三星电子计划斥资442亿元扩建西安NAND闪存生产线 月底动工

【TechWeb报道】3月14日消息，据韩联社报道，业内人士周二表示，三星电子计划扩大其在中国西安的NAND闪存芯片生产线，以满足全球对其产品不断增长的需求。

这家韩国科技巨头计划于本月底开始扩建设施。消息人士称，三星计划在未来三年内为该扩建项目投资70亿美元（约合442亿元）。

上月，该公司还批准了一项初步投资计划，拟在平泽市建立第二条芯片生产线。

与此同时，三星电子也在加强对国内设备线的投资。（小狐狸）

本文源自TechWeb.com.cn

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将与紫光一决高下，三星怒投70亿在中国开建NAND闪存，确保领先！

近日三星宣布将在中国西安开建NAND闪存产业线 ，将投资70亿美元。去年三星就为了应对NAND闪存需求高涨，就决定在西安扩建NAND闪存生产线。该产业线将在3月底开工建设。

目前三星半导体业务持续增长，其中不断涨价的内存、闪存就是三星业绩的大功臣。尤其是今年智能手机以及PC等内存、闪存方面的需求增长，导致市场供应吃紧进而涨价。现在三星已经瞄准了未来增势，开始在韩国的华城、中国的西安建工厂。由于在3D闪存方面，三星量产时间最早，领先其他厂商。现在根据三星最新的规划，64层V-NAND闪存预计会在今年底量产，这其中西安工厂也会是主产地之一。

三星希望继续巩固领先地位。三星至少还投资千亿，以巩固自己在存储芯片和下一代智能手机领域的领先地位。目前由于中国厂商开始投产内存，这就导致三星将面临更大的压力。

由于智能手机对闪存内存的需求强烈，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。其中有紫光主导的武汉存储芯片基地就已经成功推出了3D NAND闪存，整个项目预计投资240亿美元。当初紫光收购美光的梦想无法实现，收购西数硬盘的事也黄了，不过紫光现在总算可以正式进军存储芯片领域了。也就是说今年我们就有可能看到真正国产的闪存芯片了。根据规划国产存储芯片将在2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。

另外紫光未来还将在武汉、南京、成都三地建设存储芯片厂。除了存储芯片外，紫光还在逻辑IC芯片制造领域进行尝试布局，其目标就是瞄准三星、Intel等。

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