nand flash读写过程一线品牌旗舰NVMe SSD横评：都是原厂闪存，为何有差距？-快讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand flash读写过程一线品牌旗舰NVMe SSD横评：都是原厂闪存，为何有差距？

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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一线品牌旗舰NVMe SSD横评：都是原厂闪存，为何有差距？

对于高端NVMe SSD市场来说，各家大厂的争夺也是异常激烈，每家各显神通，对产品都有着不同的策略和定位。这给消费者的选购也带来了一些困惑，官方公布的数据非常接近，但实际性能是不是都一样？于是，本期的对比横评应运而生，我们选择了4款热门的高端NVMe SSD进行横向对比评测，他们分别是：三星970 EVO、东芝RD500、西部数据SN750、英特尔760P，这几家也都采用了各自的原厂颗粒，而且价格区间也比较接近。我们通过理论测试、应用测试以及极限测试，来还原每款产品的最真实本质，到底哪一款才是满足你使用需求的那颗菜？

选择的这4款产品都是目前的热门产品，但他们却各有特色，并且为了发挥出产品的最强性能，我们都选择了1TB容量的版本，这4款产品分别是：

三星970 EVO ，前上一代消费级TLC固态硬盘中的热点产品，因为产品更新，价格有所回落，与其他固态硬盘价格更为接近。三星这款固态硬盘采用的是64层的V-NAND，总写入量达到1200TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3500MB/s、连续写入2500MB/s，随机4K读取500K IOPS，随机4K写入480K IOPS。

西部数据WD_BLACK SN750，也是市场上关注度较高的SSD产品。它采用自家的3D NAND TLC闪存颗粒和主控，总写入量达到600TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3470MB/s、连续写入3000MB/s，随机4K读取515K IOPS，随机4K写入560K IOPS。

Intel 760P，2018年年初诞生的产品，因为其性能在当时属于顶尖水准而且价格能够接受，并且凭借Intel的口碑以及品质也是得到众多用户的青睐。它颗粒采用自家的64层3D-NAND闪存颗粒，总写入量在576TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3230MB/s、连续写入1625MB/s。随机4K读取340K IOPS，随机4K写入275 IOPS。

东芝RD500，最近刚刚发售的全新产品，推出后就在网上口碑很好,是PCIe Gen3*4规格的新晋旗舰产品，之前低一个级别的RC500在同类型产品中有着出众的表现，广受好评，而作为更高阶的RD500。RD500的存储颗粒以及主控单元依然都是使用的是东芝原厂芯片，采用96层3D BiCS FLASH技术。总写入量600TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3400MB/s、连续写入3200MB/s。随机4K读取640K IOPS，随机4K写入600K IOPS。

测试方向&测试平台

针对不同固态硬盘的性能差异，我们主要通过理论性能测试、实际使用测试，极限读写测试，温度这四个方面，对4款固态硬盘的进行全面考量。

为了保证这里横评的4款固态硬盘可以说代表了当前市场上最强的固态硬盘，测试平台不能太差，因此选择i9 9900K搭配华硕M11H作为测试平台上，具体配置如下。

理论性能测试

常规跑分测试

首先是使用AS SSD Benchmark，CrystalDiskMark这两款软件,在默认设置下对固态硬盘的最大连续读写、4K随机读写进行测试。

首先从AS SSD Benchmark得分而言，RD500获得了最高的分数，主要强在它的4K-64性能，分数达到了6475分，几乎高出了第二名的SN750 1000分，970 EVO第三，760P最后。

而在使用CrystalDiskMark这款软件进行测试后，测试的结果基本类似。在顺序读写上，只有Intel 760P有明显的差距，其他固态硬盘之间的差距较小。而在更重要的4K随机读写上，东芝RD500的多线程4K随机读写能力更强一些，这也说明AS SSD Benchmar评分机制中4K随机读写的成绩会占较大比重，因为在日常应用中4K也最经常被使用到。

在这个环节中，主要是验证了固态硬盘均达到了官方给出了最大指标，，接下来还需要进行更详细的测试，来对比四款硬盘的性能。

空盘SLC缓存测试

在TLC 硬盘中，为了解决TLC NAND Flash自身读写较慢的问题，厂商为TLC固态硬盘配备了SLC Cache缓存空间，一旦这个缓存使用完，往往就会出现断崖式降速。而上面在默认情况下使用AS SSD Benchmark CrystalDiskMark这些常规固态硬盘跑分软件无法反应出硬盘降速问题，测试出来的成绩其实都是在测试SLC Cache的性能，从某种意义上来说，SLC Cache的综合性能代表了固态硬盘最本质的性能，因此这里就使用HD Tune分别对4块硬盘的缓冲容量大小以及缓外速度进行测试。

首先来看下三星970EVO的测试结果，它的缓存容量约为43G，缓内速度约为2400m/s，而缓存外的写入速度达到了1300M/s。

对于WD_BLACK SN750来说，它的缓存容量一直是个弱项，缓存仅有13G，缓内速度2750m/s，缓存速度缓外略高于三星，速度约为1500M/s。

接着就是东芝RD500，它的的缓存容量约为41G，稍弱于三星970EVO，但缓内速度约为2900M/s，比三星西数都要高一点，而缓外速度是1000M/s。

最后是英特尔760P，缓存容量约为10G，缓内速度仅有1500M/s而缓外速度仅有900M/s左右，后期写入速度也发生了明显的掉速，是所有产品里表现最差的。

东芝RD500与三星970EVO可以说在这个环节里处于伯仲之间，两款固态硬盘都拥有40GB以上的缓存容量，东芝RD500拥有最快的缓内速度，缓外速度略低于三星970 EVO。而西数SN750的缓存容量偏小，仅有约13GB，与前2名的SLC缓存容量差距较大，但缓外速度达到1500M/s，算是也能弥补一些SLC缓存容量偏小的问题，英特尔760P的成绩依然垫底。

80%占用SLC缓存测试

接下来我们还将进行更为激进的测试，我们给4块硬盘分别填入800G的文件，让固态硬盘的占用在80%左右，以简单模拟长时间使用后硬盘空间减小的情况，看看在这种情况下，固态硬盘的缓存大小，缓存速度和缓外速度会发生怎样的变化。

首先还是对三星970EVO进行测试，它缓存容量下降到只剩5GB，看出其采用动态缓存设计，缓内速度约为2400m/s，而缓存外的写入速度依然有1300M/s左右。

WD_BLACKSN750的缓存容量依然为13G，是固定缓存设计，缓外速度略微降低2700m/s左右，缓存速度缓外速度约为1500M/s左右。

东芝RD500的缓存容量约为24GB，缓存速度约为2600M/s，而缓外速度依然为1000M/s，可以看出它与三星970 EVO相同，采用了动态缓存设计，但与三星的机制不同，SLC缓存依旧比较大，这对RD500的性能也会有一定的帮助，可以弥补外存外速度不高的问题

英特尔760P的缓存容量下降到了5GB，缓存速度仅有1500M/s而且缓外速度仅有850M/s左右，表现依旧是最差的。

在填入800G数据后，除了WD_BLACK SN750表现比较稳定外，外其余3款SSD均发生不同程度的波动，主要都是缓存容量发生变化。

东芝RD500和三星970EVO 空盘状态下均为缓存大小基本一致，可填入数据后线东芝RD500的缓存容量依然还有24GB，而三星970EVO 却发生大幅下降，这可能和东芝RD500的缓存策略有关，在有限的空间内，RD500会尽可能调用剩余空间提供足够大的SLC 缓存，以保证硬盘能够长时间高速运行，这也从侧面说明，东芝对于自家颗粒的寿命是否有自信。就从这一环节表现来看，RD500的缓存性能策略是要好于三星的。而760P缓存容量下降为原来的一半，同样仅有5G左右的缓存容量。

极限读写测试

通过上面针对SLC缓存的测试，我们也非常期待在实际的环境下这些固态硬盘的表现是否也向上面测试结果表现出来的一致，我们将分别测试四款固态硬盘在空盘以及80%占用下进行拷贝40G/60G单个大文件，拷贝26G碎文件以及解压47G游戏压缩包的速度。

40G/60G单个大文件拷贝测试

测试文件是单个大小约为40G/60G的压缩包，模拟拷贝大文件写入场景（例如：游戏压缩包、高清视频素材等），主要是测试固态硬盘持续写入的能力，其中固态硬盘的缓存大小以缓外速度会对最终的测试成绩产生较大的影响。

这个测试结果也印证了我们之前HD Tune对于SLC缓存的测试结论。在拷贝40G文件时，得益于东芝RD500最大的SLC缓存容量和最快的缓内速度，在这个环节中排名第一，而西数SN750因为缓存偏小，但缓外速度，紧接其后位于第二。而三星970 EVO虽说同样拥有43G的大缓存，在空盘时表现不错，不过随着使用容量增加缓存容量下降的较快，在80%占用的情况下，拷贝用时有所增加，位于第三位。而Intel 760P的性能始终不太理想基本处于倒数第一。

而在将拷贝文件增加至60G后，SN750的综合成绩基本和RD500差不多，这也是因为拷贝文件已经超过RD500的最佳性能区域，有部分文件是在以缓外速度进行写入，而SN7501500M/s的缓外速度占了一些优势，，不过在日常使用中，对于绝大部分用户来说大文件的拷贝频率一般不会太高。

26G碎文件拷贝测试

这里选择测试的碎文件是由Windows系统文件以及游戏原文件组成的碎文件包，与上面的大文件测试不同，主要是对硬盘的4K随机写入能力提出要求，可以一定程度模拟游戏及大量文件转移时的情况。

在这个环节中，空盘状态下除了Intel 760P，其他固态硬盘均保持21s左右完成26G文件的写入，要领先760P 30s。而在80%占用后，WD_BLACK SN750，东芝RD500以及三星970 EVO，成绩非常接近，分别差距2秒，而英特尔760P因为自身读写速度不足，稳定处于最后一位。

47G压缩包解压测试

测试用的游戏压缩包是《地铁离去》的游戏原文件压缩包，所有压缩包文件大小在47G左右，游戏压缩包放置在测试硬盘内，并解压到同一个文件夹中，这种情况下固态硬盘的读取与写入能力会同时影响到解压用时。

在游戏解压环节上，三星，东芝，西部数据固态硬盘之间的差距都非常小，不过三星970EVO以相对微弱的优势处于这个测试的第一。综合看来三星，东芝，西部数据属于这项测试的第一梯队，垫底依然是Intel 760P。

实际使用测试

游戏加载测试

现在的游戏文件越来越大，打开游戏会涉及大量文件的读取，硬盘的读取能力会直接影响到游戏体验。因此这个环节通过测试游戏的加载时间来看看四款固态硬盘的成绩。游戏测试这里是选择今年发行的两款顶配游戏，众生平等：《刺客信条：奥德赛》以及显卡杀手：《地铁：离去》两款游戏在1080P分辨率下均无脑开启最高特效（地铁关闭光追）分别记录《刺客信条：奥德赛》第一存存档点和《地铁：离去》伏尔加河关卡的加载时间。

在游戏中，四块固态硬盘，无论是空盘还是80%占用下，游戏加载上均保持非常相近的成绩，而且4款SSD无论是空盘还是80%占用，都不会对游戏体验造成明显的影响，可以保持体验一致性。

PSB文件使用测试

在游戏之外，进行图片内容创作创作也是很多用户在电脑中会使用到的，这里我们使用Photoshop对硬盘的性能进行测试。由于一般简单PS修图对硬盘的读写性能要求并不高，可在使用PS制作海报时，工程文件动辄数G，原文件的打开与保存会耗费大量的时间，于是这里准备了一个大小约为2.7G的PSB海报工程文件作为固态硬盘的读写测试文件，分别测试硬盘的固态硬盘在空盘与80%占用下的打开与保存速度。

在打开PSB文件上，四款硬盘的在相同状态下的差距不大于2s，完全可以认为4块硬盘打开PSB文件的性能非常接近。而在保存PSB文件上，唯有三星970 EVO在80%占用后发生了显著变化，用时在40s以上，比其他硬盘要慢上5s。

综合上诉实际使用测试，在空盘状态下四款固态硬盘的成绩都基本趋于一致，实际表现并没有非常明显的区别，可以说现阶段的高阶TLC固态硬盘已经都能够完全胜任这些基础软件操作和应用场景，即便是面对众生平等奥德赛和显卡杀手地铁逃离这种级别的大型游戏文件，这款4款固态硬盘应对起来都是绰绰有余。

表面温度

在这个环节中，使用热成像仪记录4块固态硬盘在待机状态下的温度以及长时间拷贝文件的极限温度。主机是直接裸露在外，为了加快测试过程，主板上会同时插上两块固态硬盘，因此下面的热成像图片会有两种背景。由于热成像仪器在记录银色金属主控时会触发识别误差，因此在RD500的主控位置盖上一张纸片，以避免热成像设备触发BUG。

在待机状态，四款固态硬盘的温差在41度到53度之间，最高温度都集中在主控位置。其中SN750温度最高，待机状态下主控温度达到53度。接着是760P待机温度为48度。970 EVO与待机温度均为45度，位列第二，而RD500待机温度最低，仅有41度，是待机温度最低的固态硬盘。

在满载测试的情况下，三星970EVO与西数SN750主控的温度最高，三星970EVO的温度更是达到99度，作为上一代的老款旗舰，温度确实太高了，SN750的温度也来到92度。而东芝RD500的最高温度78度左右，最高点依然处于主控位置。温度最低就是Intel 760P，主控温度仅有72度，比西数要低20度，当然性能低温度也低。

结论

测试到这里，相信各位对这4块固态硬盘的性能有了自己的看法，接下来我们就逐个分析和复盘。因为这4块固态硬盘都是目前市面上的旗舰产品，自然有他优秀的地方，所以接下来的横评结论会从理论性能、实际应用等多个维度给出综合点评。

三星970 EVO 这是上一代旗舰产品，不过在性能上，毫无疑问依然属于目前旗舰水平，能够跟上最新旗舰产品的节奏，但详细对比后会发现，在一些细节上已经落后于现在的新款产品，例如最高读写速度，缓存速度而这些落后的项目中，最为突出的就在于高达99度的主控温度，在电脑机箱内想要找到比他更高的芯片还真有点难度。如果在夏天，持续高负载读写下主控温度破百不是问题，作为日常使用时，还是考虑为其增加散热片，增加使用时的稳定性，这也是消费者需要考虑的一个重要环节。

东芝RD500 一款刚上架不久的新旗舰级产品，采用96层3D BiCS FLASH堆叠技术、东芝原厂颗粒的产品，在硬件技术上是领先的。此外RD500的，整体性能也是可圈可点的，无论在理论测试还是极限测试环节中都有多个项目领先，依托于优秀的SLC Cache缓存机制，以及最大的43GB的缓存空间和最高的缓内速度，在最经常用到的中小型文件读写场景下有着非常明显的优势，再加上较低的主控温度表现。目前阶段，从数据上综合来看RD500是很值得选购的旗舰NVMe SSD产品。

西部数据WD_BLACK SN750 在综合性能表现上，SN750无论是日常游戏、内容创作的表现都是比较稳定的。也是因为得益于其固态缓存的设计，不过约13GB的缓存容量在目前的各类旗舰NVMe SSD中来说有些捉襟见肘，但其拥有1500M/s的缓外速度也能作为缓存容量不足的补充，另外一个缺点就是相对较高的主控温度，这个需要消费者后期自己额外购买第三方散热片，或是选择价格更高的EKWB版本，但如果这么做性价比就相对不高了。

Intel 760P 算是4款测试产品中“年龄”最大的固态硬盘了，在很多测试环节中，成绩都排在最后一名，面对现在使用新技术的固态硬盘，760P的极限性能确实有些招架不住。不过之所以知道他的成绩垫底，也是因为进行了日常使用比较少见的极限性能测试，而在常规使用环境下，相信也没多少玩家会像我一样天天去拷贝数百G的文件，更何况他的温度表现是四款固态硬盘中最优秀，软件体验也是一致。所以真的落到实际使用时，760P会更适合在笔记本上使用，只要入手的价格合适也不是不能选择。

每款产品代表着每个厂商在推向市场时都有自己的策略和定位，在选择能满足自己需求，同时又能以比较小代价得到的我们就称之为高性价比，这也是本文想要阐述的观点，希望能为近期想要选购高性能NVMe SSD的玩家们一些启发和借鉴。

NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？

得益于5G、大数据、云计算、物联网、人工智能等新兴产业的快速发展，存储器需求呈现倍数增长，发展空间广阔。其中，NAND Flash作为半导体存储器第二大细分市场，自然也备受关注。

回溯NAND Flash的历史

经历了半个世纪发展的半导体存储技术，如今已逐渐成熟，其衍生出的存储技术中包括Flash技术。

Flash技术分为NAND Flash和NOR Flash二种。虽然NOR Flash传输效率很高，但写入和擦除速度很慢，容量也较小，一般为1Mb-2Gb，常用于保存代码和关键数据，而NAND Flash能提供极高的单元密度，可达到高存储密度，适用于大量数据的存储。NAND Flash具有写入、擦除速度快、存储密度高、容量大的特点，也因此迅速成为了Flash主流技术。

NAND Flash技术自问世以来，已经积累了近40年的发展底蕴，并已成为存储器第二大细分市场。按存储单元密度来分，NAND Flash可分为SLC、MLC、TLC、QLC等，对应1个存储单元分别可存放1、2、3、4bit的数据。目前NAND Flash主要以TLC为主，不过QLC比重正在逐步提高。

值得一提的是，被提出很多年但一直没有商用落地的PLC终于露出水面。

今年8月初，SK海力士旗下NAND闪存解决方案提供商Solidigm在闪存峰会上展示了全球首款正在研发的PLC（五层单元）SSD。与QLC（四层单元）SSD相比，PLC SSD可在每个存储单元内存储5bit的数据。

NAND闪存从SLC、MLC、TLC、QLC及PLC一路走来，容量逐步上升，可市场更关心的是性能、可靠性、寿命、成本等问题是否也可以跟着优化。据Solidigm介绍，在相同的空间内，使用PLC SSD存储数据量可增加25%，可以用来解决固态存储未来的成本、空间和能耗等问题。该款SSD将首先用于数据中心产品，具体发布和上市时间待定。

从闪存结构来看，为满足各时期的市场需求，NAND Flash技术已从2D NAND升级到3D NAND，再到4D NAND。

时光追溯到1987年，时任日本东芝公司工程师岡本成之提出的一项发明彻底改写了人类信息时代的面貌，即2D NAND。当时东芝（2019年更名为铠侠）虽占据NAND Flash市场先机，但东芝战略重心偏向DRAM市场，忽略了NAND Flash的发展潜力。之后，英特尔和三星迅速加入市场，推出了2D NAND产品。

随后，全球厂商都围绕着2D NAND进行研发，随着2D NAND的线宽已接近物理极限，3D NAND应运而生 。

2007年，东芝推出BiCS类型的3D NAND。2D NAND的含义其实是二维平面堆叠，而3D NAND，顾名思义就是立体堆叠。3D NAND的到来，让NAND Flash技术直接从二维升华到三维的密度。

按英特尔的说法，2D NAND就像在一块有限的平面上建平房，这些平房整齐排列，随着需求量不断增加，平房的数量也不断增多，可面积有限，只能容纳一定数量的平房。相较于2D NAND，3D NAND则可以在同一块平面上建楼房，楼层越高，容量也就越大，在同样的平面中楼房的容积率远远高于平房，提供了更大的存储空间。可见，随着市场对存储性能需求的提升，2D NAND过渡到3D NAND是大势所趋的。

3D NAND自2007年进入大众视野后，2014年正式商用量产 。

2013年，三星推出第一代V-NAND（三星自称3D NAND为V-NAND）闪存。据三星介绍，V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。虽然该款堆叠层数仅为24层，但在当时却打破了平面技术的瓶颈，并使3D NAND Flash从技术概念推向了商业市场。

2014年，SanDisk和东芝宣布推出3D NAND生产设备；同一年，三星率先发售了32层MLC 3D V-NAND，这也意味着3D NAND正式商用化。继三星之后，美光也实现了3D NAND商用化。凭借其在容量、速度、能效及可靠性的优势，3D NAND逐渐成为行业发展主流。

3D之后，4D NAND悄然来临 。SK海力士在2018年研发的96层NAND Flash已超越了传统的3D方式，并导入4D方式，该款也成为了全球首款4D NAND Flash。

据了解，4D NAND技术是由APlus Flash Technology公司提出，其技术原理是NAND+类DRAM的混合型存储器，采用了“一时多工”的平行架构，而3D NAND只能执行“一时一工”。若一到十工同时在4D闪存系统执行时，其速度会比3D NAND快一到十倍。虽然相比3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。不过，目前市面上还是以3D NAND为主。

从平房到摩天大楼，各大原厂的谋略

随着应用领域和使用场景愈发多样化，市场对NAND Flash的要求也随之提升，譬如想要更高的读写速度、最大化的存储容量、更低的功耗和成本等。可采用二维平面堆叠方式的2D NAND已经不再能满足市场的需求，这一切也促使NAND厂商必须谋定而后动，之后便沉下心来埋头研发，NAND Flash结构也从平房蜕变到摩天大楼。

采用三维平面堆叠方式3D NAND虽大大增加了存储空间，但如何突破3D NAND层数瓶颈，堆叠更高的摩天大楼，一直是市场的焦点，也是NAND厂商研发的痛点。在此之下，一场有关NAND Flash的层数之争已持续数年，NAND厂商早已吹响冲锋集结号，这一路也取得了不少的成就。

自2012年24层BiCS1 FLASHTM 3D NAND Flash之后，铠侠还研发出了48层、64层、96层、112层/128层。2021年，铠侠联手西部数据突破162层BiCS6 FLASHTM 3D NAND Flash。今年5月，西部数据与铠侠未来的路线图指出，预计2024年BiCS+的层数超过200层，如果一切按计划进行，2032年应该会看到500层NAND闪存。

最早在3D NAND领域开拓疆土的是韩国厂商三星。2013年8月，三星推出V-NAND（3D NAND）闪存，这也是全球首个3D单元结构“V-NAND”。之后，三星还陆续推出了32层、48层、64层、96层、128层、176层的V-NAND。2021年末，三星曾透露正在层数200+的V-NAND产品，目前暂未披露相关信息。

作为韩国第二大存储厂商的SK海力士也不甘落后，在2014年研发出3D NAND产品，并在2015年研发出36层3D NAND，之后按照48层、72层/76层、96层、128层、176层的顺序陆续推出闪存新产品。2022年8月3日，SK海力士再将层数突破到238层的新高度，该层数是当前全球首款业界最高层数NAND闪存，产品将于2023年上半年投入量产。

2016年，美光发布3D NAND，虽然发出时间晚于三星等上述几家厂商，但后期美光的研发实力不容小觑。在2020年美光抢先推出当时业界首款176层3D NAND，后又于2022年7月率先推出全球首款232层NAND，该产品现已在美光新加坡工厂量产。美光表示，未来还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。

目前从原厂动态来看，SK海力士和美光率先进入200+层时代，其中NAND闪存业界最高层数为SK海力士的238层，其次是美光的232层。主流技术NAND Flash 3D堆叠层数已跨越176层、232层、迈进238层，未来原厂还将发力200+层、300层、400层、甚至500层以上NAND技术。

在2021年IEEE国际可靠性物理研讨会上，SK海力士预测，3D NAND未来将达到600层以上。另有一些行业专家认为，3D NAND可以堆叠到1000层。可见，隔NAND Flash技术的天花板还有很高的距离。

△Source：全球半导体观察根据公开信息整理

NAND Flash未来既柳暗，又花明？

此前在5G手机、服务器、PC等下游需求驱动下，NAND Flash市场以可见的速度在增长。可今年，受疫情反复、通货膨胀、俄乌冲突等因素影响，全球形势变化多端。同时，存储器市场供需与价格波动时刻受产业发展动态影响，而作为存储器市场的主要构成产品之一，NAND Flash也不例外。

01、供需失衡

从消费端看，PC、笔电、智能手机等消费电子市场需求疲软，也影响到中上游产业链。其中，智能手机需求萎缩明显，出货量也随之减少。据TrendForce集邦咨询表示，受到传统淡季的加乘效应，使得2022年第一季智能手机生产表现更显疲弱，全球产量仅达3.1亿支，季减12.8%。

业内人士普遍认为，持续下降的最大原因是消费者使用智能手机的时间比以前更长。再加上智能手机技术更新快，新型号手机的性能与之前型号并无特别大的差距，从某种程度上看，这也降低了消费者的购买欲。

从供应端来看，TrendForce集邦咨询7月表示，由于需求未见好转，NAND Flash产出及制程转进持续，下半年市场供过于求加剧，包含笔电、电视与智能手机等消费性电子下半年旺季不旺已成市场共识，物料库存水位持续攀升成为供应链风险。因渠道库存去化缓慢，客户拉货态度保守，造成库存问题漫溢至上游供应端，卖方承受的抛货压力与日俱增。

TrendForce集邦咨询预估，由于供需失衡急速恶化，第三季NAND Flash价格跌幅将扩大至8~13%，且跌势恐将延续至第四季。

02、原厂持坚定信念

受手机与个人电脑等消费电子市场需求疲软等因素影响，美光于6月悲观预测，今年第四财季营收为72亿美元，上下4亿美元浮动，这一数据低于业界预期；又于8月再度下调第四季度业绩指引，该季度经调整营收将位于或低于此前预计的68-76亿美元区间下沿。

此前美光首席执行官Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，预计智能手机销量将较去年下降约5%，而个人电脑销量可能比去年下降10%，美光正在调整产量增长，以适应需求的减弱。不过，TrendForce集邦咨询8月在最新的研究指出，受到高通胀冲击，全球对于消费市场普遍抱持并不乐观的态度，基于周期性的换机需求以及新兴地区的新增需求带领下，智能手机生产量仍会小幅上升。

SK海力士此前也预测，由于搭载存储器的电脑和智能手机的出货量将低于原来的预测，并且服务器用存储器的需求也因客户的库存优先出货，预计下半年的存储器出货量将有所放缓。不过中长期来看，数据中心的存储器需求将持续成长。

三星、SK海力士、美光、西部数据、铠侠等存储器原厂在最新财报中均表示虽然部分市场需求疲软，但都坚定看好产业未来前景，各原厂保持坚定的信心也为存储器市场扫去部分阴霾。

据TrendForce集邦咨询最新研究显示，NAND Flash仍处于供过于求状态，但该产品与DRAM相较更具价格弹性，尽管预期明年上半年价格仍会走跌，但均价在连续多季下滑后，可望刺激enterprise SSD市场单机搭载容量成长，预估需求位元成长将达28.9%，而供给位元成长约32.1%。

结语

长远来看，NAND Flash市场前路虽柳暗，但花明。同时，NAND厂商马不停蹄地研发，今年有的再上升一个台阶，有的还在停步研发，最终谁先触抵NAND Flash层数天花板，我们静待观之。

一线品牌旗舰NVMe SSD横评：都是原厂闪存，为何有差距？

NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？

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