32Gb、400MBs带宽！江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash闪存发布

快科技2月2日消息，日前，继自研SLC NAND Flash系列产品规模化量产后，江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式发布。

该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s， 将有望应用于eMMC、SSD等产品上。

江波龙表示，近年来在存储芯片自主研发投入了大量的精力和资源，公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。

据介绍，该团队不仅精通闪存芯片设计技术，还对于流片工艺制程、产品生产过程有深入了解，对4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富经验。

在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合自主开发的测试平台，实现高效生产测试。

目前，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力， 并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。

值得一提的是，江波龙除了在NAND Flash芯片领域持续发力，还在DRAM芯片方面进行深入研究。

据江波龙介绍，2023年就已推出复合式存储nMCP，将自研SLC NAND Flash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装，实现高频低耗、宽温运行的优异特性，可充分满足5G网络模块存储需求。

江波龙表示，未来将继续大力投入存储芯片的自主研发，深入挖掘NAND Flash、DRAM存储芯片的应用潜力。

NAND Flash,SD卡中 SLC、MLC和TLC三者的区别

不说废话，直接上图

SLC = Single-Level Cell，即1 bit per cell，1个存储器储存单元可存放1 bit的数据，只存在0和1两个充电值。

MLC采用双层设计，即每1个单元同一时间存储2个bit的数据，成本、速率和容量得到了非常好的平衡。P/E（闪存颗粒存储次数）约3K～30K。有4种存储状态，分别是00、01、10、11。

以此类推，TLC = Triple-Level Cell，即3 bit per cell，1个存储器储存单元可存放3 bit的数据。

单位容量的存储器，可以存储更多的数据，所以TLC每百万字节生产成本是最低的。

寿命：

SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC到MLC容量大了一倍，寿命缩短为1/10。TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC到TLC容量大了2倍，寿命缩短为1/20。

为什么TLC的性能在三种介质中最差？

由于数据写入到TLC中需要八种不同电压状态， 而施加不同的电压状态、尤其是相对较高的电压，需要更长的时间才能得以实现（电压不断增高的过程，直到合适的电压值被发现才算完成）。

所以，在TLC中数据所需访问时间更长，因此传输速度更慢。经过实测，同等技术条件下，TLC的NAND Flash 性能是比不上MLC NAND Flash的。

另外，SSD厂商对于TLC SSD的质保提升到与MLC SSD基本一致的水平，比如三星 TLC SSD的质保一般为五年，让消费者在这五年的使用中高枕无忧。加上TLC天生的价格优势，以及金字招牌，的确有很大的吸引力。越来越多的厂商参与到TLC SSD的竞争中，价格不断走低，让不少对SSD感兴趣的朋友尝鲜一把，助长了TLC SSD的壮大。

个人认为，入门与主流已经是TLC的天下，MLC则继续在高端领域发挥它作用。

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