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nand存储颗粒封装尺寸 国产主控已达国际先进水准?这款芯片不容小觑
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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国产主控已达国际先进水准?这款芯片不容小觑

国内厂商在存储行业进步很快,但总体来说还是被国外公司把控。尤其是在NAND、主控等核心技术上,国内公司的竞争力还有待提升。

此前,国产SSD主控芯片的代表公司之一联芸科技在SATA接口SSD控制芯片及解决方案上取得技术突破,并通过快速成长在全球SSD控制芯片领域中占有一席之地。而近日,联芸科技展示了其最新的MAP100X系列PCIe、NVMe 1.3接口的SSD控制芯片核心技术及解决方案,全面覆盖高、中、低PCIe接口SSD市场,可全面参与全球同规格SSD主控芯片竞争。

据悉,联芸科技MAP100X系列PCIe SSD控制芯片包括三款型号:

高端型号:MAP1001带DDR缓存,支持8CH X 4CE;

主流型号:MAP1003带DDR缓存,支持4CH X 4CE;

高性价比型号:MAP1002不带DDR缓存,支持4CH X 4CE,支持 HMB方案。

NAND适配性:支持所有品牌3D MLC / 3D TLC / 3D QLC颗粒。

接口标准:PCIe 3.0 x 4接口。

制程工艺:均采用28nm工艺制造。

性能:以MAP1001为例(支持800 MT/s接口速度的的3D NAND颗粒):

提供高达3.5GB/s的连续读取速度,高达3GB/s的连续写入速度,高达800K的随机读取IOPS,以及高达600K的随机写入IOPS。

该系列SSD控制芯片采用联芸科技自主研发的Agile ECC2纠错技术,支持RAID,支持端到端数据保护,支持NAND颗粒自适配技术。支持AES256/SHA256以及SM2/SM3/SM4国密算法,支持先进的电源管理等。

此外,在同等规格PCIe芯片中,联芸科技旗下产品的封装尺寸最小,可实现M.2 2280版型单面可支持4贴152 BGA封装NAND颗粒以及更小尺寸M.2 2242版型SSD产品。

编辑点评

从基本规格参数以及特性来看,联芸科技全新推出的主控芯片放在国际市场中也极具竞争力。在读写速度、封装尺寸以及技术特性支持上都达到了国际先进水准,如果能在实际产品应用中提供稳定、可靠的性能表现,并经过市场检验的话,相信会取得更加出色的成绩。

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美光推出紧凑封装型UFS 40移动解决方案:基于232层3D NAND闪存,最高1TB

美光去年推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,称可以为智能手机提供业界最强性能,包括快速启动、应用程序启动和视频下载,并在下半年开始批量生产。这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案,也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品。

今天美光宣布,开始送样增强版UFS 4.0移动解决方案,不但具有突破性专有固件功能,并采用业界领先的紧凑型UFS封装(9 x 13 mm),同样基于232层3D TLC NAND闪存技术。尺寸更小巧的UFS 4.0为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性,制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池,加上能效提升了25%,让用户在运行AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。

增强版UFS 4.0移动解决方案提供了三种容量可选,分别为256GB、512GB和1TB,提供了最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。此外,美光还提供多项专有固件更新功能,包括高性能模式(HPM)、一键刷新(OBR)和分区UFS(ZUFS)。

美光表示,其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的操作。相比前一代产品,新的增强版UFS 4.0移动解决方案性能提升一倍,为数据密集型应用带来了更出色的优化使用,用户能更快地启动常用的生产力、创意和新兴AI应用。其中在生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高40%,为用户与AI数字助手的对话提供更流畅的使用体验。

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