闪存业务爆发，又欲突破1x纳米制程，东芯股份未来可期？

2021年是芯片行业企业业绩“大丰收”的一年，靓丽的业绩预告一个接着一个。在一众芯片企业中，东芯股份业绩也不逊色。其业绩快报显示，2021年东芯股份营业收入11.39亿元，同比增长45.28%；净利润2.62亿元，同比增长1240.81%

科创类型的公司，不仅要看其当下的业绩，更重要的是未来，未来的技术进步，未来的市场空间。作为A股少有的存储器设计企业，东芯股份可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案。

值得一提的是，东芯股份也在积极研发先进制程的闪存产品，比如与中芯国际合作研发的1x纳米闪存项目。目前在2D NAND领域，三星电子、铠侠、美光科技的最高制程分别为16纳米、24纳米和19纳米，若东芯股份成功量产1x纳米闪存，则有望追上行业第一梯队。

业绩爆发

东芯股份业绩快报显示，2021年净利润为2.62亿元，较招股书净利润上限还高0.22亿元。对于业绩大涨的原因，东芯股份表示随着2021年市场回暖，公司产品结构持续优化，高附加值产品提升，同时规模效应逐步显现，销售毛利率提升。另外，对完成导入期的客户销售规模逐步扩大、规模效应逐步显现，使得公司闪存芯片销售规模持续扩大。

东芯股份的主要产品分为NAND、NOR、DRAM和MCP，其中NAND价格的回暖对东芯股份毛利率最为明显。2020年、2021年1-6月，NAND占上市公司总营收的比例分别为50.89%、51.32%，营收占比变化不大，但毛利率表现却迥然不同。2020年，NAND产品毛利率仅为23.02%；2021年1-6月大幅升至43.81%。

这是因为NAND价格的大幅上涨，东芯股份2020年NAND单价为4.66元/颗，2021年1-6月升至7.63元/颗，价格涨幅高达63.73%。

静待销售放量

事实上，东芯股份2021年业绩表现如此优异，也是因为产品进入放量期。芯片行业新产品销售一般需经历平台验证、产品验证及供应商认证等测试流程，所有验证通过后，方可逐步形成规模化的销售。

其中，平台验证需要3-6个月的时间，以测试产品功能、性能与平台系统的适配性；产品验证需要3-6个月的时间，以实现产品与客户整体系统的软硬件环境适配；供应商认证需要6个月-2年的时间，以评估公司是否满足技术、质量、体系、交货等要求。经历上述流程后，根据客户终端产品的销售情况，逐步放量，形成规模化销售。

华鑫证券认为，东芯股份的产品已获得广泛平台认证，期待销售逐步放量。据悉，东芯股份已与多家主控芯片平台厂商构建了生态合作，通过产品在平台厂商验证的方式，不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度，还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。

目前，东芯股份已通过高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等各大主流平台验证，进入到三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等知名客户的供应链体系。

2021-2022年，东芯股份在通讯设备、可穿戴设备等领域的大客户已完成前期导入，未来产品销售有望进一步放量，从而提升公司的持续盈利能力。

值得注意的是，随着汽车智能化、电动化的发展，汽车电子的需求与日俱增，比如辅助驾驶系统、电池管理系统等，汽车中配置的电子零组件占比越来越高。根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NAND Flash存储消费2.2亿GB，由于智能汽车领域的快速发展，预计至2024年，全球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB，2019-2024年复合增速达79.8%。

车规级存储芯片，也是东芯股份重要的发展方向。东芯股份表示，在满足客户工业级应用需求的基础上，将产品可靠性标准逐步向车规级推进，以顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展可靠性要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的国产替代目标。

要知道，车规级存储芯片在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高。对此，东芯股份认为其凭借在存储芯片领域多年的经验积累和技术储备，打造了以低功耗、高可靠性为特点的闪存芯片产品，部分产品的温控能力、使用寿命已经达到车规级要求，具备了车规级闪存产品的产业化研发能力。

闪存制程水平持续提升

芯片行业属于资本密集型、技术密集型行业，若要维持较高的毛利率水平，必须基于相应的高尖端技术。

目前，东芯股份闪存在工艺制程、部分产品性能方面已达到国内先进水平。NAND方面，长江存储已量产3D NAND，不过其主要面向大容量市场，目标市场与东芯股份有所区别。在中小容量NAND领域，目前兆易创新已量产38纳米SLC NAND 产品，由中芯国际代工。

而东芯股份38纳米、28纳米SLC NAND由中芯国际、中国台湾力晶代工；而由中芯国际代工的24纳米SLC NAND接近量产水平。另外，1x纳米SLC NAND正在开发中。

根据招股说明书显示，东芯股份的1x纳米项目便是19纳米系列产品，据了解，19纳米NAND Flash系列产品采用了国内先进的1x纳米，缩小了器件的特征尺寸，进而缩小了产品封装后的尺寸，可以满足客户的不同需求。同时，也降低了产品功耗，器件性能均得到提高。

若东芯股份能成功量产1x纳米，或有机会在工艺制程方面赶上国际第一梯队。东芯股份认为，与中芯国际合作开发生产1x纳米NAND Flash芯片，实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破，从而为将来设计更高容量、更具成本优势的产品打开空间，提供先进工艺制程的保障。

芯片制程的升级意味着在单位存储面积上的存储单元密度将会增加，制程的缩小降低了存储芯片的生产成本。从2013年开始，NAND Flash领先制程由2xnm逐渐转向1xnm，先进制程是提高存储芯片成本优势的关键。随着东芯股份产品制程的持续升级，其产品市场竞争力也将逐渐增强。

另外，东芯股份也在积极研发存算一体化芯片、DTR NAND等前瞻性产品，旨在拓展公司产品系列由通用型芯片向特色性能产品延伸。未来高技术壁垒产品有望实现更高的单价定位，优化公司产品结构，改善盈利中枢，为长期发展确立竞争优势。

作为人才密集型行业，芯片领域的人才是非常宝贵的。集成电路的研发需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争

力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。

比如在NAND产品领域，正是建立了经验丰富、底蕴深厚的人才团队，才推进东芯股份工艺制程不断演进，从38纳米升级至24纳米，并着力研发19纳米。

为了留住人才，东芯股份2月15日晚间发布股权激励计划，向符合首次授予条件的77名激励对象授予170.04万股限制性股票，授予价格为21.13元/股。

（本文不构成任何投资建议，信息披露内容以公司公告为准。投资者据此操作，风险自担。）

三星量产第五代V-NAND闪存：90层堆栈，QLC闪存在路上

2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存，以TLC闪存为主，下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存，业界首发Toggle DDR 4.0接口，速率达到了1.4Gbps，堆栈层数超过90层。此外，三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。

三星的V-NAND是3D NAND闪存中的一种，目前主力生产的是第四代V-NAND，堆栈层数64层，现在量产的是第五代V-NAND闪存，核心容量256Gb并不算高，但是各项指标很强大，它首发支持Toggle DDR 4.0接口，传输速度达到了1.4Gbps，相比64层堆栈的V-NAND闪存提升了40%。

第五代V-NAND闪存的性能、功耗也进一步优化，工作电压从1.8V降至1.2V，同时写入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代闪存提升了30%，读取信号的响应时间也缩短到了50us。

三星的第五代V-NAND闪存内部堆栈了超过90层CTF Cell单元，是目前堆栈层数最高的，这些存储单元通过微通道孔洞连接，每个孔洞只有几百纳米宽，总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以存储三位数据（这是TLC闪存）。

此外，第五代V-NAND闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30%，先进的工艺使得每个闪存单元的高度降低了20%，减少了单位之间的窜扰，提高了数据处理的效率。

除了第五代V-NAND闪存之外，三星还在扩展V-NAND闪存，准备推出核心容量高达1Tb的NAND闪存及QLC类型的闪存，继续推动下一代闪存发展。

三星目前正在加大第五代V-NAND闪存的量产，以便满足高密度存储领域——超算、企业服务器及移动市场的需求。