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nand flash下跌对紫光深夜重磅！紫光集团大举进军内存芯片，“台湾存储教父”任CEO

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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深夜重磅！紫光集团大举进军内存芯片，“台湾存储教父”任CEO

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字越少，事越大。

昨日深夜11点，紫光集团宣布组建DRAM事业群。这标志着紫光集团DRAM战略正式起航，将进一步拓宽紫光集团在存储器领域的相关布局，深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链的建设。

从行业角度看，目前全球超过90%的DRAM市场份额集中在三星、海力士、美光这三家公司手里，国内DRAM制造厂商仅有两家（尚未大规模投产），此次紫光集团进击DRAM，或将对全球DRAM市场产生深远影响。

短期看，国内DRAM厂商可能无法撼动“三巨头”的地位，但假以时日，背靠广阔的中国市场和国产替代机遇，则有望打破寡头格局。

有备而来

进击DRAM，紫光集团是有备而来。

一方面，经过多年的发展，紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础，积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。在DRAM领域，紫光集团旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品（ECC DRAM）。紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台，聚集了大量的三维闪存和DRAM的工艺研发人员，工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。

另一方面，出任DRAM事业群的董事长刁石京和CEO高启全均在集成电路及存储领域有深厚的技术积累和丰富的产业经验。两人加入紫光集团已有时日，这对理解紫光集团建设“从芯到云”的产业链也更为深刻。

公开资料显示，2018年5月起,刁石京任紫光集团有限公司联席总裁，目前是上市公司紫光国微的董事长，也是紫光展锐（计划在科创板上市）的执行董事长，同时还是长江存储的执行董事。加入紫光之前，刁石京曾任电子工业部办公厅、信息产业部办公厅部长办公室副主任，国务院信息化工作办公室综合组副组长兼机关党委副书记，工业和信息化部电子信息司副司长、司长。

素有“台湾存储教父”之称的高启全于2015年10月加入紫光集团，出任紫光集团全球执行副总裁；2016年长江存储成立后，担任长江存储的执行董事、代行董事长。他早年在仙童半导体做工程师，在英特尔内存公司担任了四年的研发部经理。1987年追随张忠谋回到中国台湾，担任台积电一厂厂长。尔后作为创始人之一成立旺宏电子，这家公司主营产品包括NOR Flash、NAND Flash。加入紫光之前，他在台塑集团旗下的DRAM存储器芯片公司任职，曾担任南亚科技（Nanya）全球业务执行副总与营运执行副总及总经理职务，2004年出任华亚科技（Inotera）总经理，2012年担任南亚科技总经理主导公司策略营运，同时并担任华亚科技董事长等职务。

作为全球存储领域资深人士之一，高启全对市场、人才、技术都有自己独到的见解。

他此前在接受中国证券报专访时表示：“我们做半导体产品，基本上不是比谁聪明，而是比谁有多少钱，有多少人，能做多少研发实验，能做得多快，这些才是最重要的。我们大概每年要有十亿美金的研发费用、三千多人的研发团队，差不多要保证每年有一百亿美元的收入，这就需要20%的市占率，这是我以前的经验。要指出的是，台湾有三、四个工厂因为做不到20%现在全部关掉了。”

“国之重器”

DRAM即动态随机存储芯片，它是主存储器（又可称为内存）的一种，区别于NAND Flash代表的外储存器（指除内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据）。

存储芯片种类（图片来自网络）

作为最常见的系统内存，DRAM具有高容量、大带宽、低功耗、短延时、低成本等特点，广泛用于PC、手机、服务器等领域，是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。而FLASH具有寿命长、体积小、功耗低、非易失性等特点和优势，广泛应用于消费电子、移动通信、网络通信、个人电脑、服务器等领域，主要用于代码存储和数据存储等，是近年来发展较快的存储器芯片产品。

在不少卖方研报中，DRAM被看作“国之重器”，其重要性不言而喻。然而，作为第一大DRAM消费市场，中国大陆却几乎没有自主产能。以2018年为例，根据智研咨询统计，中国集成电路进口额达到3120亿美元，其中存储芯片为1230亿美元（同比增长1188.99%），占集成电路进口总额的39%。

值得注意的是，受智能手机内存提升、大规模建设数据中心、物联网快速发展、汽车电子等下游需求的带动，2016年第二季度开始，存储器价格一路飙升，也让存储器在2017年成为集成电路最大细分领域。据WSTS数据，2017年全球存储器市场规模达到1240亿美元，同比增长61.5%，市场份额为30.1%。

不过，今年以来，受库存过高等因素影响，DRAM价格跌跌不休。根据集邦咨询半导体研究中心调查显示，2019年第一季度，DRAM合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%；第二季整季跌幅逼近25%；该机构近期正式下修第三季DRAM价格展望，跌幅由原先预估的10%，扩大至10%-15%。

价格下跌，令厂商态度保守，纷纷削减资本开支。集邦咨询指出，2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元，较去年缩减约10%，为近年来最保守的投资水位。在DRAM寡头市场中，由于没有新进竞争者的威胁，各供应商选择透过调整产出，来避免削价竞争。

敢于亮剑

目前，韩国的三星和海力士，以及美国美光，这三家企业占据了全球90%以上的DRAM市场份额，呈现寡头竞争格局。可以期待的是，在存储芯片领域（IDM模式），国内三位探路者已经点燃了“星星之火”。

2016年，长江存储在NOR Flash晶圆制造商武汉新芯的基础上，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资组建而成，负责国家存储器基地项目（总投资约为240亿美元）的研发、建设和运营。长江存储于2017年研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片。2018年8月公开发布其突破性技术——XtackingTM。据中国证券报记者了解，尽管32层3D NAND已有小批量生产，但大批量生产并不在长江存储的计划之内，其瞄准的是与全球巨头缩小差距，尽快追上64层甚至128层的全球领先水平。

值得一提的是，2015年紫光集团试图以230亿美元收购美光，借此进入DRAM和三维闪存领域，但最终未能如愿。

2016年5月，长鑫存储在安徽合肥成立。2017年10月，主营产品包括NOR Flash的A股公司兆易创新发布公告，与合肥市产业投资控股有限公司签署合作协议，约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目，项目预算约为180亿元。今年5月15日，长鑫存储董事长朱一明表示，公司已累计投入25亿美元研发费用，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。

福建晋华于2017年2月落地晋江，该项目规划面积594亩，一期总投资370亿元，主要建设12英寸DRAM晶圆生产线，产能规模为月产6万片内存晶圆；二期将新增6万片内存晶圆产能规模。在技术路径上，将首先依托联华电子集团共同开展产品研发和制程设计，达到一期项目产品要求后，转入自主建设研发体系、自主开发新世纪产品，持续跟进全球内存制造前沿技术。遗憾的是，2018年10月，福建晋华被美国商务部列入“实体清单”。在今年1月25日的声明中，晋华表示，已向美国商务部最终用户审查委员会提交信函，声明公司准备递交正式申诉。

现在，DRAM制造领域又添国产“新面孔”，紫光集团将在发展壮大我国存储芯片产业的道路上担当重任。

刁石京此前接受中国证券报专访时表示：“事实上，中国在全球信息产业发展过程中已经做了巨大贡献，由于我们的加入，促进了整个产业的竞争，极大地降低了信息产品的价格，才让全世界人民，特别是低收入国家的老百姓，有机会用上很多信息产品，比如智能手机。通过这些产品的使用，极大程度缩小了数字鸿沟。”

编辑：王寅

存储器产业低迷，各大厂商如何过冬？

据微信公号“芯师爷”（ID：gsi24-xinshiye）12月25日消息，经过两年多的涨价潮，DRAM的风光不再，10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%。今年第四季DRAM价格正式反转向下，11月合约价甚至出现二次下跌的状况，预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。

根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）的分析，2018年NAND Flash供应商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。由于淡季影响，加上市场库存水位仍高，供过于求的情况只会更加显着，预估第一季NAND Flash合约价将再进一步走跌，跌幅约10%。

事实上，从今年第1季度以来，NAND Flash价格就止不住下滑了，其第3季度行业产值仅为170亿美元，环比只增长了4.4%，NAND闪存价格却降了10-15%。

三星/SK海力士/美光纷纷减产

12月24日，根据韩国媒体报道，三星电子第4季营运表现恐不如预期，将较去年同期呈现下滑。韩国当地分析师预期，截至12月底的一季，韩国科技巨头三星电子的营业利润为13.9万亿韩元 (123亿美元 )，去年同期为15.1万亿韩元（133.6亿美元），降幅为7.6%。三星电子第3季的营业利润为17.57万亿韩元（155.5亿美元）。

SEMI预计，与今年相比，韩国半导体公司的资本支出明年将减少34.7%。根据最新报告，明年内存芯片制造商的资本支出预计将下降19%，而不是此前预测的增长3%。DRAM方面预计下降23%，NAND Flash方面预计下降13%。三星电子可能会减少对平泽的P1和P2设施以及华城的S3的投资。

另一边，SK海力士在此前的2018Q3财报会议上亦表示，将调整在2019年第1季末开始量产NAND Flash快闪存储器的M15工厂产能，以降低SK海力士对DRAM的依赖。而位于无锡的C2工厂，也将把原来2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生产制程，优化成1xnm(10nm后期)的产品，以降低生产成本，并将在2019年第2季量产。至于，以生产NAND Flash快闪存储器为主的M11工厂，则将把2D NAND Flash转换为生产3D NAND Flash，也是因为就生产成本来进行的考量。

除了三星本季营运表现不如预期，美光财年第1季财报表现也堪忧，在DRAM与NAND Flash产品销售同步衰退下，季营收滑落至79.13亿美元，毛利率59%，每股纯益2.97美元。

美光宣布将调降明年资本支出，缩减12.5亿美元降至95亿美元，因应市场需求减少下，减少芯片的产量，三大存储器大厂拉响警报，存储器产业前景蒙上阴霾。

面对存储器产业低迷，三大厂商除了采取减产措施以外，还在积极拓展其他业务。三星方面，积极研发新存储技术，比如MRAM；同时还加大了对车轨MLCC的生产。SK海力士方面，正在加大晶圆代工业务，比如11月增资1000万美元无锡晶圆代工厂。美光方面，为了应对产业低迷的状况，以15亿美元收购英特尔股份并全资控股IF Flash，继续研发3-D XPoint技术。

除以上三大厂商外，其他存储厂商也都会受到波及，比如中国大陆的紫光存储。

紫光/群联报团取暖

在全球存储器产业表现低迷之时，12月24日，群联电子与紫光存储科技有限公司在北京签署战略合作协定，将在存储产品供应链、产品设计、代工生产等领域全面深化合作，建立密切的合作伙伴关系，充分发挥各自行业优势，促进双方业务发展和产品延伸，实现生态共赢。

紫光集团旗下长江存储和武汉新芯的快速崛起，将成为大陆首家最快量产64层3D储型快闪存储（ NAND Flash）指标厂。从今年长江存储正式产出38层的3D NAND Flash开始，紫光集团就入股多家快闪存储控制芯片公司，一度传出群联也在收购名单之列，但双方价格一直没谈妥，不过群联也支持长江存储的芯片，协助进行测试，进而导入在IC芯片卡应用。

群联这次和紫光存储签署战略合作协议，就是看好大陆全力发展自主存储产业的商机。根据这次的协议，双方将深化开展生产、销售存储产品与服务层面的合作，打造完整、高效的商业链条，着力联合开发创新存储产品，协作开拓全球市场。

群联董事长潘健成坦言，透过双方合作，可全面发挥资源和能力互补优势，打造共赢的业务生态。

供应链指出，紫光集团明年将正式跨入NAND Flash产业，且明年下半年就能进入到64层的3D NAND量产，脚步相当迅速，由于NAND Flash必须搭配控制IC才能使用，因此紫光集团的新产能就成为群联抢先合作的目标。

南亚科/华邦电面临冲击

台厂在这一波存储器产业面临衰退的情况中，恐将面临严格的冲击，南亚科11月合并营收12.07亿元，月减19.7%，创13个月来单月营收新低，累计前十一个月合并营收178.5亿元；因DRAM出货量及价格下滑，南亚科调整第4季单季销售量，将较上季减少约15%，无法达成原预期的持平目标。

华邦电11月合并营收8.98亿元，月减3.22%，年减10.12%，创9个月新低；旺宏11月合并营收6.8亿元，创7月以来低点，月减21.8% ，年减7.4%。

研调机构看淡存储器产业，集邦科技预估，第4季DRAM价格跌幅超乎预期，平均售价下跌近8%，明年第1季DRAM合约价格跌幅扩大，预估将达10%以上， NAND Flash价格也是下跌。

面对价格下跌及需求趋缓的双重隐忧，业内人士担忧台厂相关存储器厂的营运恐将面临更大的压力，从南亚科、华邦电及旺宏11月营收表现来看，第4季到明年首季，可能面临相当大的挑战。

存储器产业低迷，你怎么看？

DRAM内存降价已是必然，内存大厂也纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止，降价的势头也同样比预期更狠。与此同时，NAND Flash产能超出预期，以致市场供过于求，价格连续走跌。

南亚科总经理李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲观，供应商端也理性控制产出，不认为明年在报价上会有剧烈的波动，中美贸易战之国际局势将是影响市场的最大关键因素。

李培瑛分析，全球电子产品走向智能化，存储器是最关键的零组件，需求面没有太悲观。供给方面，DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化，尚不会有急剧跌价的问题，明年DRAM价格预计出现合理的调整，估计会持续缓跌一季或者二季。

十铨科技总理理陈庆文表示，目前看DRAM、NAND Flash明年价格将双双跌价，价格跌幅都恐达三成，预计明年上半年价格跌势较为明显，明年第三季起，随着5G带动服务器需求，产业有机会触底反弹，明年下半年价格有机会逐步止跌。

陈庆文指出，当下要维持营运成长的确具有挑战性，但往往跌势之际是危机也是契机，看好因为价格下跌将刺激需求爆发，尤其SSD的单位价格将快速与传统硬盘拉近，最快明年下半年将出现黄金交叉，SSD的需求正式超越传统硬盘，预期明年第三季度，随着QLC NAND Flash良率稳定之后，供应量将会明显提升，届时对于市场的价格也会带来影响。

威刚董事长陈立白曾表示，明年DRAM因主要芯片制造商增产有限，价格仍会持稳;NAND Flash受各大厂军备竞赛未歇，预料价格跌幅不亚于今年，预期NAND Flash上游厂明年有一半以上无法赚钱。

还有业内人士认为，虽然存储器价格下滑趋势确立，但预估此次下滑趋势应不超过 18 个月，英特尔 14 nm x86 CPU 短缺状况应会于2019年中之前改善，10 nm x86 CPU 应于2019年下半年量产， AMD 7 nm x86 CPU, 7 nm挖矿机及智慧手机，5G 手机都将于2019年出笼取代中低阶机种及对存储器半导体产生正面影响。因此预估大多数的存储器半导体公司会面对营业利润率从近50%的高档下滑，但却不至于步入亏损。

对于国内企业而言，面临的处境更加严峻。随着存储器产业周期调整，中国厂商将有可能错失这一波市场机遇。加之存储器市场竞争愈发激烈，前期如果没有价格优势，国内厂商很难实现快速抢占市场份额。针对这种情况，国内厂商也在尝试不同的产品形态，如紫光的隐式指纹安全U盘、武汉新芯的特种工艺等。

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