基于自研主控芯片，大普微率先实现国产企业级Gen4 SSD规模出货

近期，国内头部企业级SSD存储厂商深圳大普微电子（DapuStor）再传佳音，其PCIe Gen4企业级SSD产品已先后获得北美知名国际互联网/云计算巨头和国内电信运营商、行业客户等为代表的批量订单。

大普微自主研发的Gen4 DPU600主控芯片和企业级SSD产品综合性能位居业内领先水平，标杆客户的信赖也反应对其产品成熟度和可靠性的认可。

企业级SSD国产化技术引领者，率先实现PCIe Gen4主控芯片及SSD量产

大普微第一款自研的PCIe Gen4主控芯片DPU600 也是国产较早流片和最先转量产的Gen4主控芯片，2020年下半年实现芯片一次流片成功，相应开发的固件与SSD产品也经过了一年多的各类客户严格测试与验证，并于2022年4月转入正式量产。

DPU600采用先进的12nm制程工艺，支持超高性能、大容量企业级SSD，并且具备平台灵活性和高安全性；支持PCIe Gen4双端口，拥有16个通道和支持标准的NVMe（NVM Express）接口，在最少占用主机处理和内存资源的基础上，针对高性能4K随机读写操作以及所有on-chip闪存管理操作进行了优化，是目前经过市场检验的企业级PCIe Gen4 SSD主控芯片的可靠选择。

DapuStor DPU600芯片

基于自研主控芯片，大普微领先同行一年多将国产PCIe Gen4企业级SSD推向市场，适用于云计算、运营商、互联网、金融、能源石化、电力、企业数据中心等高端数据存储场景。

三款量产的PCIe Gen4产品各具特色

基于DPU600主控芯片，大普微推出了三大PCIe Gen4产品系列：嵘神5系列、蛟容5系列和SCM Xlenstor2系列 。

其中，嵘神5系列采用KIOXIA最新一代企业级112L 3D NAND Flash BiCS5，U.2外形尺寸，物理容量覆盖2TB到16TB，DWPD1和3可选，带宽高达7400/7000 MB/s，IOPS（稳态）达1750/550K，具有65/10μs的低延时特性，性能指标业内领先，也是DapuStor目前面向海内外客户规模Gen4产品出货的拳头产品。

主流企业级Gen4 SSD随机读写指标对比

Xlenstor2属于大普微的SCM系列产品，SCM（StorageClass Memory）也是性能介于DRAM内存和标准Flash SSD固态盘之间的企业级存储热门产品赛道，可为云计算系统设计带来架构上的飞跃，有效降低成本。在此前不久中国移动研究院发布的《算力网络技术白皮书》中，明确加快构建HDD、SSD、SCM的异构存储集群。

2019年大普微推出Xlenstor系列，成为继英特尔“傲腾“系列之后、全球第二家实现量产的SCM产品厂商。大普微新一代Xlenstor2作为与英特尔傲腾系列最新的P5800X性能比肩的产品，使用KIOXIA超低延时和超长寿命的XL-FLASH作为存储介质，基于自研主控芯片及相应固件，DWPD高达100DWPD，随机读写性能最高可达1750/1340K IOPS，随机读写延时为21/8 μs。

SCM产品性能指标对比

精湛技术积累/大规模稳定出货企业级SSD超20万片

深圳大普微电子凭借其团队强大的技术研发实力，不断在企业级SSD市场给业界带来新的惊喜，其超高的性能表现也给客户带来系统整体性能的提升和更好的TCO。 同时，大普微PCIeGen4产品基于自研主控芯片和固件的优势，也在双端口、虚拟化、ZNS、数据压缩等技术创新领域与多家行业标杆客户达成JDM合作。

近年来，大普微的发展突飞猛进，已累计面向国内外知名互联网、云计算巨头、电信运营商、服务器厂商和存储系统厂商等客户，稳定大规模出货超过20万片企业级SSD，产品性能和质量经过了全球市场的验证，期待大普微在全球PCIe Gen4市场上有更大的突破和出色表现。

“国产化”加速！两款“圳产”超高速移动存储控制芯片即将投放市场

读创/深圳商报记者 管亚东

近日，记者从深圳市德明利技术股份有限公司获悉，该公司近期将向市场推出两款超高速移动存储控制芯片，性能完全可以达到全球移动存储控制芯片龙头厂商的同类产品水平。这两款“深圳产”的控制芯片，不仅让深圳在移动存储器控制芯片市场中抢占先机，而且在推动“中国芯中国造”中发挥更重要作用。

以存储模组实现价值突破

NAND Flash芯片是最重要的存储器芯片之一，根据中国闪存市场（CFM）统计数据，2020年NAND Flash存储芯片市场份额为566亿美元，占存储器芯片全球市场份额为45%左右，其中近10%为消费类移动存储器。每一颗移动存储器均需搭载一颗控制芯片，消费类移动存储器控制芯片全球目前市场需求量约为7亿颗，我国消费类移动存储器控制芯片主要依赖进口。

集成电路产业著名专家张汝京先生表示，在国家大力扶持国产存储芯片研制的形势下，国产存储控制芯片行业发展迎来了契机；在这个行业内既有存储控制芯片研发能力，同时又擅长应用解决方案的企业会有更好的发展。

2020年，国内企业长江存储宣布量产64层堆栈3D闪存，从根本上打破了NAND Flash芯片由境外厂商垄断的格局。今年，长江存储又更进一步，宣布推出128层闪存芯片。

长江存储的大获成功，带动了国产存储产业的快速发展。据德明利公司董事长李虎介绍，德明利公司已于2020年11月成为长江存储（YMTC）Xtacking 3D NAND金牌生态合作伙伴，并开始产品验证和批量采购，目标是与国内同行共同推动存储产品从闪存晶圆到控制芯片的大规模国产化。

据了解，德明利公司通过以控制芯片为基础的存储管理应用方案，依托于存储晶圆，以存储模组的方式，实现技术价值的突破。德明利开发以控制芯片为核心的移动存储管理应用方案，以控制芯片、固件方案及量产工具程序相结合，使得公司的移动存储产品在存储晶圆利用率、产品稳定性、读写速度等方面具有较强的竞争优势。

“国产替代”控制芯片开启加速度

随着5G进程加速推进，超高清视频、高速传输等趋势愈发显著，移动存储产品的单位容量和单价也呈现上升趋势。

据透露，德明利目前即将向市场推出两款超高速移动存储控制芯片。其中存储卡SD3.0控制芯片TW2983，在实验室仿真场景下读速度达到了80M/S，写速度达到了60M/S；存储盘USB3.0控制芯片TW8581，在实验室仿真场景下读速度达到了200M/S，写速度达到了120M/S。这两款控制芯片具有读写速度超快、数据纠错能力强、适应超多层QLC存储晶圆等突出的特性，性能完全可以达到全球移动存储控制芯片龙头厂商的同类产品水平。

公司相关负责人表示，德明利最近推出的新控制芯片采用更先进制程，控制芯片性能和成本都有大幅提升和降低，其中，新控制芯片成本较采购境外厂商的控制芯片成本降低了60%以上。

据了解，此前德明利共成功研制和大规模量产了6颗移动存储控制芯片。其中2020年推出的高速存储控制芯片TW2981和TW8381以及即将推出的TW2983和TW8581，分别为采用55nm和40nm工艺制程，达到行业领先水平。

德明利公司董事长李虎表示，新的控制芯片的量产，结合其在移动存储器市场的优势，应用该公司控制芯片的移动存储器有望实现完全的国产化替代。

审读：孙世建 何鑫

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