存储密度上升 第二代3D V-NAND细节公布

三星在去年推出了第二代3D V-NAND技术，并应用到850 Pro/EVO两款SSD上，日前在ISSCC 2015研讨会上，三星公布了第二代3D V-NAND的部分细节，针对优化了的部分进行了一些解释。

PCWatch对此进行了较为详细的介绍，从上图可以看到，第一代与第二代3D V-NAND在存储密度上有很大的差异，第一代采用MLC设计，堆叠层数为24层，128Gbit容量所需面积为133mm2，而第二代采用TLC设计，堆叠层数上升至32层，存储密度大幅提升，128Gb所占面积为68.9mm2，第一代的存储密度为0.93Gb/mm2，第二代的就上升到1.86Gb/mm2，上升幅度达到了2.25倍，幅度相对惊人。

两代3D V-NAND存储密度对比

传统的2D闪存在达到一定密度之后每个电源存储的电荷量会下降，另外相邻的存储单元也会产生电荷干扰，为了避免这些负面影响，传统TLC的编程会拆分为三个阶段，就是为了在编程时更为精确的控制电荷量。

但是3D V-NAND就没有传统2D闪存的问题，无需进行多阶段控制，三星通过HSP技术将多阶段编程过程整合为一个，闪存编程时间大为减少。

编程时间缩短为原来的二分之一，写入功耗可以降低40%

存储核心的立体构造（中），Word line的阻值检测（左）

闪存在结构上有所改变，造成了Word line在近段、远端的阻值会有些差异，这样的差异会造成读取放大器与控制解码间的迟滞，为了解决这样的问题，进行了阻值检测，以及针对不同的Word Line参数给予不同的电压，这样一来就能够有效减低setup-time。

数据总线的架构图，可实现1Gbps的高速数据传速

在读写方面，在4G数据预读的同时，还会进行2路交错的动作加速数据的传送。还有在在数据位宽由原来的32Bit扩大到现在64Bit，然后根据传输速度的高低，芯片内部的电压调节器进行电流调整以及电压电压变动抑制，减少了信号的抖动，1Gbps下的 抖动从420ps降低到280ps，这样就实现了1Gbps的高速数据传速。■

终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

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