低功耗、高集成，上海贝岭BLS65R165 N型MOS管全方位解析

前言

N型金属氧化物半导体场效应晶体管（简称N型MOS管）是一种重要的半导体器件，广泛应用于集成电路中。它是一种场效应晶体管（简称FET），属于MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的一种类型。

N型MOS管的核心组成包括一块N型半导体材料，被称为源极和漏极，之间通过一层氧化物隔开。在这之上，有一个被称为栅极的金属电极。通过在栅极上加上适当的电压，可以在N型半导体中形成一个可控的导电通道，从而控制电流的流动。

N型MOS管的工作原理是通过调控栅极电场来控制源极和漏极之间的电流流动。当在栅极上施加适当的电压时，形成的电场影响了N型半导体中的电荷分布，从而改变了导电通道的导电性质。这种调制机制使得N型MOS管可以作为放大器、开关和逻辑门等各种电子设备的基本构建块。

N型MOS管在集成电路中的应用极为广泛，它们能够提供高度可控的电子器件，同时具有低功耗和高集成度的优势。充电头网了解到上海贝岭推出过一款增强型N型MOSFET管BLS65R165，目前已应用在联想170W桌面充电器之中。

上海贝岭BLS65R165

上海贝岭的BLS65R165是一款采用先进的超结技术的增强型N型MOSFET管。在其最高允许的工作温度环境下，该器件具有最大漏极-源极电压为700V，漏极电流为24A，导通电阻为135mΩ。

BLS65R165具有快速开关的特点，通过了100%电子雪崩测试，在高电压条件下的稳定性和可靠性得到了有力的保证，同时其具有改进的dv/dt性能，表现为对电压变化更敏感且响应更迅速。这意味着在应用中，它能够更有效地适应电压变化，从而提高了整个系统的性能和稳定性。

BLS65R165符合RoHS标准，符合欧洲联盟的有害物质限制指令。这意味着在其制造过程中，严格遵循了限制使用有害物质的法规，确保了产品中不含有铅、汞、镉等有害物质，从而有助于环境保护和人体健康。

这款开关管提供多种封装选择，包括但不限于TO-220、TO-220F、TO-263。此外，根据充电头网的拆解分析，还发现该LLC开关管还提供一种DFN8*8的封装，进一步满足不同应用场景的需求。这种多样性的封装选择为设计者提供了更大的灵活性，以便更好地适应各种电路和系统设计的要求。

充电头网总结

上海贝岭的BLS65R165是一款N型MOSFET管，最大漏极-源极电压为700V，漏极电流为24A，导通电阻为135mΩ。具备快速开关的特性，通过100%电子雪崩测试确保高电压条件下稳定性，以及改进的dv/dt性能，可提升电压变化下的系统适应性。BLS65R165具有多种封装选择，可满足不同应用需求，为实际应用提供更大的设计灵活性。