三星 v nand V-NAND到底是个啥？三星970EVO Plus强悍性能的背后-快讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

三星 v nand V-NAND到底是个啥？三星970EVO Plus强悍性能的背后

发布时间 : 2024-10-10

作者 : 小编

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V-NAND到底是个啥？三星970EVO Plus强悍性能的背后

当我们在聊固态硬盘的时候，我们到底在聊些什么？经历了十数年的行业发展后，固态硬盘的技术规范和产品形态上逐步实现了统一，各家产品的差异已然上升到了内部架构和核心组件方面的技术代差上了。

简单剖析，固态硬盘产品的内核无外乎三大组件，用于调控整体存储功能和特殊机制的“大脑”即主控芯片，产品内部制作成本最高、担当存储重任的闪存颗粒，以及部分产品上用于产品支撑的缓存颗粒。

至于重要性而言，一举打破存储行业格局，让固态硬盘走入千家万户的存储介质，即闪存颗粒部分，可以说是区别固态硬盘好坏的最重要的内核组件。今天，笔者就以业界知名的三星970EVO Plus为实例，简单聊下关于闪存颗粒的技术和功能演变。

01 关于NAND闪存：单位电荷数Bit的变迁

NAND闪存，按照业界一般的理解，本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其中非易失性的突出特点，使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据，最终使得NAND闪存颗粒走向了前台；其实，熟悉闪存的朋友，可能还听过另一个词，即Dram颗粒，即动态随机存取存储器，同样是基于通断电的特性，只不过DRAM芯片的每次存储数据的过程中需要对于存储信息不停的刷新，无法实现长久存储，因而错过了这次“C位出道”的时机。

三星原厂NAND闪存颗粒

NAND闪存工作的原理是通过单位NAND内部电荷数Bit的通电和放电，实现对数据的存储。基于无机械结构的电荷存储优势，NAND闪存技术能够提供包括高性能、稳定、耐摔耐磕碰、一体成型故障率低等多种特点，迅速成为了各家存储厂商研发的重点。

因而，为了进一步提升NAND闪存容量，满足用户对于大容量存储的需求，在以三星、东芝、Intel等领先的NAND原厂推进下，研发出了不同电荷数Bit的多种NAND颗粒，即为SLC(1bit）、MLC（2bit）、TLC(3bit)、QLC(4bit)以及处于实验阶段即将量产的PLC（5bit）等类型。

不同颗粒类型的bit数分布

可随着单位电荷数Bit的堆叠，带来了两个后果，一是单位电荷Bit的增加对于半导体工艺制程的要求越来越高，从50nm制程一路升级到14/15/16nm制程，半导体制程工艺越来越无法满足更多单位电荷数Bit的堆叠了；二是单位电荷数Bit的堆叠，会在狭小的NAND闪存内部产生大量的干扰电流，严重影响闪存产品的性能和寿命。

02 三星V-NAND技术：从平面到垂直的创新性探索

为了解决单位堆叠的带来的电荷干扰问题以及半导体工艺的瓶颈，三星创新性的提出了在原有制程的基础上将NAND闪存以3D堆叠的形式，封装在NAND闪存之中，一方面解决了在平面的狭小空间内多个电荷数排列产生的电子干扰问题，保证了产品的质量和性能；

全球首款V-NAND技术产品

更为重要的是，解决了工艺制程无法推进容量提升的瓶颈，用3D堆叠替代2D平面排列，让NAND闪存以垂直的形式进行排列，进而提升了总体的容量。

V-NAND和普通2D NAND

朴素的理解就是，此前的NAND闪存就像在单位面积的地基上盖平房，平房的容积是恒定的，要想提升入住人口，只能无下限的降低单位容积率，其后果就是制造工艺和电磁干扰；

而V-NAND技术诞生之后，2D的平房变成了3D垂直的楼房，理论上只要高度不限制，单位面积的地基上的可利用容积几乎等同于无限，即避免了制程工艺的瓶颈又解决了电磁干扰的问题。

01 V-NAND技术是三星970EVO Plus强劲性能的有力支撑

三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。

而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用三星全新V-NAND技术研发的旗舰级产品，基于V-NANDND技术在容量和稳定性上巨大优势，搭配着三星自研的Phoenix主控，使得三星970EVO Plus的性能实现了超越。

根据官方提供的数据，三星970EVO Plus最大读取性能达到了3500MB/S，最大写入性能也达到了3300MB/S，几乎达到了消费级固态硬盘的巅峰水准。作为一款推出了数年的旗舰级固态硬盘，在即将踏入存储新纪元的当下，依旧没有任何一款同级别的PCIE3.0固态能够在性能上实现对970EVO Plus的绝对超越。

实测性能

这背后的原因，无外乎三星在V-NAND技术上的近十年的积累，以及在此基础上进行的主控配对和优化。

多说一句，随着PCIE4.0时代的来临，三星也将在新世代推出旗舰级980PRO固态硬盘，进而延续PCIE3.0时代的行业地位，可以预见的是，980PRO固态硬盘依旧会在V-NAND堆叠、主控性能方面实现大跨越的升级，至于三星970EVO Plus则还是会成为PCIE3.0世代下的王者存在。

随机性能提升超过53% 三星970 EVO Plus 250G评测

伴随着3D NAND技术的逐渐成熟，64层的闪存颗粒产量开始稳定，以及M.2接口的普及，固态硬盘开始步入高速大容量的时代，作为行业的领导品牌之一，三星在技术上一直走在整个行业的前列，每款产品均得到市场和用户的绝对认可。

近日，三星推出了全新的970 EVO Plus，在市面上的64层3D NAND的固态硬盘开始普及的时候，三星970 EVO PLUS采用了全新的9X层 V-NAND 3-bit MLC颗粒，并且搭载了三星最新的Phoenix控制器，随机写入性能大幅提升，下面我们就来看看这款全新的970 EVO PLUS的实际表现如何吧！

在外观上，三星970 EVO Plus依然采用经典的外观设计，采用M.2 2280规格设计，需搭配支持NVMe协议的主板进行使用，同时小巧的身材，能够有效提升整机的空间利用效率，不论是组装台式机还是升级笔记本电脑都是非常的便捷。

本次评测三星970 EVO Plus容量为250GB，并且还有500GB、1TB、2TB的容量规格可选，能够满足不同用户对于硬盘容量大小的需求。

三星Phoenix控制器

这款970 EVO Plus为上代970 EVO的升级款，从外观上来看的话和上代产品基本没什么出入，但是全方位升级的970 EVO PLUS，使得这款固态硬盘在随机写入性能上得到了大幅提升，综合提升超过53%，随机写入对于专业的软件来讲的话拥有非同寻常的意义，对于视频编辑用户来硬盘的顺序读写和非线性的随机读写性能尤其重要，对于工作效率的提升有重要的意义，对于某些专业的从业者来讲，三星970 EVO PLUS显然是一个更好的选择。

下面我们就来用实际的性能测试检测一下这款处理器的性能表现。

首先是大家比较熟悉的CrystalDiskMark，这款软件是一款测试硬盘综合的性能的软件，通过实际的测试我们可以看到，三星970 EVO Plus的随机读取成绩为3585.3MB/S，性能表现优异，而随机写入成绩为2379.9MB/S，相对上代970 EVO (250GB)提升53%，性能提升非常明显。

接下来是ATTO Disk Benchmark，在这款软件中，我们同样可以看到，三星970 EVO Plus的测试成绩为2362MB/S，性能相对于上代970 EVO(250GB)提升53%，性能表现非常突出。

下面我们使用了AS SSD Benchmark，这款软件有两个单位供大家参考，最终的成绩我们可以看到在4K随机读写以及随机写入成绩为2087.12MB/S，大幅领先上代产品，并且在4K随机读写上，这款SSD同样拥有极其出色的表现。

Fastcopy是一款速度非常快的文件拷贝软件，这款软件通常是用来拷贝大型文件使用的，同时也被很多的发烧友用来测试硬盘或者移动存储设备的性能，在这里我们使用了拥有大量碎文件游戏包进行测试，最终我们可以可以看到每秒9.94个文件的速度，着实表现优秀。

编辑总结 ：三星970 EVO Plus采用全新的9X层 V-NAND 3-bit MLC颗粒，同时搭配Phoenix控制器，让这款固态硬盘的性能表现非常出色，超过3500MB/S的随机读取成绩以及2379MB/S的随即写入成绩让这款SSD成为市面上最顶级的SSD产品之一，能够带给专业视频内容作者以及顶级游戏发烧友非同一般的疾速性能体验。

同时M.2 2280的规格设计，让这款970 EVO Plus在体积上更具有优势，能够让用户的轻松组建性能主机或者升级笔记本电脑等。如果你是一位追求速度的发烧友或者专业用户的话，那么全新的三星970 EVO Plus绝对不会让你失望。

V-NAND到底是个啥？三星970EVO Plus强悍性能的背后

随机性能提升超过53% 三星970 EVO Plus 250G评测

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