韩媒担忧：镁光已威胁三星和海力士的行业领导地位

IT之家 3 月 16 日消息 据 BusinessKorea 报道，韩国存储器半导体公司三星和 SK 海力士正面临着来自竞争对手的严峻挑战，尤其是来自美国的镁光科技。

世界第五大 NAND 闪存制造商镁光 (Micron)于 2020 年 11 月开始向客户提供 176 层 NAND 闪存。三星电子 (Samsung Electronics)和 SK 海力士 (SK Hynix)甚至还不能批量生产这种新产品。此外，镁光在一月份宣布，它已经开始批量生产第四代 10nm DRAM。这也是世界上第一家能够批量生产这种 DRAM 的公司。

尽管截至 2020 年第四季度，三星电子和 SK 海力士共同占据了 DRAM 市场的 71% 市场份额 和 NAND 闪存市场的 45% 市场份额，但他们已经连续两次在产品技术上输给镁光，让后者成为新型内存技术的世界第一，这一事实反映出三星和 SK 海力士正逐渐失去其技术领先地位，因为直到一两年前，三星电子在技术上还要领先镁光两年左右。

事实上，当三星在 2018 年 7 月量产 96 层堆叠 V-NAND Flash，而且 SK 海力士在 2019 年 6 月份实现首次量产 128 层堆叠的 4D NAND Flash ，镁光则是到 2020 年的第 2 季才开始量产旗下的 128 层堆叠 NAND Flash。甚至，三星还保持了从第 1 代到第 3 代的 10 nm 级 DRAM 的全球首发纪录。不过，在当前镁光陆续取得两项产品领先之后，相关的韩国市场人士开始担忧，其韩国在内存产业的市场领先优势还能够维持多久。

IT之家了解到，技术领先缩小的原因，在于内存制程技术几乎已经达到了极限，使得领先者要进步会比后来追赶者要困难许多。三星方面至今已经投资了数亿美元的研发经费，并且花费长时间在新技术的开发工作上。但是，追赶者却可以参考三星的技术发展路线，进一步减少了在研发上的成本投资与时间。对此，韩国市场人士指出，虽然现阶段韩国企业在设备和投资方面有着竞争力。但是，这方面的竞争力正被竞争对手逐渐追赶。其中，2019 年镁光的营业利润率为 19.5%，虽低于三星的 21.6%，但却领先 SK 海力士的 10.1%。即使三星与 SK 海力士努力的提高，使得三星 2020 年的营业利益率提升至 25.8%，但 SK 海力士的 15.7% 营业利润率仍与镁光的 15.2% 表现相差无几。

IT之家获悉，除了从营业利润率来衡量各企业的竞争力之外，更令韩国业界担心的是，目前欧美在全力发展半导体制造业的情况下，对重点发展厂商的补助计划。尤其镁光所生产的内存一直被美国视为重要的战略科技产品，因此美国政府将会对镁光进行更加优惠的补助措施。而根据韩国工业联合会（Federation of Korean Industries）在 2020 年 6 月所发布的报告显示，中国中芯国际在 2014 年至 2018 年期间获得了中国政府补助的金额，占其总销售金额的 6.6%。而美国政府对镁光的补助也占其总销售金额的 3.3%。但反观韩国的三星和 SK 海力士方面，从韩国政府获得的补助则分别仅为 0.8% 和 0.5%。这使得竞争对手更加有实力在技术研发方面进行投资，也使得韩国企业面临着更大的竞争压力。

紫光64层NAND FLASH亮相，离三星还有多远？

来源：内容来自网络整理，谢谢。

在2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据存储在线报道称，这是紫光集团旗下长江存储推出的第二代64层3D NAND，也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示，长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存，明年开始逐步提升产能，预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。

（图片来源：存储在线）

回顾此前的一些消息，2018年，长江存储就公开了发布其突破性技术——XtackingTM。长江存储称，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，及更短的产品上市周期。当时也有消息显示，长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。

另外，据观察者网之前的报道显示，目前长江存储即将于今年年底量产的64层Xtacking 3D NAND的存储密度仅比竞品96层的3D NAND低10~20%。而下一代，长江存储将直接跳过96层堆叠，直接进入128层堆叠的研发。

按照长江存储这个发展势头来看，它作为3D NAND的新秀的确取得了令人瞩目的成绩。而它距离世界领先水平，还有多远？

在3D NAND市场上，英特尔，镁光，三星，SK海力士、东芝、西部数据一直处于这个领域上的领先地位。在每个供应商都采用不同的方法来扩展3D NAND。

（来源：中国闪存市场）

据semiengineering的消息显示，在价格和竞争的双重压力下，3D NAND供应商们正准备迎接新的战斗，竞争下一代技术。众所周知，3D NAND通过设备中堆叠的层数来量化。随着更多层的添加，位密度增加。据闪存市场的统计显示，从技术方面上看，2019上半年三星、东芝存储器、西部数据、镁光、SK海力士等原厂仍以64层/72层3D NAND生产为主，从下半年开始将向96层3D NAND技术过渡，并积极向下一代100层以上3D NAND技术发展。

下面，让我们一同关注下，这些国际厂商在3D NAND上的一些动态：

SK海力士：6月26日，SK海力士宣布推出业内首款128层TLC 4D NAND Flash，生产效率提高40%，容量为1Tb，而且正在开发下一代176层4D NAND，预计将在2020年底可望投产。据悉，目前Flash原厂主要是集中提高96层3D NAND，SK 海力士推出的128层4D NAND是目前业界最高的垂直堆叠高度，具有超过3600亿个NAND单元，每个NAND单元存储3位元（TLC）。

三星：8月6日，三星宣布推出了首个100+层且单栈（Single-stack）设计的第六代V-NAND，并已开始批量生产基于该技术的250GB SATA SSD，还计划从2020年在韩国平泽工厂扩大第六代V-NAND生产，以确保其在业界的领先地位。三星第六代V-NAND是继其推出90层以上V-NAND后仅13个月所推出的新一代V-NAND。据悉，三星是利用独特的“通道孔蚀刻”技术，新的V-NAND在之前的9x层堆叠结构上增加了大约40%。这是通过建立一个由136层组成的导电模具堆，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，创建统一的三维电荷阱闪光（CTF）单元来实现的。

镁光：镁光去年开始就扩建他们在新加坡的Fab 10工厂，扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转换，并且保持和现在一样的晶圆产量。据悉，新建的无尘工作时能够生产更多堆叠层数，存储密度更大的闪存。据IT之家消息显示，目前新扩展出来的工厂正在进行设备安装，预计今年下半年将投产96层的3D NAND产品。据闪存市场消息显示，镁光第三代96层3D NAND已进入量产，下一代将向128层3D NAND推进，是64+64层的结构，从Floating Gate浮栅向栅极技术(Replacement Gate)过渡，并继续使用阵列下的CMOS架构，未来也将发展至200层堆叠。

东芝&西部数据：3月7日消息，东芝和合作伙伴西部数据日前宣布，已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开发，预计商用名会是BiCS-5。据悉，BiCS-5理论容量密度提升约33%，晶片容量为512Gb(64GB)，计划2020年到2021年期间商用。性能方面，BiCS-5芯片采用单Die四矩阵技术，写速相较于两矩阵翻番，达到132MB/s。这个速度怎么理解？就是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。

英特尔：据Anandtech报道，由于闪存市场供过于求，价格不断下跌，英特尔决定今年降低NAND产量。此外在英特尔投资公告上，CEO鲍勃斯万确认了英特尔在未来一段时间不会增大产能。同时因为跟镁光的解约，英特尔将把3D XPoint/傲腾闪存的生产线转移至中国。报导指出，目前英特尔于中国大连的工厂是2010年开始投产，现在专门为英特尔生产3DNAND Flash闪存，之前也曾扩展产能。不过，现在英特尔并不打算继续投入更多钱扩建。相反地，英特尔将专注64层、96层，甚至更高数量的堆栈技术来压低单位生产成本，这也显示英特尔即将研发下一代超过100层堆栈的3DNANDFlash闪存。

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