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qspi flash是nand 如何选择嵌入式产品中的存储器类型?
发布时间 : 2025-01-20
作者 : 小编
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如何选择嵌入式产品中的存储器类型?

摘要:Flash存储器是一种非易失性内存,其作为数据、系统存储的关键介质,在嵌入式系统中扮演着重要角色。常见的Flash有NAND Flash 、Nor Flash、eMMC等,本文将简单介绍不同Flash的区别及应用场景。

图1 HD6Q-CORE ARM核心板板载Flash

1. NAND Flash

按照接口区分,NAND Flash分为串行和并行两种,串行就是每次传输1 bit,并行就是每次传输多位。下图的并行Flash采用8bit的数据位宽,并配合RE/WE等读写信号进行数据的读写。串行Flash管脚较少,多采用SPI或者QSPI接口进行通信。一般来讲,并行Flash的容量要高于串行Flash。

图2 并行NAND Flash接口

图3 串行NAND Flash接口

按照颗粒密度区分,并行NAND Flash可以分为SLC、MLC、TLC、QLC等,其中SLC、MLC颗粒较为常用。

图4 SLC、MLC、TLC、QLC

第一代SLC(Single-Level Cell)每单元可存储1比特数据(1bit/cell),性能好、寿命长,可经受10万次编程/擦写循环,但容量低、成本高,市场上用的比较少;第二代MLC(Multi-Level Cell)每单元可存储2比特数据(2bits/cell),性能、寿命、容量、成各方面比较均衡,可经受1万次编程/擦写循环,目前主流的核心板厂商大都配置该类型的存储;第三代TLC(Trinary-Level Cell)每单元可存储3比特数据(3bits/cell),性能、寿命变差,只能经受3千次编程/擦写循环,但是容量可以做得更大,成本也可以更低,大多数固态硬盘的选择;第四代QLC(Quad-Level Cell)每单元可存储4比特数据(4bits/cell),性能、寿命进一步变差,只能经受1000次编程/擦写循环,但是容量更容易提升,成本也继续降低。

2.Nor Flash

NOR Flash是一种非易失闪存技术,是Intel在1988年创建。是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。按照接口区分, Nor Flash也可以分为并行和串行两种。由于并行Nor Flash易存在兼容性问题,现已逐渐淘汰,目前常用的Nor Flash通常指串行Flash,即SPI Flash,其接口定义和图3一致。

与NAND Flash相比,Nor Flash容量较低,且读写速度和擦写速度较慢。不同于NAND Flash的是,NOR Flash支持Execute ON Chip,程序可以直接在Flash片内执行,因此很适合作为嵌入式系统中的程序启动介质。

表1 NAND Flash &Nor Flash 存储介质对比表

eMMC

eMMC 本质上还是Nand flash ,数据接口支持1bit、4bit和8bit三种。eMMC=Nand flash +闪存控制芯片+标准接口封装,其内部集成的闪存控制器具有读写协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能,极大降低了Nand-flash的使用难度。

图5 eMMC架构

在嵌入式系统中,Flash除了用来存放数据,还有一个重要的功能就是存放uboot启动程序。一般来讲,系统可以直接从Nor Flash启动,而不能直接从NAND Flash启动。系统要从NAND Flash启动,则需要先将NAND Flash低4K的代码拷贝到CPU内部的SRAM中,然后从SRAM中驱动。再将FLASH剩下的代码拷贝到SDRAM中,从SDRAM开始执行main函数,启动流程如下图所示。

图6 NAND Flash启动方式

一般来讲,当主控制所需搭配的存储容量较低时(如256M、512M),通常选择Nand flash。当主控制所需搭配的存储容量较高时(如4GB、8GB甚至32GB),选择eMMC将更具性价比。

SPI-Flash是什么?使用注意事项及常见问题

一.概念:

SPI:serial peripheral interface

串行接口设备,spi flash 就是通过串行的接口进行操作的flash存储设备

flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash。这里spi flash 属于 nor flash!

spi flash 读写较慢,次数有限制,一般用于不经常更改的存储。

早期Norflash的接口是parallel的形式,即把数据线和地址线并排与IC的管脚连接。但是后来发现不同容量的Norflash不能硬件上兼容(数据线和地址线的数量不一样),并且封装比较大,占用了较大的PCB板位置,所以后来逐渐被SPI(串行接口)Norflash所取代。同时不同容量的SPI Norflash管脚也兼容封装也更小。,至于现在很多人说起NOR flash直接都以SPI flash来代称。

二、SPI FLASH读写介绍

对flash芯片的操作,一般包括对flash芯片的擦除,编程和读取,各大厂商的SPI flash芯片都大同小异,操作命令基本是没什么变化的,当我们拿到一款芯片,要特别注意芯片的容量,操作分区等。

其实,无论是对芯片的擦除,编程还是读取操作,我们大致可以按照以下的套路来:写命令---写地址---写(读)数据。正如以下的时序图一样清晰明了,我们先把片选信号拉低,再依次写指令,地址和数据,就可以对FLASH芯片进行操作。

掌握以上方法,就可以轻松操作SPI flash芯片了,当然,对时序这种底层的操作,还需要不断学习和积累,不论是用FPGA还是MCU,最终都是为了产生时序信号,只要静下来认真理解了它,一切问题就迎刃而解了。

三.注意事项

1.不同的SPI FLASH芯片可能会提供的擦除方式:扇区擦除(4KBytes),半块擦除(32KBytes),块擦除(64KBytes),片擦除。

2.不同的SPI FLASH芯片可能会提供的编程方式(也就是写数据):页编程(256Bytes),扇区编程(4KBytes)。

3.SPI FLASH如果擦除过,在往里面写0xFF这样的数据意义不大,因为它的特性就是擦除后数据就是0xFF。

4.写入flash时,只能把数据(bit)从1该为0。

5.传统的EEPROM的特点就是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或1。而写入flash时,只能把数据(bit)从1该为0。但是传统的EEPROM容量因成本的缘故收到限制,绝少有超过有512K的。

6.Nor Flash容量相对小,成本高,基本没坏块,数据线和地址线分开,可以实现随机寻址,读取任何一个字节,擦除任然要按块来擦。NAND FLASH容量大,成本低,坏块经常出现,但可以标记坏块,使软件跳过,数据线和地址线复用,按块擦除按页读取。

四、项目实操中的问题

项目中需要用到SPI flash,在使用这个4MB 的SPI flash中出了三个问题让印象深刻,特记录下来以作提醒

问题1:我们知道SPI flash也分主从模式,一般master都是有MCU等器件担当的,而slave有SPI器件担任,笔者的这个小系统同样如此。

并且MCU是自带有SPI controler,接线方式依然是四线解法,SCK,CS,DO,DI,在看手册的过程因为自己的不注意,看到描述是“user can

decide the SPICS configuration in the master mode,if P_IO_Ctrl[10] set 1, the IOA[12] as GPIO function, if P_IO_Ctrl[10] set 0, the IOA[12] as SPICS hardware function” 我当时没有好好体会这句话的意思,简单的认为我在使用SPI flash之前就k肯定需要把P_IO_Ctrl[10]设置为 0, 其实这是错误的认识。

因为现在是通过MCU对slave SPI器件操作,首先肯定是需要MCU端来选中SPI器件,从master角度来讲,只需要一个GPIO信号线接到slave的CS端,同时输出低电平就相当了选中了这个slave了,之所以如此说法是因为这是从slave角度来说的,相当于MCU现在也作为一个slave,另一个MCU控制这个slave,则这时候SPI 初始化时就需要把 P_IO_Ctrl[10] set 0

问题2:需要一个烧录器向SPI flash中烧写内容,用的是西立特公司的superPro,但烧录步骤错误了,忘记了在编程之前必须要erase,

了解了一下,好像是和nor flash一样的介质,擦除会把所有bit置1,在编程的时候根据需要只可以把相应位置0.

问题3:在使用MCU上一个SPI 控制器接口接SPI flash时,没有交叉连接,即MCU 的DI应该接SPI 的DO,MCU 的DO应该接SPI 的DI。

(21ic整理自网络,编辑:王丽英)

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