「推仔说新闻」长江存储压轴出场 介绍3D NAND架构Xtacking
不知道还有没有小伙伴们记得,前几天我们聊过SK海力士推出的4D闪存,当时和大家说过,如果有机会就给大家介绍一下长江储存,毕竟都是在Flash Memory Summit的Keynote上面做了报告,而且长江存储还是压轴的。
另外提一句,在上次SK海力士的新闻中,有位同学问我I/O接口速度是什么,在这里简单的说一下,I/O就是input(输入)/output(输出),对闪存芯片来说I/O接口速度就是引脚带宽。
下面回到正文,在Keynote上长江存储称,数据产生的能力和贮存能力的增长是严重不对等的,2020年左右将产生47ZB(1ZB=1024EB=1024^2PB),而到了2025年这个数字会更多,达到162ZB。虽然多数数据可能是垃圾,但存储公司没有选择性,其唯一目标就是尽可能多地保存下来。
之后长江存储总结了对于NAND闪存的三大挑战,分别为:I/O接口速度、容量密度和上市时机,而就在这次的会议上,长江储存提出了新的架构Xtacking,其首要目标便是三大挑战中的第一条,I/O接口速度。
就目前来说,NAND闪存主要沿用两种I/O接口标准,第一种是Intel、索尼、SK海力士、群联、西数、美光主推的ONFi,I/O接口速度最大1.2Gbps。第二种是三星、东芝主推的Toggle DDR,I/O速度最高1.4Gbps。
而这次长江存储推出的Xtacking,将I/O接口的速度提升到了3Gbps,速度与DRAM DDR4有来有回了。
据长江存储CEO杨士宁博士介绍,Xtacking,是在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。在另一片晶圆上被独立加工存储单元。当两片晶圆各自完工后,Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且成本增加的并不多。
长江储存称,传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。并且随着3D NAND技术堆叠的层数越来越高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
同时Xtacking这项技术的优点不仅仅只局限在I/O速度上。官方称使用Xtacking架构,产品的开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%。截至目前长江储存已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发最高使用14nm工艺,并预计于2019年进入量产。
在推仔看来,长江储存这次算是彻彻底底给国内玩家以及强心针,还记得前段时间我们的国产颗粒还在使用着32层堆叠之时,三星等企业不仅仅通过价格松绑,来限制国产颗粒的利润,在另一边继续推出新技术,96堆叠也就是前段时候刚出来的,这次的Xtacking说明了我们还是在这个领域具备着十足的研发能力的,现在大家只要静静等待便好了。
顺带一提,这次长江存储的Xtacking与SK海力士的报告中纷纷把目光着眼于外围电路,这是不是也意味着,对于目前的颗粒来说,电路设计确实是一个瓶颈呢。
用Xtacking架构,长江存储启动64层3D NAND闪存量产
9月2日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”) 宣布,公司开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存①,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求,该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。
长江存储64层3D NAND闪存晶圆
长江存储64层3D NAND闪存是基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品,Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构,Xtacking®可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
作为集成器件制造商,长江存储致力于为全球客户提供完整的存储解决方案及服务,并计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品,以满足数据中心,以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。长江存储一贯重视核心技术的自主研发和创新,Xtacking®技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示:“通过将Xtacking®架构引入批量生产,能够显著提升产品性能,缩短开发周期和生产制造周期,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到,“随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”
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