长江存储年底量产64层堆栈3D NAND闪存，与国外差距缩小到2年

来源：超能网

前不久紫光公司推出的纯国产SSD的消息刷遍了网络，爆料称该系列SSD容量128GB到1TB，使用的是国产联芸科技的主控以及紫光自产的64层堆栈TLC闪存，P/E寿命可达1500次，这已经是相当高的水准了。不过爆料的紫光SSD也有很多蹊跷之处，紫光公司随后找媒体删除了相关报道，并不愿意声张此事。对国内NAND闪存来说，最有希望的还是长江存储公司，日前该公司联席CTO程卫华表示今年底量产64寸堆栈的3D NAND闪存，市场分析称这样一来国内的NAND闪存与国外的技术差距就从之前的三四年缩小到了两年左右。

这里要说一点，虽然都是紫光集团旗下，但是紫光存储跟长江存储并不是一回事，紫光存储就是那个做U盘、SSD及磁盘阵列的公司，主要做终端产品，长江存储虽然也算是紫光旗下的，不过这是紫光收购武汉新芯科技之后的公司，紫光控股，但公司还是独立运营的，他们主要是做NAND研发、生产，未来他们可能是紫光存储产品的NAND供应商，但紫光存储并不是只有长江存储的闪存可用，去年紫光存储跟英特尔达成了战略合作，推出的很多存储产品使用的其实是英特尔的闪存。

长江存储这边去年就已经研发成功了32层堆栈64Gb核心容量的的NAND闪存，并且少量生产用于U盘等产品，但32层64Gb容量的NAND闪存已经没有竞争力了，长江存储此前公布的目标是今年量产64层堆栈的3D NAND闪存。

日经新闻报道称，长江存储联席CTO程卫华日前在中国国际半导体技术大会表示该公司的生产正如期进行，与全球供应商的合作关系照旧。他说这番话的背景是因为另一家存储芯片厂商福建晋华因为合作火爆联电在台湾挖人而与美光公司交恶，惹上了侵权知识产权的麻烦，而晋华公司也被美国政府制裁，美国的半导体设备厂商不能再给福建晋华公司供应生产设备，导致公司运转停止。

程卫华表示该公司决不允许员工侵犯知识产权或者窃取其他公司机密，已要求公司员工签署承诺书，不能把非法资料带入公司。

此外，对于担心长江存储入局NAND闪存会带来产能过剩、低价竞争等问题，程卫华还表示公司不会大举扩产让市场供过于求。

长江存储今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，Bernstein Research半导体分析师Mark Li表示如果64层堆栈NAND闪存量产，长江存储与国外厂商的技术差距可望从3、4年缩短到2年左右。

长江存储交付192层NAND芯片？5年时间，国产就追上三星、美光了

近日，外媒报道称，国产存储芯片大厂长江存储已经向客户交付了自主研发的192层的3D NAND闪存，在今年年底前将会大规模交付。

我们再结合前段时间的消息，那就是长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

这两则消息一结合，意味着国产存储芯片，真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。

要知道目前NAND闪存最高规格也就是UFS3.1，至于UFS4.0，三星都还只提出个概念，没有量产交付，预计是年底甚至更晚

而3D NAND闪存当前最高量产层数，也就是192层，美光两早两天推出了232层，但也没有规模量产，预订要到年底或更晚才会量产交付。

而我们一旦搞定UFS3.1，再搞定192层NAND闪存，就证明国产NAND存储芯片，就达到了世界顶尖水平。

长江存储是2016年7月份成立的，至今也就5年多时间，但直到2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品。

到2019年，长江存储推出了64层TLC技术，当时三星、美光等厂商，已经推出了128层的NAND闪存。

后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术，然后跳过了96层这个阶段，直接从64层堆叠，在2021全面进入到128层堆叠。

不仅如此，采用Xtacking技术后，长江存储的128层堆叠的NAND闪存，在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准，性能甚至略胜一筹。

不过三星、美光在2021年已经能够推出192层堆叠的NAND闪存了，总体来讲，还是落后一代，而层数越高，密度越大，成本就越低。

如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。

按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4%，预计到再到2022年预计的7%。

可见，仅仅5年多时间，国产内存就从0起步，真正追上了国际顶级大厂，以后再也不用担心在内存芯片上被卡脖子了， 因为我们不仅有，一样全球领先。

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