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层nand 消息指SK海力士加速NAND研发，400+ 层闪存明年末量产就绪

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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消息指SK海力士加速NAND研发，400+ 层闪存明年末量产就绪

IT之家 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，

2026 年二季度正式启动大规模生产 。

SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。

▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存

按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年 ，明显短于业界平均水平。

IT之家注： 从代际发布间隔来看，美光从 232 层 NAND 闪存到 276 层用时 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。

韩媒在报道中还提到，SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将采用不同于现有“4D NAND”的整体结构 ：

SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC（P eri U nder C ell，单元下外围）技术，将外围控制电路放置在存储单元的下方，较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间。

而 SK 海力士未来的 NAND 将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，此后采用 W2W（晶圆对晶圆）形式的混合键合技 术，将这两部分整合为完整的闪存。

换句话说，SK 海力士也将采用类似长江存储 Xtacking、铠侠-西部数据 CBA 的结构设计。

报道指出，SK 海力士已在着手构建 NAND 混合键合所需的原材料与设备供应链，正对混合键合技术与材料进行新的审查；此外三星电子也考虑在下一代 NAND 生产中应用混合键合 。

美光进一步推进业界首款176 层NAND 与1αDRAM 技术创新

2021 年 6 月 2 日，中国上海——内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司)。今日发布多项产品创新，涵盖基于其业界领先的 176 层 NAND及 1α (1-alpha) DRAM 制程的内存和存储创新产品，并推出业界首款面向汽车应用的通用闪存 (UFS) 3.1 解决方案。这些最新产品由美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 在台北国际电脑展COMPUTEX 2021 主题演讲中发布，体现了美光通过内存和存储创新加速数据驱动洞察的愿景，从而助力数据中心和智能边缘的创新。Mehrotra 先生还在演讲中深度分享了计算创新愿景，以及内存和存储在帮助企业充分发挥数据经济潜能方面的核心作用。

美光宣布量产其首批基于全球首款176 层 NAND 的 PCIe® 4.0固态硬盘 (SSD)，并将于本月出货全球首款基于 1α节点的LPDDR4x DRAM。LPDDR4x 是第四代低功耗 DRAM 的最新JEDEC 标准，由于输入/输出 (I/O) 电压性能增强，功耗大幅降低，因此非常适用于移动计算设备。美光于今年年初实现在 DRAM 和 NAND 技术上同时领先业界，此次新产品的推出进一步巩固了其领先地位。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra 指出：“随着人工智能和 5G 技术日益普及，数据在后疫情时代将会释放出巨大潜能。这也为加速创新以满足客户需求创造了机会。今天我们推出多款新型内存和存储解决方案，可以助力大型数据中心服务器、速度更快的客户端设备以及智能汽车边缘等领域的加速创新。”

Micron PCIe 4.0 SSD 产品线解决更为复杂的客户端应用需求

美光最新的固态硬盘 Micron 3400、Micron 2450 具备设计灵活、高性能、低功耗等特点，可支持从专业工作站到超薄笔记本应用的全天候使用。Micron 3400 固态硬盘提供 2 倍读吞吐量，最大写吞吐量提高了 85% ，可满足实时 3D 渲染、计算机辅助设计 (CAD)、游戏、动画等要求严苛的应用需求。Micron 2450 固态硬盘最大限度发挥了PCIe 4.0的性能，为用户提供高响应速度体验，且提供三种外形尺寸，最小仅为 22x30mm 的 M.2规格，为客户产品设计赋予极大的灵活性。

AMD 企业副总裁兼客户端业务部总经理 Chris Kilburn 表示：“AMD 是业界首个采用 PCIe 4.0 桌面处理器并提供芯片支持的公司。随着 AMD 所支持的平台生态系统不断扩大，我们很高兴看到美光等合作伙伴在扩展其PCIe 4.0 SSD 产品线。通过与顶尖内存和存储厂商美光合作，我们将持续致力于把 PC 性能与效率提升到新的高度。”

得益于先进能效，Micron 3400 和 Micron 2450 已被列入 Intel® Modern Standby Partner Portal Platform 器件清单，且满足 Intel Project Athena® 开放实验室的 SSD测试要求。这两款 Micron SSD 也通过了 AMD 的 PCIe Power Speed Policy 和 Microsoft Windows Modern Standby 验证。

美光批量出货全球首款基于1α节点的LPDDR4x和DDR4产品

继2021年1月推出基于1α节点的DRAM产品，美光将在本月快速批量出货基于该领先技术的LPDDR4x产品。美光还完成了基于1α节点的DDR4产品在第三代AMD EPYC等数据中心平台上的验证。这些产品均在美光台湾地区先进的DRAM晶圆厂进行批量生产，其中包括新近扩建的台中A3工厂。

美光快速交付基于1α节点的内存产品推动了诸多应用的技术创新，例如服务器平台上数据密集型工作负载以及面向消费者的超薄笔记本。1α节点提高了内存能效，延长了电池续航时间，从而使笔记本电脑更加符合移动办公需求，应对居家工作与学习的应用场景。随着远程办公与在线教育日渐普及，美光与全球领先的系统供应商密切合作，以满足市场对个人电脑日益高涨的需求。美光与台湾地区领先的原始设备制造商(OEM) 宏碁(Acer) 开展深度合作，将基于1α节点的LPDDR4x和DDR4产品集成到宏碁系统中。

宏碁集团董事长兼首席执行官陈俊圣表示：“宏碁始终致力于打破人与技术之间的壁垒。我们正与美光紧密合作，在宏碁系统中引入最先进的1αDRAM制程节点，提供高性能、高能效的个人电脑，让全球各地的人们保持互联互通。”

对比上一代基于1z节点的LPDDR4x产品，1α节点制程为移动应用带来40%的内存密度提升和20%的能效提升，适用于需要长续航时间的手机应用，特别是拍摄照片和视频等需要占用大量内存的应用场景。

美光为数据密集型汽车系统提供耐用的存储产品

美光宣布送样128GB和256GB容量、基于96层NAND技术的车用UFS 3.1托管型NAND产品，为智能边缘应用带来创新。随着车载信息娱乐系统不断发展，汽车内集成了高清显示屏和基于人工智能的人机交互功能，美光UFS 3.1产品线为此类应用提供了所需的高吞吐量和低延迟性能。

美光UFS 3.1的数据读取性能是UFS 2.1的两倍，而且能够快速启动，降低了数据密集型车载信息娱乐和高级辅助驾驶系统(ADAS)的延迟。UFS 3.1的连续写入性能提高了50%，可满足3级以上ADAS系统和黑匣子应用中不断增长的传感器和摄像头数据对于实时本地存储的需求。

市场研究和战略咨询公司Yole Dédeveloppement(Yole)预计，车用NAND市场规模到2025年将增长至36亿美元，是2020年9亿美元的近四倍。随着汽车越来越倚赖软件，汽车上的数据中枢需要高性能存储，以便能够近乎实时地处理大量信息。配备ADAS的汽车目前运行的代码超过1亿行，这些代码必须被快速存储并读取，从而在边缘实现更快捷的用户体验和更迅速的决策。

高通公司产品管理高级总监Vasanth Waran表示：“现代化汽车倚赖高性能的中央运算系统来驱动数据密集型人工智能、计算机视觉和多传感器处理能力，因此需要先进的存储和内存解决方案。美光的UFS 3.1产品线经过专门设计，可满足汽车环境对可靠性和性能的严苛要求，助力汽车厂商打造更优质的个性化、自适应和环境感知型数字化座舱。高通期待继续与美光合作，为我们的汽车平台优化其领先的存储和内存解决方案。”

美光通过技术赋能计划加速DDR5的市场普及

美光在其DDR5技术赋能计划(TEP，Technology Enablement Program)方面也取得了重大进展，该计划于2020年启动，旨在加快市场对DDR5的采用，并为生态系统明年广泛使用支持DDR5的平台做好准备。目前，该计划已经吸引了包括系统和芯片服务商、渠道合作伙伴、云服务提供商和原始设备制造商在内的100多家业界头部企业的250余位设计和技术领导参与。

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