星 1bnm 32Gb DDR5 内存于去年 9 月发布，当时计划于 2023 年底量产。

而在 NAND 闪存领域，三星进一步明确第 9 代 V-NAND 的 QLC 版本将于三季度量产。

IT之家 6 月 28 日消息，TrendForce 集邦咨询今日发布最新研报，预估三季度 NAND 闪存产品合约价的整体涨幅从二季度的 15~20% 收窄至 5~10%。

集邦咨询表示，下半年几大原厂积极增产；企业级固态硬盘受惠于服务器订单回升，需求稳定增长，但消费电子领域需求持续不振，导致 NAND 供过于求更为明显 ，这也是涨幅减少的主因。

▲ 图源 TrendForce 集邦咨询

IT之家按类别整理 TrendForce 集邦咨询预测如下：

由于供应回调而买方购买意愿不佳，闪存晶圆现货价格已不到合约价八成 。因此三季度闪存晶圆合约价基本不会出现增长 。

虽然即将进入笔记本销售旺季，但笔记本厂商备货意愿仍较保守。

原厂产能升级带来供应量提升和 PC 厂商扩大 QLC SSD 使用两项因素又加剧了价格竞争，三季度消费级 SSD 合约价涨幅将仅有 2~8% 。

科技企业持续扩大 AI 服务器和传统服务器建设支出，导致服务器 OEM 厂商三季度订单量出现明显回升，带动企业级固态硬盘采购需求较本季进一步增长。

不过由于 NAND 闪存整体供大于求，各大供应商积极争夺企业级 SSD 订单以减少下半年库存，压制了涨价幅度，预估三季度企业级固态硬盘涨幅减少约 5% 至 15~20% 。

目前智能手机厂商手中仍持有足够的 UFS 闪存，库存水位下降较慢，模组厂商也逐渐加入 UFS 供应，这遏制了闪存原厂在三季度对 UFS 再次大幅度涨价的势头，预估最终季度涨幅将落在 3~8% 。

几大原厂对 eMMC 闪存涨价态度明显，但三季度 eMMC 需求仍然有限，最终价格涨幅不会很大，合约价将大致保持不变 。