芯片知识：DRAM与NAND区别

我们常听到内存芯片，比如DRAM、NAND等，这两种有什么区别呢？

1、DRAM全名动态随机存取存储器，只能短时间保存数据。为了保存数据，DRAM使用电容存储，所以必须每隔一段时间刷新一次。如果存储单元没有被刷新，存储的信息将会丢失。(关机时数据会丢失)。

2、NAND闪存是一种比硬盘更好的驱动器，是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，其目标是降低每比特的存储成本，提高存储容量。

DRAM内存年底重新涨价 NAND闪存已跌破成本

不论是全球半导体市场还是国内半导体市场，今年Q1季度都出现了下滑的趋势，根据SIA数据显示，2019年第一季度全球半导体市场同比下降了5.5%。根据中国半导体行业协会统计，2019年第一季度中国集成电路产业销售额1274亿元，同比增长10.5%，增速同比下降了10.2个百分点，环比下降了10.3个百分点。

导致这一次半导体市场下滑的原因有很多，其中一个重要因素就是NAND闪存、DRAM内存跌价，其中闪存连跌6个季度了，内存连跌2个季度了，而且跌价的幅度都超过了预期，今年Q1季度内存跌幅至少20%，导致三星、美光、SK Hynix、东芝等公司业绩大幅下滑。

存储芯片的跌价还会持续多久？消费者显然乐见继续降价，但是上游的厂商早就坐不住了，他们此前采取了削减产能等方式减少市场供应，试图缓解或者阻止内存、闪存降价。

从产业链相关厂商的表态来看，他们对内存、闪存价格重新上涨还是充满了期待的。日前威刚董事长陈立白在接受采访时对内存、闪存市场的价格做了新的预测。

根据陈立白的信息，DRAM内存价格下半年不会大跌了，Q3季度预计跌幅会收窄到10%左右，在韩国厂商带头减产的影响下Q4季度价格有望止跌反弹，也就是今年底内存又要涨价了。

闪存市场的情况有所不同，陈立白表示目前闪存依然是供过于求，而且价格已经跌破了成本价，下半年有可能继续跌，预计Q3季度跌幅超过10%，Q4季度还要降，降多少就要看市场变化了。

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