大为股份：全资子公司大为创芯主要产品为NAND、DRAM存储两大系列

金融界11月3日消息，大为股份在互动平台表示，其全资子公司深圳市大为创芯微电子科技有限公司是一家集研发、设计、销售于一体的存储方案提供商，主要产品有NAND、DRAM存储两大系列。闪存的全称为快闪存储器，是一种非易失性半导体存储芯片，属于存储器中的大类产品。大为创芯存储产品可广泛应用于个人电脑、车载、IDC、工业控制、医疗、轨道交通、智能电子等领域。

本文源自金融界AI电报

3D NAND存储芯片 电子设备未来的关键存储技术

随着科技的飞速发展，电子产品已经成为我们生活中不可或缺的一部分。而在这背后，存储芯片发挥着重要的作用。近年来，一种名为3DNAND的存储芯片技术正在崛起。它以其独特的三维结构，为电子设备的存储需求提供了新的解决之道。

3DNAND全称为三维非易失性存储器，是一种采用垂直堆叠技术制造的存储芯片。与传统的二维NAND闪存相比，3DNAND的优势在于其更高的存储密度和更快的读写速度。此外，3DNAND芯片的可靠性也得到了显著提高。因为它们不受传统NAND闪存中常见的皱纹和坏块问题的影响。

3D.NAND芯片的核心在于其垂直堆叠的结构，这种结构允许制造商在相同的空间内堆叠更多的存储单元，从而提高了存储密度。此外，由于3DNAND芯片是垂直构建的，因此可以更容易地实现多层堆叠，进一步增加了存储容量。

在电子产品中，3DNAND芯片的应用非常广泛，从手机、平板电脑到笔记本电脑，再到数据中心服务器，都可以看到3DNAND芯片的身影。由于其高存储密度，快速读写速度和可靠性，3DNAND已经成为下一代存储技术的理想选择。

目前，世界上最先进的3DNAND存储芯片已经达到了232层。这是由中国的顶级3DNAND制造商长江存储所研发的。这款芯片的比特密度高达19.8gbmmr，是商用NAND产品中最高的。它的出现无疑进一步推动了3DNAND技术的发展，为未来的存储市场描绘出了一幅全新的蓝图。

总的来说，3DNAND存储芯片是电子设备存储未来的关键所在。其三维结构的独特优势，使得它能够在相同的空间内提供更高的存储容量和更快的读写速度。随着技术的不断进步，我们有理由相信，未来的3DNAND芯片将会带来更多的创新和突破，引领存储市场走向新的高峰。

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