SK海力士公布第8代3D NAND闪存:堆叠层数超过300层,性能提高18%
近日,SK海力士在ISSCC 2023会议上公布了在3D NAND闪存开发方面的最新突破。SK海力士表示,一支由35名工程师组成的团队为这次演示的材料做出了贡献,带来了一款堆叠层数超过300层的新型3D NAND闪存原型。
据TechPowerup介绍,这是SK海力士第8代3D NAND闪存,容量为1Tb(128GB),具有三级单元(TLC)和超过20Gb/mm^2的位密度(bit density)。该芯片的页容量(page size)为16KB,拥有四个planes,接口传输速率为2400MT / s,最高吞吐量为194MB/s(相比第7代238层3D NAND闪存提高了18%)。密度的提升将降低制造过程中每tb的成本,终端消费者最终能从性能和容量的提升中受益。
据SK海力士介绍,第8代3D NAND闪存主要运用了五个方面的技术,包括引入三重验编程(TPGM)功能,可缩小电池阈值电压分布,将tPROG减少10%,从而提高性能;自适应未选字符串预充电(AUSP),另一种将tPROG降低约2%的方法;编程虚拟串(PDS)技术,降低通道电容负载来缩短tPROG和tR的世界线建立时间;平面级读取重试(PLRR)功能,允许在不终止其他平面的情况下改变平面的读取级别,从而立即发出后续读取命令,最终提高了服务质量(QoS)和读取性能。
SK海力士没有提供第8代3D NAND闪存的时间表,有行业人士估计,可能要等到2024年末或2025年某个时候才会上市。与此同时,SK海力士的第7代238层3D NAND闪存预计将被整合到2023年推出的新款闪存产品的生产周期里。
SK海力士宣布量产4D NAND:最高堆叠128层
在距离96层4D闪存量产8个月后,SK海力士宣布已经成功研发并量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,实现业内最高的闪存垂直堆叠密度,单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元。新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128MB),容量是96层堆叠的1.4倍。
包括SK海力士在内多家闪存厂商都研发出1Tb QLC闪存,但单颗TLC闪存1Tb还是第一次。为了实现这个指标,SK海力士应用一系列创新技术,比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术等。
SK海力士将在下半年批量出货128层1Tb 4D闪存,同时计划在2019年上半年开发下一代UFS 3.1闪存,将1TB手机所需的闪存芯片数量减半,同时将封装厚度控制在1毫米,并降低20%的功耗。SK海力士的新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率,可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级固态硬盘。
SK海力士计划在2020年上半年量产2TB消费级固态硬盘,采用自研主控和软件;16TB、32TB的企业级NVMe固态硬盘会2020那年宣布。
SK海力士的4D NAND闪存技术是2018年10月份公开的,4D指的是单芯片四层架构设计,结合3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术,后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞,有助于缩小芯片面积。利用这种架构设计,SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时,虽然增加三分之一的层数,但制造工艺步骤减少5%、整体投资也降低60%。
SK海力士下一代176层堆叠的4D NAND闪存也已经处于研发阶段,至于何时发布目前并没有确切消息。
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