韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

（观察者网讯）12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。

据韩联社12月7日报道，SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

上月，SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。另一方面，韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND，预计明年批量生产。

接盘英特尔部分芯片业务！韩国SK海力士再斥57万，在中国开新公司

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事实上，这家韩国巨头突发此举，还与一项价值90亿美元（折合约574亿元人民币）的交易有关。就在2020年10月，SK海力士大手笔拿出90亿美元，买下了美国芯片巨头英特尔旗下的NAND闪存以及存储芯片业务。

而按照双方协议的内容，SK海力士除了“接盘”英特尔相关的业务之外，必须在中国成立一家全资子公司，协助这项收购完成。报道指出，SK海力士此举是为了接手英特尔此前在大连设下的NAND芯片业务资产，以便于管理。

截至北京时间5月27日，韩国、美国、欧洲监管机构已经点头同意了这项跨国收购。据悉，SK海力士将一举成为全球二大NAND闪存供应商，仅次于电子巨头三星。

要知道，SK海力士一直对中国市场“寄予厚望”。 就在今年4月28日，SK海力士内部人员还曾透露，该集团正考虑进一步拓展8英寸晶圆的代工业务，升至计划将旗下System IC代工厂将从韩国青州转移至中国，因为这将进一步提升相关产品的价格竞争力。

而更早以前（2014年），这家韩国巨头就在我国重庆建有芯片封测工厂。 到了2018年，SK海力士决定对我国追加投资，为其重庆工厂扩建二期项目。据此，我国重庆已成为SK海力士全球最大封装测试中心所在地。

文 |廖力思 题 | 徐晓冰 图 |卢文祥 审 |徐晓冰

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