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nand介质 NAND存储复苏这一小而美赛道“熬出头”

发布时间 : 2024-10-12

作者 : 小编

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NAND存储复苏这一小而美赛道“熬出头”

该公司1月营收为历史同期次高、SSD主控芯片出货量同样实现历史同期次高。1月NAND市场整体需求持续回升。企业级SSD市场、NAND原厂积极推动涨价，市场上的企业级SSD价格已经大幅上升。

NDNA存储芯片龙头公司群联2月7日公布数据，2024年1月合并营收50.86亿元新台币，同比增长超过75%，为历史同期次高。此外1月SSD主控芯片出货量增长37%，同样实现历史同期次高，其中PCIe SSD主控芯片出货量年增75%，刷新纪录。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，功耗低、重量轻、性能佳，同时它是一种非易失性存储技术，断电后仍然能保存数据，非常适合作为便携设备的存储器来使用。SSD即固态硬盘（Solid State Disk），是以NAND闪存介质为主的一种存储产品，现已广泛应用于笔记本电脑、台式电脑、移动终端、服务器和数据中心等场合，在很多应用场合可以直接替换机械硬盘。

群联长期深耕于闪存控制器芯片这一细分领域，是全球NAND主控芯片以及存储解决方案领导厂商。

数据显示，。群联CEO潘健成表示，。换言之，目前群联也很努力跟各存储应用领域的客户商谈沟通全年度的需求状况，希望能通过预先的规划，提升未来季度在满足市场需求的供货顺畅度。

潘建成强调，企业级SSD市场、NAND原厂积极推动涨价，力求扭亏为盈，市场上的企业级SSD价格已经大幅上升 。群联因掌握相对具有竞争力的企业级SSD产品组合，因此客户对企业级SSD方案询问程度大幅增加，这一现象对群联未来季度营收贡献预期将有正面助力。

这并非群联首次释放积极信号。回顾该公司近半年以来其数次表态、动作，结合行业其他公司动向，我们可以清楚看到，NAND的市况正逐渐变好：

（1）2023年7月-2023年8月：NAND价格底出现

该阶段，NAND闪存芯片库存水平仍然很高，但价格已跌破制造商底线，NAND原厂陆续以扩大减产规模的方式全力推动价格止跌反转。另外，期间出现部分NAND控制芯片急单需求，反映市场逐步出现回温讯号。

（2）2023年9月-2023年10月：NAND市场价格起涨

期间下游客户处于补库存需要开始备货，NAND迎来首波涨价。潘健成表示，9月SSD模组出货量持续回温，显示系统客户因库存水位回到正常水位、或低于正常水位，加上NAND市场价格回稳起涨态势明确，开始陆续回补库存。

2023年9月份，摩根士丹利在最新《AI产业追踪》报告中指出，由于NAND价格已触底，群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。

（3）2023年11月-至今：NAND迎量价齐升格局

群联指出，2023年11月SSD控制芯片总出货量持续回温，其中，PCIeSSD控制芯片总出货量年成长将近40%，创历史同期新高纪录。整体NAND储存位元数总出货量的年成长率，也超过80%。

2024年1月29日，潘健成透露，近期NAND Flash需求正逐月增加，几乎每个容量规格都有缺货，未来两个月报价还会出现不小的涨幅。潘健成认为，AI应用会推动NANDFlash的需求量，而以AI相关设备来说，手机因为出货量多，比PC的驱动力来得大些。

该阶段，西部数据对客户发出涨价通知信，并预期未来几季NAND芯片价格累计涨幅可能比当前报价高达55%，涨幅惊人。此前三星已调升NAND报价10%至20%，并决定24Q1-Q2再调涨报价20%，目标在24H1逆转市场。

华鑫证券表示，本轮NAND涨价热潮锐不可挡，加上部分需求回温以及客户端启动库存备货，量价齐升有望逐步反映。

本文源自科创板日报

V-NAND到底是个啥？三星970EVO Plus强悍性能的背后

当我们在聊固态硬盘的时候，我们到底在聊些什么？经历了十数年的行业发展后，固态硬盘的技术规范和产品形态上逐步实现了统一，各家产品的差异已然上升到了内部架构和核心组件方面的技术代差上了。

简单剖析，固态硬盘产品的内核无外乎三大组件，用于调控整体存储功能和特殊机制的“大脑”即主控芯片，产品内部制作成本最高、担当存储重任的闪存颗粒，以及部分产品上用于产品支撑的缓存颗粒。

至于重要性而言，一举打破存储行业格局，让固态硬盘走入千家万户的存储介质，即闪存颗粒部分，可以说是区别固态硬盘好坏的最重要的内核组件。今天，笔者就以业界知名的三星970EVO Plus为实例，简单聊下关于闪存颗粒的技术和功能演变。

01 关于NAND闪存：单位电荷数Bit的变迁

NAND闪存，按照业界一般的理解，本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其中非易失性的突出特点，使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据，最终使得NAND闪存颗粒走向了前台；其实，熟悉闪存的朋友，可能还听过另一个词，即Dram颗粒，即动态随机存取存储器，同样是基于通断电的特性，只不过DRAM芯片的每次存储数据的过程中需要对于存储信息不停的刷新，无法实现长久存储，因而错过了这次“C位出道”的时机。

三星原厂NAND闪存颗粒

NAND闪存工作的原理是通过单位NAND内部电荷数Bit的通电和放电，实现对数据的存储。基于无机械结构的电荷存储优势，NAND闪存技术能够提供包括高性能、稳定、耐摔耐磕碰、一体成型故障率低等多种特点，迅速成为了各家存储厂商研发的重点。

因而，为了进一步提升NAND闪存容量，满足用户对于大容量存储的需求，在以三星、东芝、Intel等领先的NAND原厂推进下，研发出了不同电荷数Bit的多种NAND颗粒，即为SLC(1bit）、MLC（2bit）、TLC(3bit)、QLC(4bit)以及处于实验阶段即将量产的PLC（5bit）等类型。

不同颗粒类型的bit数分布

可随着单位电荷数Bit的堆叠，带来了两个后果，一是单位电荷Bit的增加对于半导体工艺制程的要求越来越高，从50nm制程一路升级到14/15/16nm制程，半导体制程工艺越来越无法满足更多单位电荷数Bit的堆叠了；二是单位电荷数Bit的堆叠，会在狭小的NAND闪存内部产生大量的干扰电流，严重影响闪存产品的性能和寿命。

02 三星V-NAND技术：从平面到垂直的创新性探索

为了解决单位堆叠的带来的电荷干扰问题以及半导体工艺的瓶颈，三星创新性的提出了在原有制程的基础上将NAND闪存以3D堆叠的形式，封装在NAND闪存之中，一方面解决了在平面的狭小空间内多个电荷数排列产生的电子干扰问题，保证了产品的质量和性能；

全球首款V-NAND技术产品

更为重要的是，解决了工艺制程无法推进容量提升的瓶颈，用3D堆叠替代2D平面排列，让NAND闪存以垂直的形式进行排列，进而提升了总体的容量。

V-NAND和普通2D NAND

朴素的理解就是，此前的NAND闪存就像在单位面积的地基上盖平房，平房的容积是恒定的，要想提升入住人口，只能无下限的降低单位容积率，其后果就是制造工艺和电磁干扰；

而V-NAND技术诞生之后，2D的平房变成了3D垂直的楼房，理论上只要高度不限制，单位面积的地基上的可利用容积几乎等同于无限，即避免了制程工艺的瓶颈又解决了电磁干扰的问题。

01 V-NAND技术是三星970EVO Plus强劲性能的有力支撑

三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。

而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用三星全新V-NAND技术研发的旗舰级产品，基于V-NANDND技术在容量和稳定性上巨大优势，搭配着三星自研的Phoenix主控，使得三星970EVO Plus的性能实现了超越。

根据官方提供的数据，三星970EVO Plus最大读取性能达到了3500MB/S，最大写入性能也达到了3300MB/S，几乎达到了消费级固态硬盘的巅峰水准。作为一款推出了数年的旗舰级固态硬盘，在即将踏入存储新纪元的当下，依旧没有任何一款同级别的PCIE3.0固态能够在性能上实现对970EVO Plus的绝对超越。

实测性能

这背后的原因，无外乎三星在V-NAND技术上的近十年的积累，以及在此基础上进行的主控配对和优化。

多说一句，随着PCIE4.0时代的来临，三星也将在新世代推出旗舰级980PRO固态硬盘，进而延续PCIE3.0时代的行业地位，可以预见的是，980PRO固态硬盘依旧会在V-NAND堆叠、主控性能方面实现大跨越的升级，至于三星970EVO Plus则还是会成为PCIE3.0世代下的王者存在。

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