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低密度slc nand闪存一文让你看懂三星第五代V-NAND技术

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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一文让你看懂三星第五代V-NAND技术

转自天极网

今年1月底，三星电子又发大招，推出采用第五代V-NAND技术的SSD产品——三星970 EVO Plus SSD。事实上，随着新一代3D NAND技术的不断成熟，速度更快的NVMe协议的SSD固态硬盘已经成为市场主流。

以前，我们见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，3D闪存则是立体堆叠的。打个比方，如果说普通NAND是平房，那么3D NAND则是高楼大厦。简单说，在3D NAND领域，谁堆叠的层数多，谁的产品性能就更先进。

众所周知，平面NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，而且为进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺不断进步。虽然更先进的制程工艺带来了更大的容量，但容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降。

与之相比，为提高NAND的容量、降低成本，存储厂商只需要堆叠更多的层数即可。

据悉，2bit MLC每cell单元存储2bit数据只需要一两打电子，3bit MLC(也就是TLC)的每个cell单元储存。随着制程工艺的不断革新，cell单元之间的干扰现象越来越严重。

三星的V-NAND不再追求缩小cell单元，而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元，实现容量增多的目的。

传统上，SSD中使用的是浮栅极MOSFET(Floating gate MOSFET)，电子储存在栅极中，它相当于一个导体。这种晶体管的缺点是写入数据时，栅极与沟道之间会形成一次短路，这会消耗栅极中的电荷。

即每次写入数据，都要消耗一次栅极寿命。一旦栅极中的电荷没了，cell单元就相当于挂了，无法存储数据。

三星V-NAND闪存放弃浮栅极MOSFET，使用电荷攫取闪存(charge trap flash，简称CTF)设计。每个cell单元看起来更小了，但里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前的导体上，理论是没有消耗的。这种更小的电荷有很多优点，比如更高的可靠性、更小的体积。

据了解，使用CTF结构的V-NAND闪存被认为是一种非平面设计，绝缘体环绕沟道(channle)，控制栅极又环绕着绝缘体层。这种3D结构设计提升了储存电荷的的物理区域，提高了性能和可靠性。

相比传统的FG(Floating Gate，浮栅极)技术,三星NAND的电荷撷取闪存(charge trap flash，简称CTF)技术难度更小一点，因此这有利于加快产品量产。

目前，三星的3D V-NAND存储单元的层数(Layer)由2009年的2-layer逐渐提升至24-layer、64-layer，再到2018年的96-layer(层)。

参考资料：

1. https://zhuanlan.zhihu.com/p/21967038

2. https://zhuanlan.zhihu.com/p/48579501

3. https://news.mydrivers.com/1/273/273419.htm

2024年巴西低密度SLC NAND闪存市场机会及渠道调研报告

报告摘要

近年来，巴西的经济状况呈现出一定的波动和复苏趋势。从GDP增长来看，巴西经济近年有所增长。根据巴西地理统计局发布的统计数字，巴西2022年国内生产总值（GDP）达到9.9万亿雷亚尔（约合1.92万亿美元），比上年增长2.9%。2023年，巴西的GDP达到了10.9万亿雷亚尔（约合2.19万亿美元），同样实现了2.9%的增长。 2024年，巴西中央银行在5月13日上调了该国2024年的GDP增长预期，从2.05%上调至2.09%，并将2025年的增长预期维持在2%。

本文重点关注巴西市场主要的国外及巴西本土企业，分析巴西市场总体竞争格局、目前现状及未来趋势。

据QYResearch最新调研，2023年全球低密度SLC NAND闪存市场销售收入达到了0亿元，预计2030年可以达到0亿元，未来几年年复合增长率(CAGR)为0。巴西市场而言，预计2024-2030期间年复合增长率(CAGR)为xx%，高于全球的xx%，2030年巴西市场市场规模将达到xx亿元。

本研究项目旨在深度挖掘巴西市场低密度SLC NAND闪存的增长潜力与发展机会，分析巴西市场竞争态势、销售模式、客户偏好、整体市场营商环境，为国内企业出海开展业务提供客观参考意见。

目前，世界上有许多生产公司。主要的市场参与者是Toshiba、Micron、Cypress、Winbond和Macronix，市场份额约为61%。中国是低密度SLC NAND闪存最大的生产区和消费区，生产市场份额接近35%。第二名是日本;紧跟中国的生产市场份额超过23%。

本文核心内容：

p 市场空间：全球低密度SLC NAND闪存行业市场空间、巴西市场发展空间。

p 竞争态势：全球低密度SLC NAND闪存份额，巴西市场企业份额。

p 销售模式：巴西市场销售模式、本地代理商

p 客户情况：巴西本地客户及偏好分析

p 营商环境：巴西营商环境分析

本文纳入的企业包括国外及巴西本土低密度SLC NAND闪存企业，以及相关上下游企业等，部分名单如下：

p Toshiba

p Micron

p Cypress

p 华邦电子

p 旺宏电子

p 兆易创新

p ATO Solution

本文正文共7章，各章节主要内容如下：

p 第1章：低密度SLC NAND闪存定义、市场规模及发展概况等

p 第2章：巴西营商环境分析

p 第3章：行业竞争格局及竞争对手分析

p 第4章：低密度SLC NAND闪存主要企业简介

p 第5章：销售渠道及目标客户分析、巴西低密度SLC NAND闪存进出口情况分析

p 第6章：行业发展趋势及影响因素分析

p 第7章：报告结论

一文让你看懂三星第五代V-NAND技术

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