机构：铠侠及西部数据产能利用率将恢复至 88%，带动 2024 年 NAND 闪存产量增长 109%

集邦咨询近日发布报告，表示铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年 NAND Flash 产量同比增长 10.9%。基于目前的发展趋势，NAND Flash 涨价将持续到 2024 年第 2 季度，部分供应商希望今年可以减少亏损、降低成本，并重新开始获利。铠侠和西部数据今年 3 月产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。 TrendForce 集邦咨询进一步表示，为应对下半年旺季需求，加上铠侠 / 西部数据本身库存已处低水位，本次扩大投产主要集中 112 层及部分 2D 产品，有望在今年实现获利，并进一步带动 2024 年 NAND Flash 产量提高 10.9%。

本文源自金融界AI电报

分析师预计三星电子Q3持续减产，DS部门亏损将达4万亿韩元

IT之家 10 月 2 日消息，据韩联社，三星电子预计将在第三季度降低芯片赤字，这主要归功于芯片产量的持续削减。

KB Securities 分析师 Kim Dong-won 预测，负责“摇钱树”芯片业务的三星设备解决方案 (DS) 部门第三季度亏损将达到约 4 万亿韩元，低于去年同期的 4.35 万亿韩元。

他表示，自下半年以来，三星已将 DRAM 产量削减幅度从上半年的 20% 提高至 30%，NAND Flash 产量削减幅度从上半年的 30% 提高到 40%。

今年第一季度，三星 DS 部门运营亏损 4.6 万亿韩元（IT之家备注：当前约 249.32 亿元人民币），这也是三星 14 年来首次出现财务亏损。

Kyobo Securities 分析师 Choi Bo-young 表示，虽然减产和供需动态平衡关系已开始推高存储芯片的价格，但也将对利润造成压力。

韩华投资证券分析师 Kim Kwang-jin 预测，三星的芯片业绩将不及市场预期，因为该公司似乎需要比之前预期更长的时间才能完全恢复其芯片业务。他估计 DS 部门第三季度的亏损为 3.7 万亿韩元。

现代汽车证券研究主管格雷格・卢 (Greg Roh) 表示，到目前为止，三星减产的影响“微乎其微”，平泽园区新芯片生产线投产导致的折旧成本上升，已经蚕食了利润。他同样认为三星 DS 部门的亏损为 3.6 万亿韩元。

市场统计机构 TrendForce 表示，三星在解决产能过剩问题上的行动超出了之前的预期。三星已经采取了“决定性的一步”，将 NAND 闪存产量削减 50% 以应对需求持续疲软的情况，这可能有助于稳定芯片价格并提振未来几个月的需求。

TrendForce 还补充称：“三星大幅减产可能会引发连锁反应：其主要产品的价格可能上涨。”

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