业内同等容量最小芯片尺寸，至讯创新512Mb工业级NAND量产

IT之家 7 月 3 日消息，国内存储芯片企业至讯创新昨日宣布成功量产 512Mb 高可靠性工业级 2D NAND 闪存芯片。

512Mb 的容量使得这款 2D NAND 闪存芯片可同时容纳系统代码和用户数据，为此后的系统代码升级留有足够空间 。

至讯创新表示，这款全新的闪存芯片在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时，对芯片尺寸做了全面优化，实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸 ，“性价比优势凸显”。

该闪存芯片支持多比特片上 ECC 纠错，拥有至高 10 万次的擦写周期 ，可在-40~+85℃的温度下工作，满足严苛工业级测试，至讯创新也正在对该芯片对应的车规级版本进行验证。

IT之家整理至讯创新近年存储产品发布信息如下：

2022 年 12 月 13 日：国内首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 闪存开发成功；

2024 年 1 月 15 日：19nm 2D NAND 闪存全面量产。

业界最高密度，西部数据预览BICS8 2Tb QLC NAND闪存芯片

IT之家 6 月 14 日消息，西部数据在前不求投资者活动上预览了 2Tb 容量版本的 BICS8（218 层） QLC NAND 芯片，这也是业界目前最高密度的闪存芯片。

该存储颗粒专为满足数据中心与 AI 存储需求设计 ，可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本，满足越来越庞大的数据存储需求。

一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成，单芯片 2Tb 意味着西数可通过 16 层堆叠提供 4TB 容量颗粒 ，为未来 128TB 乃至 256TB 量级企业级固态硬盘铺平道路。

西部数据闪存业务总经理罗伯特・索德伯里（Robert Soderbery）还在这场活动上展示了 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片实物，该芯片的长度与一个指尖的宽度大致相当 ：

索德伯里表示，该闪存新品即将正式发布。

回到 BiCS8 技术上来，西部数据-铠侠此次采用了类似长江存储 Xtacking 的 CBA 技术路线，即分别制造存储堆栈和 CMOS 控制电路，最后将两部分混合键合 。

这一模式可在提升闪存读写性能的同时，有效提升闪存整体存储密度，降低运行功耗。

具体在数值层面，西数表示，BICS8 颗粒在密度上比竞争对手高出 15~19%，其中 1Tb 版本的 TLC 颗粒拥有与对手 2xxL 1Tb QLC 颗粒相媲美的存储密度 。

而在能效方面，西部数据宣称其 BICS8 闪存在编程能耗（IT之家注：原文 Program Efficiency）方面比竞争对手低 13%。

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