再出手！长江存储起诉美光侵犯其11项专利

中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

长江存储指控称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

此外，2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

长江存储量产第一代32层3D NAND闪存芯片

据悉，2018年长江存储量产了第一代32层3D NAND闪存芯片，这款由团队历时2年研发成功的首款32 层三维NAND闪存芯片，实现了零的突破。该芯片广泛应用在工控领域。

2020年长江存储开发了两款128层闪存产品。

但2022年10月，美国政府发布出口管制条例，限制芯片制造设备向中国出口，同时在 12月，美国将长江存储列入出口管制实体清单。

国产存储器迈入发展新周期

据悉，NAND闪存和DRAM是存储芯片的两种主要类型，其中NAND 闪存可用于制造固态硬盘等存储设备。

闪存芯片（NAND ）是东芝的舛冈富士雄博士于 1986 年发明为非易失性存储器。闪存芯片内部电路结构采用非线性宏单元模式，具备容量大，改写速度快的优点，广泛用于需要大量存储空间的电子设备，例如固态硬盘（SSD）、智能手机、记忆卡、U 盘等。

1992 年东芝将 NAND Flash 设计授权给三星，同年英特尔也推出了第一款 NAND闪存产品。2007 年东芝率先推出基于 BiCS 技术的 3D NAND 芯片，正式开启了3D NAND 大容量时代。

如今，伴随着自动驾驶、人工智能、元宇宙等新应用在国内的落地，国内数据存储需求不断提升，对国产 NAND 存储芯片的需求也有望不断增长。

此次，长江存储向美光起诉专利侵权也有一定象征意义，不仅显示出了自身技术的领先性，也体现出国内企业在面对外界打压的顽强性。

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来源：IT之家、长江存储官网

东芯股份：SLC NAND Flash制程在国内领先，市场占有率有较大提升空间，未来库存状况可控

金融界7月5日消息，东芯股份披露投资者关系活动记录表显示，关于SLC NAND Flash，东芯股份的竞争力主要体现在产品优势，他们的SLC NAND Flash制程在国内较为领先，他们的SPI NAND Flash采用了业内领先的单颗集成技术。长期来看，海外大厂会逐步退出SLC NAND Flash市场，加上国产替代的需求，公司的市场占有率将有较大的提升空间。至于库存问题，受到存储周期的影响，公司目前的存货仍处在相对较高的水平。未来，库存状况基本可控，随着终端需求的逐步复苏，公司的库存水位会逐步趋向健康。

本文源自金融界AI电报

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