让苹果iPhone7“飞起来”：闪迪、东芝新3D NAND闪存问世

IT之家讯 8月6日消息，日前，闪迪和东芝两家闪存厂商不约而同，宣布了旗下最新3D NAND技术的闪存芯片即将问世，速度将大幅提升，同时能耗将进一步降低。

闪迪和东芝宣布开发出了世界第一款48层3D NAND闪存，采用3bit/cell多值化技术，容量为32GB。目前，闪迪方面已经开始试产“256Gbit X3”芯片，而东芝预计将于2015年9月开始供应样片。据悉，该芯片采用了15纳米工艺，比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍，而能耗将进一步降低。并且，因为采用了3D堆栈技术，新芯片的面积将缩小，非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。

目前，闪迪和东芝是苹果iPhone6、iPhone6 Plus的主要闪存芯片供应商，而且，据消息透露，两家厂商已经基本完成了向下一代苹果iPhone6s、iPhone6s Plus第一阶段的供货任务。也就是说，明年iPhone7很可能会搭载上述两家厂商的新型3D NAND闪存芯片，这将让iPhone7在储存能力、数据传输速度上获得飞跃。

苹果被3D NAND闪存芯片的小伙伴给坑了 为了新iPhone向三星求援

【TechWeb报道】7月7日消息，据国外媒体报道，眼看iPhone 8等2017年的iPhone新品就要登场了，但新iPhone所需的3D NAND闪存芯片却因产能不足而陷入了供应不足的困境，为此苹果不得不向三星求援，希望三星能提供3D NAND闪存芯片。

按惯例，iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8在内的新品在今秋就会发布，但就在这个节骨眼上，为苹果今年的新iPhone提供3D NAND闪存芯片的供应商却产能不足，无法提供足够的3D NAND闪存芯片。

此前为苹果提供3D NAND闪存芯片的是日本东芝和韩国海力士，但让苹果始料未及的是，这两家公司的3D NAND闪存芯片产量比预期的低了30%，导致即将发布的iPhone在3D NAND闪存芯片上面临缺货的尴尬。

消息人士透露，为了避免3D NAND闪存芯片供应不足影响今年新iPhone的供应，苹果已将目光转向三星，希望三星能为其提供3D NAND闪存芯片。

这名消息人士还透露，三星的3D NAND闪存芯片技术目前比较成熟，产量也很稳定，能为苹果大规模供应。

3D NAND闪存芯片数据存储密度高，同此前的闪存芯片相比，相同的存储空间能存储更多的数据，苹果在2016年开始在移动设备中采用3D NAND闪存芯片。（海蓝）

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