苹果维修必学的知识,iPhone手机开机上电工作原理
苹果手机维修必须学习的电路,把将iPhone手机开机上电工作原理分享给大家。
这是iPhone6开机上电时序,每款iPhone手机理论上都差不多,变化不大,如7-8-X采用BOOST电源的设计,具体的会在后面的文章中分享:
1:电池BAT通过电池座子J2523 产生PP_BAT_VCC 4.2V提供给充电管理芯片U1401,充电管理芯片U1401通过控制开关管Q1403 输出PP_VCC_MAIN 主供电;
2:电源芯片U1202内部 BUCK/LDO产生PP1V8_ALWAYS 待机电压
3:按下开机按键BUTTON_TO_AP_HOLD_KEY_L 与下拉电阻将PP1V8_ALWAYS 待机电压拉低,松开按键后PP1V8_ALWAYS 又变为高,电源芯片U1202 接收到一个高低高的触发信号
4:电源芯片U1202收到触发信号后给硬盘NAND;CPU上层SDRAM;CPU下层供电
5:CPU得到所需要的供电后,24M时钟开始工作
6:电源芯片U1202 产生延时信号REST_1V8_L复位CPU
7:硬盘NAND、CPU、暂存调取程序开始自检
8:自检正常后电源芯片U1202产生GPU供电 PP1V9_GPU 开启显示电路
iPhone6开机可调电源电流变化参考
苹果迎接AI浪潮,酝酿为iPhone改用QLC NAND
IT之家 7 月 25 日消息,集邦咨询于 7 月 22 日发布市场研报,透露苹果公司正酝酿使用 QLC NAND 闪存,最早 2026 年用于 iPhone 产品中,让其存储上限达到 2TB。
QLC 和 TLC
TLC 的全称是 Triple Level Cell(三层单元) ,进一步增加存储密度,每个存储单元存储三位信息。
TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND,使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。
QLC 的全称是 Quad-level cells(四层单元) ,每个单元可储存 4bit 数据,跟 TLC 相比,QLC 的储存密度提高了 33%。
QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中,QLC NAND 的耐久度最低,通常 P / E Cycle(Program Erase Cycle)在 100 到 1000 之间。
制造商实施先进的错误校正机制、预留配置(OP)和 Wear leveling 以维持可靠性。
虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载,但它为日常使用提供了充足的存储容量,使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。
早有曝料苹果正推进 QLC NAND
最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND,IT之家今年 1 月报道,苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。
集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代,从而将内置存储上限提高到 2TB。
不过需要注意的是,虽然 QLC 的密度比 TLC 高,但速度却比后者慢;而且单个单元中存在更多的单元,它们的耐用性较差,这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。
迎接大语言模型
苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存,而不是内存来存储大型语言模型(LLMs),从而能够在本地运行更多 AI 任务,因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。
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