东芝存储再见！公司更名为“Kioxia”，中文名为铠侠

7月18日消息，日本半导体制造企业东芝存储于今天宣布，将在10月1日正式更名为キオクシア（Kioxia）控股公司，中文名为“铠侠电子”，相关子公司名称也将相应更改。

Kioxia一词源于日语中表示记忆的“kioku”和希腊语中表示价值的“axia”的结合，官方通过音译给出的中文名称是“铠侠”，而实际上「キオクシア株式会社」翻译为中文就是“记忆体公司”。据官方公告称，改名后的Kioxia依旧以“记忆”技术为核心，提供相关产品和服务。

除东芝存储器本公司外，其集团下所有公司都将采用Kioxia（铠侠）这一新名称，并于同一天生效，东芝电子（中国）有限公司也将于2020年春天完成更名。东芝存储器控股公司执行总裁Stacy J.Smith在采访中表示：“很高兴公司迈出了新的步伐，继续提升在存储行业的前沿地位。以‘存储’为出发点，铠侠将与其他企业通力合作，为社会提供更多价值。”

自1987年东芝发明NAND Flash以来，一直引领着闪存技术的发展，比如最新的“BiCS FLASH 3D”闪存。随着科技不断发展，5G、人工智能与物联网技术对存储设备的需求也在不断升高，Kioxia就很有希望能担此重任，希望铠侠越办越好，带领数字社会进入全新的存储时代。

本文编辑：王稀仕

Memblaze尝鲜东芝XL-FLASH，效果如何？

Santa Clara, Calif., August 6, 2019——Flash Memory Summit2019（FMS2019）在美国开幕，Memblaze现场展出了最新的基于东芝XL-FLASH技术的超低延时 NVMe SSD存储方案以及多命名空间管理技术，并在大会技术论坛发表演讲，共同探讨最新技术趋势。

Memblaze推出超低延时NVMe SSD方案 混合读写延时27微秒

超低延时闪存是当前非常热门的技术趋势，东芝推出的XL-FLASH是超低延时存储介质的代表，读延时可以达到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze联手东芝对XL-FLASH的低延时潜力进行了深度挖掘，推出PBlaze5 X26超低延时NVMe SSD方案，并在FMS2019现场进行了首次展出。

Memblaze现场演示了PBlaze5 X26 800G开发版本的延时特性。4K随机写的延时低至10微秒，4K混合读写模式下，平均延时低至27微秒，并且在数小时压力测试中，始终保持高度一致的超低延时性能，随着研发的推进，最终产品将会降至20μs以内。

FMS2019现场-PBlaze5

PBlaze5 X26是 Memblaze 在超低延时 SSD 领域的最新探索。基于 Memblaze 核心的闪存技术，该方案在发挥 XL-FLASH超低延时性能优势的同时，还保证了高QoS，能够为企业关键业务提供快速平稳的存储服务。另一方面，相对于3D Xpoint 等 SCM介质来说，XL-FLASH具有显著的价格优势，这将助力PBlaze5 X26系列产品在市场中被快速接受，并在行业内得以广泛应用。

基于多命名空间实现多种介质精细管理

随着对闪存介质研究的深入，Memblaze对于存储介质的管理能力不断增强。Memblaze的混合介质的多命名空间管理技术，支持将DRAM、NAND 等介质划分成为不同的资源池并以命名空间的形式为应用提供服务。

这项技术在MySQL数据库场景中收益显著，Memblaze在FMS2019现场进行了演示，使用了混合介质的多命名空间管理技术的PBlaze5 不仅助力MySQL在两个小时TPCC测试中始终保持32000以上的TPMC成绩，而且没有出现性能抖动。另一方面，这项技术无需包括MySQL在内的应用改变自身运行机制，这一优势使其可以高效接入现有的企业数据中心中。

FMS2019现场-MySQL数据库场景演示

在FMS2019上，NVMe、 NVMe-oF等话题仍然保持着热度，另一方面，PCIe4.0、各类新存储介质为整个固态存储市场注入了新鲜血液，Memblaze也在不断前行，与合作伙伴共同推动企业存储市场不断前行。

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