最新报告：NAND价格触底，已有客户甚至接受35%的价格上涨【附存储芯片市场竞争格局分析】

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近日，摩根士丹利在最新《AI产业追踪》报告中指出，存储厂商群已进入英伟达AI服务器供应链，其Re-timer产品采用PCI-E GEN 5规格，每颗报价20-30美元，预计明年上半年将正式获得采用。

另外，由于NAND价格已触底 ，群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。

近年来，全球存储芯片市场呈现稳步增长的趋势。 随着云计算、物联网、人工智能等技术的快速发展，存储需求不断增加，推动了存储芯片市场的扩大。同时，移动设备的普及和互联网的普及也为存储芯片市场带来了新的机遇。在竞争激烈的市场环境下，存储芯片企业不断进行技术创新和产品升级，以满足不断增长的存储需求。

——全球存储芯片行业竞争层次

目前，全球存储芯片市场高度集中，代表企业包括韩国的三星、SK海力士;美国的美光、西部数据;日本的铠侠等，我国企业中长江存储、长鑫存储分别在NAND Flash、DRAM市场中不断发力，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距;在NOR Flash全球市场中，我国企业兆易创新占据前三，兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT)，意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体存储产业发展的重要角色。

——全球NAND闪存领先企业技术线路分析

存储芯片有多种细分市场，以NAND Flash和DRAM存储芯片为主。长江存储作为我国NAND Flash龙头企业，完成128层NAND Flash存储芯片技术突破。Trendforce数据显示，三星、海力士、美光都计划在2020年推出128层的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC将逐步发展并成为主流。

在2018年后，中国的长江储存技术出现在世界视野中，中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在2020年第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目标第三季进入投片、年底前量产，拟用于UFS、SSD等各类终端产品，并同时出货给模组厂。

展望2024年，TrendForce预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续， 尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估2024上半年，消费电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤、显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元同比增幅分别有13.0%及16.0%。

方正证券指出，供给端加速收缩、限制低价供应，进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布，原厂出货压力将逐步缓解，NAND Flash调整周期尾声将至 。

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机构：铠侠及西部数据产能利用率将恢复至 88%，带动 2024 年 NAND 闪存产量增长 109%

集邦咨询近日发布报告，表示铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年 NAND Flash 产量同比增长 10.9%。基于目前的发展趋势，NAND Flash 涨价将持续到 2024 年第 2 季度，部分供应商希望今年可以减少亏损、降低成本，并重新开始获利。铠侠和西部数据今年 3 月产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。 TrendForce 集邦咨询进一步表示，为应对下半年旺季需求，加上铠侠 / 西部数据本身库存已处低水位，本次扩大投产主要集中 112 层及部分 2D 产品，有望在今年实现获利，并进一步带动 2024 年 NAND Flash 产量提高 10.9%。

本文源自金融界AI电报

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