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nand怎么看表小Z聊固态：NAND闪存颗粒的打开方式

发布时间 : 2025-03-12

作者 : 小编

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小Z聊固态：NAND闪存颗粒的打开方式

关注固态硬盘产品的各位朋友应该发现了，近来几乎各大品牌的固态硬盘产品都涨价了！虽然涨幅不算太大，但是在价格十分敏感的电子消费产业，还是十分耐人寻味的，特别是一些经典热销产品的涨价就更是让人看不懂了。

下图是笔者统计过的，从6月15日起到6月30日止，京东商城上热销的部分品牌的销量最高产品的价格变化图。通过图表可以看到，除了金士顿和浦科特旗下的两款固态硬盘在统计中没有大的变化外，其余各大品牌，诸如三星、东芝、闪迪、ocz等都有着不同幅度的涨价。

在前面几期的“小Z聊固态”中，我们知道固态硬盘最大的制造成本其实在于闪存颗粒，闪存颗粒的价格变化直接影响到固态硬盘产品的价格变化。看到这里，我想部分朋友已经可以猜到为什么此次固态硬盘产品集体涨价了。

没错，原因就和上次机械硬盘因为泰国洪水淹没大部分机械硬件加工商导致全行业涨价一样，此次三星位于西安的全球最大的NAND闪存制造厂的停电事故，影响了NAND的正常生产，再加上处于闪存颗粒生产的旺季，市场上的NAND闪存供不应求，因而出现了大范围的固态硬盘价格上扬。

那么又有人问了，“一个三星NAND闪存厂竟能影响到全行业？难道没有其他闪存厂能够替代它吗？”

今天，小Z就借着这个话题和大家一起聊聊闪存颗粒和闪存厂的那些事。

在固态硬盘领域，掌握了闪存颗粒几乎可以说就掌控了固态市场。目前，全球范围内从事NAND flash的厂商大大小小不计其数，但具有统治地位的就只有区区六家，他们分别是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、英特尔（intel）、海力士（SK hynix）、美光（Micron）、闪迪（SanDisk），这六家从事NAND FLASH制造的厂商几乎垄断了全球大部分的市场份额，接下来我们就一一介绍。

半导体霸主：英特尔（intel）

英特尔公司（IntelCorporation）总部位于美国加州，工程技术部和销售部以及6个芯片制造工厂位于美国俄勒冈州波特兰。

英特尔的创始人罗伯特·诺伊斯RobertNoyce和戈登·摩尔GordonMoore原本希望他们新公司的名称为两人名字的组合——MooreNoyce，但当他们去工商局登记时，却发现这个名字已经被一家连锁酒店抢先注册。不得已，他们采取了“IntegratedElectronics（集成电子）”两个单词的缩写为公司名称。现任CEO是BrianKrzanich。

英特尔公司在随着个人电脑普及，英特尔公司成为世界上最大设计和生产半导体的科技巨擘。除了为全球日益发展的计算机工业提供建筑模块，包括微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等，公司在半导体顶层技术的研发中始终处于世界领先地位，拥有多项半导体生产专利技术，长期位列全球半导体厂商排行榜的首位。

intel早期闪存颗粒的编号信息

在固态硬盘领域，早期的英特尔自产自研的闪存颗粒，多用于自家高端产品，或是合作紧密的友商产品中，几乎很少输出。

到了中期，英特尔和美国著名的半导体厂商美光进行了深度合作，共建晶圆制造厂，并将晶圆厂中品质和纯度较高的闪存颗粒用于自家的产品，如intel 710系列就是采用的eMLC企业级颗粒，而将品质低的颗粒用于低端产品和输出到第三方，例如intel 320系列以及部分威刚、OCZ产品，在此就不一一论述了。

intel 540s采用海力士16nm闪存颗粒

到了后期，也就是现在intel几乎已经很少在中低端产品中使用自家颗粒了，会根据产品定位不同，灵活选择。例如，最新发布的针对消费级市场的INTEL 540S系列就是采用的海力士16nm闪存颗粒，而面向高性能和安全应用的SSD Pro 5400s则是采用美光和intel合资的16nm闪存。

晶圆之光：美光（Micron）

美光科技（MicronTechnology，以下简称美光科技）位于美国爱德荷州首府波伊西市，于1978年由WardParkinson、JoeParkinson、DennisWilson和DougPitman创立，1981年成立自有晶圆制造厂。

美光科技是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。

在1990年代初期，美光科技成立MicronComputers（美光电脑）子公司来制造个人电脑，该公司即后来的MicronElectronics（美光电子）。

1998年亦并购了Rendition公司来制造3D加速芯片。

2002年美光卷入了内存价格操纵丑闻。

2007年3月21日首次在中国西安成立了工厂，主要生产DRAM和NAND快闪存储器。

美光flash颗粒的命名规则

在固态硬盘领域，美光和intel进行了深度合作，并于2006年在美国犹他州Lehi地区合资共建，25nm工艺闪存制造厂IMFT，而根据相关文件披露，IMFT生产的晶元，49%销售给Intel，另外51%则归美光。

除了生产闪存颗粒，美光还拥有固态硬盘生产线以及市场终端品牌英睿达。不同于intel闪存颗粒，多用于自家产品，美光的闪存颗粒因其性能稳定，深受OEM厂商热捧，并大量输出到各大OEM厂商以及各大品牌固态硬盘厂商。

自产自销：三星（Samsung）

如果说英特尔是半导体行业的绝对领路人和开创者的话，那么三星毫无疑问是最强的追逐者和竞争者。

三星电子（SamsungElectronics）作为韩国电子产品生产企业，是韩国规模最大的企业，同时也是三星集团子公司中规模最大且在国际市场处于领先地位的企业。

该公司在全世界共65个国家拥有生产和销售法人网络，员工数多达157，000人，早在2009年超越惠普（HP）跃升为世界最大的IT企业，其中LCDTV、LEDTV和半导体等产品的销售额均在世界上高居榜首。

在庞大的三星集团内部，半导体事业部可谓是打造三星帝国的一等功臣。

三星集团创始人李秉哲不顾公司众人反对，毅然决然地于1983年在日本东京正式开始进军半导体行业。对此他曾经表示，三星符合韩国缺乏资源的自然条件，只有开发高附加值、技术含量高的产品才能实现企业的第二次飞跃。

在此后的10个月内，三星电子在世界上第三个推出64KDRAM，这在国内外经济界引起强烈反响。然而，日后由于半导体价格暴跌，企业在事业之初陷入困境。尽管如此，三星的存储器半导体依然取得了长足的发展，1992年率先开发成功64MDRAM，终于在世界上确保了最强的技术实力；1993年如愿以偿地荣登存储器半导体世界第一的宝座。此后于1994年和1996年连续开发成功256M和1GDRAM，这同样拥有‘世界最先开发’的荣耀，这样，半导体逐渐成为韩国具有代表性的产业。2002年NANDFlash位居世界榜首；2006年与2007年分别在世界上率先研制成功50纳米级DRAM和30纳米级NAND等，三星电子在存储器领域的占有率超过30%，成为业界的强者。

三星750evo采用自家闪存颗粒

拥有大量的世界顶尖的半导体专利技术的三星，近些年也没有停止研发的脚步。就固态硬盘行业而言，三星是业界首个将TLC闪存颗粒运用于固态硬盘产品的厂商，同时研发出全球领先的3D-NAND闪存颗粒技术，极大的提升了闪存颗粒的实际使用容量，进一步压缩了闪存颗粒的体积，引发了闪存颗粒的又一次革命。

三星flash颗粒编号信息表

作为半导体厂商，三星也和intel一样，有着完整的闪存颗粒生产线，却都仅将颗粒运用于自家产品，三星家更是做得彻底，所有原产颗粒都不允许输出，仅装备于自家固态品牌。因而，很多关于三星闪存的具体参数信息很少见诸于网络。

闪存缔造者：东芝（Toshiba）

作为我们的邻居，韩国在闪存制造上有三星，而日本则有东芝。

东芝（TOSHIBA）是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。东芝原名东京芝浦电气株式会社，1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成；从1875年开创至今，已经走过了133年的漫长历程。

早在80年代东芝与NEC是世界上最大的两家半导体制造商，同时东芝还是闪存存储标准SD协会的董事会成员之一，是多项规格标准的制定者和推动者，拥有着半导体闪存行业多项世界第一和生产专利，到了90年代，东芝已经成长为世界排名前5的芯片厂，在2008年东芝排名第3，仅次于英特尔和三星，但排在德州仪器和意法之前，到了今天东芝依旧在世界半导体行业、芯片制造行业有着举足轻重的作用。

具体到固态硬盘领域，东芝原厂闪存颗粒几乎占领了主流的固态硬盘市场，成为有一定实力的固态硬盘厂商首选颗粒。究其缘由，一则是东芝近百年的生产制造经验带来的严格的品控，二则是东芝乐于向外输出优质原厂闪存颗粒。

目前，几乎所有大品牌的固态硬盘厂商都使用过东芝相关型号的闪存颗粒。例如浦科特全系列M6V/M7V/M6S PLUS等产品，还有金士顿的v300/uv400，OCZ几乎全系列等。

东芝flash颗粒编号示意图

除了制造原厂闪存颗粒外，还有更多的二线厂商使用东芝原厂的白片颗粒，以及部分厂商使用的东芝黑片，可以说几乎所有主流固态硬盘厂商都使用过东芝制造的闪存颗粒。

同时和三星、intel一样，东芝自家也有固态硬盘终端产品，从开山之作东芝Q系列，东芝Q200，东芝Q300一直到东芝Q300 PRO,每一款源自东芝的新品都带给消费者许多惊喜。

性价比之王：海力士（SK Hynix）

闪存颗粒作为固态硬盘制造中最花费成本的核心器件，提供极高性价比的产品也是能有极大的市场。

海力士脱胎于韩国另一家半导体制造企业现代内存,并于2001年更名为海力士，2012年正式更名为SK hynix。

海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

海力士半导体多年前已经在韩国制造了4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸晶圆生产线，并在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。并在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人。

海力士部分flash颗粒产品编号示意图

如今的海力士半导体，一直以行业最高水平的投资效率、生产效率、销售效率，在竞争激烈的半导体行业站稳脚跟，并以快速的更新能力和极高的性价比，成为众多固态硬盘厂商欢迎的原厂颗粒提供商。

目前，intel旗下多款产品采用了海力士颗粒，例如从intel pro 2500到最新的intel 540s。同时国内许多新兴厂商都在使用有着高性价比的SK Hynix闪存颗粒，例如金泰克等。

闪存帝国：闪迪（SanDisk）

在闪存卡领域，闪迪绝对是行业的巨擘，而在固态硬盘领域，闪迪也凭借着其拥有着完整的闪存颗粒加工体系，成为固态硬盘行业的巨头之一。

SanDisk (闪迪)公司是全球最大的闪速数据存储卡产品供应商。诞生于1988年加利福尼亚帕罗奥多，该公司由非易失性存储技术领域的国际权威Harari Eli博士在1988年创立。

闪迪作为全球唯一一家有权制造和销售所有主要闪存卡格式的公司，拥有超过4900多项关于存储、闪存颗粒等相关技术的专利，并在全球各地拥有着多条闪存颗粒加工制造厂。

闪迪至尊极速系列采用闪迪颗粒

早在2005年，就和日本存储大厂东芝合作，在位于日本四日市运营处的建立起NAND flash闪存 300mm工艺的晶片制造厂，并与2011年正式投入生产。

鉴于闪迪在闪存卡拥有着全球唯一的全系列生产线，因而闪迪原厂的闪存颗粒多用于自身产品消化，并没有大规模投入市场。同时鉴于在NAND flash生产上，闪迪几乎和东芝成为一家人，许多相关产品编号信息暂时无法查询。

总结：

intel和美光、东芝和闪迪、自产自销的三星、性价比的海力士，目前市场上存在的闪存颗粒六大巨头都根据自己的实际特点，你追我赶的占领市场高地，近乎垄断了固态硬盘闪存颗粒的所有市场份额。

然而就六大品牌内部比较，由于各大品牌的侧重点不同，主攻方向的差异。在没有限定的前提下，无法区分到底谁家颗粒好，谁家颗粒烂，但是唯一具有参考意义的便是，下次选购固态硬盘的时候，有这六大厂商的品牌logo，至少要比没有品牌logo来路不明的颗粒强得多得多。

存储，怎么看？

编者按：最近，关于存储走势的讨论也越来越多。半导体行业观察之前也发布了一个文章《存储芯片，拐点将至》的文章。在这个文章中，作者从终端厂商的反馈和市场的动向来分析市场的走势。

但近日，Yole发布了他们对存储市场的观察，我们综合如下，以飨读者。

航行在汹涌水域的NAND

Yole Group在其NAND告中表示，消费者信心恶化、通胀上升和供应链面临挑战，对智能手机和个人电脑的需求产生了负面影响。由于新冠肺炎相关的供应链不确定性以及对 2022 年下半年需求增长的预期，原始设备制造商 (OEM) 积累了较高的内存库存，目前正在积极减少库存，从而导致需求急剧下降用于 NAND 存储器。

英特尔和 AMD 最新服务器平台的发布面临多次延迟，给最近几个季度的服务器出货量和相关内存需求带来了阻力。与此同时，由于与技术相关的产量增长超过了实际需求，NAND供应商已经积累了大量库存。

OEM 和供应商库存增加，加上需求疲软，导致市场从 2022 年第二季度末开始陷入严重低迷，并持续到 2023 年上半年。所有 NAND 供应商在 2023 年第二季度均出现亏损，平均 NAND 供应商出现亏损。营业利润率从 2022 年第二季度的增加21% 骤降至大跌62%。

充满挑战的市场状况将持续到 2023 年下半年。因此，供应商已采取措施重新平衡供需动态。所有 NAND 供应商都减少了向市场的出货量，从而增加了库存水平。他们还宣布削减晶圆厂利用率和晶圆产量。此外，所有供应商都缩减了2023年的资本支出计划，并推迟了技术路线图进度，NAND资本支出预计将同比减少50%以上。

2023 年剩余时间的前景仍然令人担忧，但供应商的积极应对将导致产量增长历史低位，加上随着库存水平正常化，OEM 采购行为恢复正常，为今年晚些时候 NAND 复苏带来希望。

Yole表示，在过去的几年里，NAND 市场经历了许多挑战。其中包括全球大流行、欧洲冲突、与中国的贸易紧张局势升级以及普遍的通货膨胀。该市场还面临多座晶圆厂停工、严重的供应链问题、来自中国的新进入者以及行业整合等问题。这些事件强化了这样一种观念：内存市场唯一确定的就是不确定性。

NAND 市场的长期前景好坏参半。新兴的大趋势正在推动数据生成以及本地、边缘和云存储需求的大幅增长。硬盘驱动器 (HDD) 不断被基于 NAND 的固态驱动器 (SSD) 取代，从而推动了需求的强劲增长，并将推动市场达到新的高度。另一方面，NAND 的竞争动态充满挑战，有多家大型供应商、历史上利润率较低且资本密集度不断上升。

NAND 需求的主要驱动因素包括超大规模企业和传统企业 OEM 的企业级固态硬盘 (SSD)、PC 和游戏机中 SSD 的采用不断增加，以及智能手机和其他移动设备中内容的持续增长。尽管人工智能和虚拟现实的采用、自动驾驶和物联网等一些新兴趋势有望促进未来的增长，但这些细分市场将继续推动大部分 NAND 比特消费。

该行业的资本支出仍然较高，以支持 NAND 架构从平面 (2D) 向 3D 结构的转变以及层数的持续增长。随着供应商继续推进其 3D NAND 路线图，需要增加几处已宣布或预期的洁净室设施，以抵消晶圆产量的减少。尽管层数增长以及 QLC（可能还有 PLC）的出现，但随着工艺和制造复杂性的持续上升，技术驱动的位增长将会放缓。

Yole表示，三星正在发展其庞大的平泽制造基地，并扩大其在中国西安的产能；有传言称 Kioxia 与西部数据将合并（以取代 Kioxia IPO）；SK海力士收购英特尔NAND/SSD业务（更名为Solidigm）；尽管市场规模相对较小，但美光仍然是 3D 技术的领导者。与此同时，中国企业徐然取得令人瞩目的技术进步，但由于美国最近实施的制裁，其长期前景被打上了不确定性。

DRAM依然存在不确定性

Yole表示，十年前，DRAM市场经历了整合，形成了三大主导厂商。这种整合维持了行业的盈利能力，因为资本密集度不断增加，DRAM 供应商赚取的利润需要投资于进一步的技术开发。

正是因为上述特性，DRAM成为了一个高度集中的市场，三大主要参与者——三星（韩国）、SK 海力士（韩国）和美光（美国）——合计占据了整个市场 93% 以上的份额。台湾公司（南亚、华邦、力晶）合计市场份额约为 5%。

虽然在疫情期间，DRAM经历了波动。然而根据原来的规划，随着世界慢慢将新冠疫情抛诸脑后，2022 年有望成为 DRAM 的又一个突破年。然而，即使供应商行为理性并支持大趋势，第二季度的命运却变坏，DRAM 市场的前景日益动荡。消费者需求的消失和整体宏观经济的不稳定给 DRAM 市场带来了沉重压力，因为客户停止购买，价格暴跌。

据Yole统计显示，自 2021 年第三季度以来，DRAM 价格已下跌 57%（2023 年第一季度为 0.54 美元至 0.30 美元）。供需失衡（以及随后的价格下跌）背后的主要驱动因素是客户耗尽高库存和供应商生产过剩（这是由新冠病毒时代需求激增推动的）。

其实当 2022 年第三季度价格开始加速下跌时，供应商也采取了行动。他们的第一步是修改 2023 年支出计划，以减少 2023-24 位产量。由于2023年下半年价格恶化，供应商进一步削减了2023年的生产计划；最终，几乎所有内存供应商都削减了投资并降低了晶圆厂利用率。结果是 2023 年内存位产量增长史无前例地放缓，DRAM 同比下跌9%（低于前 7 年约 21% 的平均水平）

DRAM 的近期前景与一年前截然不同……不确定性依然存在。

Yole表示，库存仍然是定价方程中的一个关键变量。尽管许多客户已经耗尽了库存，现在手头内存库存相对正常，但供应商在过去几个季度试图通过增加库存来阻止价格下跌。这些库存现在就像达摩克利斯之剑一样悬在整个行业之上，但这把剑似乎不太可能阻止价格上涨。

从Yole的介绍可以看到，供应商的大部分 DRAM 库存都是 DDR4。DDR4 的需求正在迅速被 DDR5 的需求所取代，而 DDR5 的库存仍然相对较低。虽然 DDR4 库存可能会持续到明年，但其他部件（例如 DDR5、移动 DRAM 和图形 DRAM）将会紧张，价格将会上涨。在NAND方面，

内存供应商花了一年的时间才让他们的制造工厂恢复正常。如今，减产已使供应商能够在年底前达到某种市场平衡，而价格将开始在预期平衡之前攀升。但不要指望供应商会立即增加支出和产量增长。这是 15 年来从未出现过的经济衰退，需要时间来补充资金，然后再将资金投入晶圆厂改造和绿地晶圆生产。

不过，计算正在推动全球经济，而 DRAM 是计算的瓶颈。

长期 DRAM 需求将随着计算需求的增长而变化，并且在可预见的未来，计算可能会继续强劲增长。预计未来五年数据中心对 DRAM 的需求将以超过 30% 的复合增长率增长，这将使同期 DRAM 整体需求每年增长超过 20%。人工智能、物联网和 5G 的交叉将成为计算需求以及 DRAM 需求的巨大推动力。

为此Yole认为，2024 年将是DRAM供应不足、价格攀升的一年。显然，内存供应商无法在遭受巨额运营亏损的情况下坚持下去，未来几年将是供应商重建资产负债表并抚平这场痛苦的低迷时期所造成的创伤的时候。

DRAM和NAND的展望

首先看DRAM方面，Yole表示，2022 年，三大内存厂商（三星、SK 海力士和美光）均已大量出货 1αDRAM。虽然 SK 海力士和三星已经采用 EUV 光刻技术进行 DRAM 制造，但美光最终将从1γ节点开始使用它。

他们也同时指出，随着每个节点的进步，DRAM 单元尺寸缩放变得越来越复杂；因此，三星通过采用 EUV 光刻技术来缩小 DRAM 单元的尺寸，同时减少图案化步骤，从而使其制造工艺与众不同。与美光和SK海力士的LPDDR5内存相比，三星使用的LPDDR5 1Dz单元设计具有很强的竞争力，因为三星生产的内存单元比其竞争对手相对较小。较小的 DRAM 单元可产生更密集的内存芯片，这可能会导致内存芯片尺寸减小，而不会影响芯片容量。

在Yole看来，芯片收缩对于提高生产率非常重要，并且是大批量制造所必需的，以满足对低功耗 DRAM 内存的需求，同时减少智能手机主板上的内存封装占用空间。

不过，Yole也谈到，DRAM 可扩展性预计将在几年前结束，但新技术解决方案已经实现了第三代10纳米级 (1z) 的开发，甚至可能更进一步。总体而言，DRAM 扩展非常具有挑战性，并且与过去相比正在放缓——无论是在位密度 (Gb/mm 2 ) 还是每位成本 ($/Gb) 方面，但它仍在不断向前发展！尽管技术挑战不断增加，DRAM 将继续成为主力内存技术，因为 EUV 光刻、混合键合和 3D DRAM 等新技术解决方案将实现持续的密度扩展和性能增长。

如今，人们一致认为，即使通过光刻 EUV 工艺，平面缩放也不足以提供整个下一个十年所需的位密度改进。该行业迫切需要材料和架构方面的突破，以实现 DRAM 的进一步扩展，从而降低成本、最大限度地降低功耗并提高速度。因此，单片 3D DRAM（相当于 3D NAND 的 DRAM）已被主要设备供应商和领先 DRAM 制造商视为长期扩展的潜在解决方案。Yole 的分析师认为，这种新颖的 3D 技术可能会在 2029 年至 2030 年的时间内进入市场。

处理器-内存接口也在快速发展，以满足新兴数据密集型应用的需求：内存大小必须增加，内存和 CPU 之间的带宽也必须增加。各种接口和协议正在开发中，其中包括 JEDEC 最近发布的 HBM3（2022 年 1 月）和 CXL，后者作为“远存储器”互连已获得广泛采用。主要厂商（例如三星赛灵思、SK 海力士）最近将新型内存处理技术引入市场，以克服所谓的“内存墙”。

总体而言，DRAM 内存生态系统中的主要公司正在探索各种不同的解决方案，我们相信技术挑战不会阻止 DRAM 的进步，尽管由于需要进一步的创新和投资而存在放缓的风险。

再看NAND方面，在3D NAND业务中，所有领先公司都推出了3D NAND技术，这些技术依赖于优化逻辑电路面积和位置的特定策略，例如CMOS阵列下（CUA）和晶圆到晶圆键合解决方案。

如今，所有内存制造商都在进行混合键合的研发，主要的 NAND 供应商已将其纳入其路线图：Kioxia 和西部数据已宣布将其用其 218L 3D NAND 系列，美光于 2022 年与 Adeia 签订了许可协议， SK hynix 宣布混合键合将于 2025 年进入量产。

Yole指出，混合键合尚未在当前 HBM 代中使用，但未来几年将需要它继续提高内存带宽和功效，并最小化 HBM 堆栈厚度。为此Yole预测， HBM 制造商将从 HBM3+ 一代开始采用混合键合，每个堆栈具有 16 个DRAM 芯片。

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