长江存储再度“亮剑”,在美国起诉美光侵犯其11项专利
IT之家 7 月 22 日消息,据外媒 Tomshardware 报道,中国 3D NAND 闪存制造商长江存储,日前再次将美光告上法院,在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利 ,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。
长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品 ,并支付专利使用费。
长江存储指控称,美光的 96 层(B27A)、128 层(B37R)、176 层(B47R)和 232 层(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRAM 产品(Y2BM 系列),侵犯了长江存储在美国提交的 11 项专利或专利申请。
2023 年 11 月,长江存储就曾在美起诉美光专利侵权,涉 8 项专利;2024 年 6 月,长江存储在美起诉美光资助的咨询公司,指控其散布虚假信息。如今长江存储再度“亮剑”,IT之家将跟进后续诉讼消息。
报告称 2024 年下半年半导体晶圆厂利用率有望突破 80%
TechInsights 今日发布报告称,随着内存市场的逐渐复苏,加之企业为即将到来的销售旺季积极备战,半导体制造厂的利用率已摆脱去年低谷,2024 年下半年预计将冲破 80%。台积电 5 纳米及以下先进制程的产能利用率已接近饱和,同时有报道称,NAND 闪存制造商也即将结束减产措施。
报告提到,工业和汽车市场的情况仍不明朗。由于市场需求停滞不前,模拟芯片、分立器件等领域的制造商在 2024 年上半年被迫削减产量。因此,相较于前沿技术节点,成熟技术节点的晶圆厂利用率并不理想。但这一局面仅是暂时的,预计随着库存逐渐消化,2024 年下半年该领域需求将有所回暖。
展望未来,报告称随着终端需求全面复苏,2024 年下半年全球晶圆厂利用率有望提升至 80% 左右,并在 2025 年达到平均 90% 的利用率。
IT之家注意到,此前有消息称台积电正准备从明年 1 月 1 日起宣布涨价,主要针对 3/5nm,其他制程维持原价。
台积电总裁魏哲家也曾强调,台积电工艺非常省电,良率又比较好,若以每颗晶粒来看,台积电最便宜,并承诺季季进步、年年提升,始终向客户提供最领先的技术。
本文源自IT之家
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