镁光nand芯片制程技术革命镁光预计年底出货64层3D NAND-快讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

镁光nand芯片制程技术革命镁光预计年底出货64层3D NAND

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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技术革命镁光预计年底出货64层3D NAND

经历2016年闪存颗粒制程的“尴尬”后，在已然到来的2017年，各大存储大厂纷纷加紧研发3D NAND技术，以期在新的技术革命周期当中，能够在闪存市场取得先机，从而抢夺更多的市场份额。

日前，来自韩国的闪存大厂SK海力士，向媒体透露，即将在2017年正式推出第四代3D NAND技术，并且量产基于72层堆叠的3D NAND闪存颗粒。

而就在此消息曝出不久，近日另一家来自美国的闪存大厂镁光也向媒体透露，预计在2017年年底，正式量产基于64层堆叠的新一代3D NAND技术，以实现单晶颗粒的容量提升80%，成本减少30%的目的。

除此之外，镁光还表示，鉴于第一代QuantX的产品容量小，且读写水平仅仅持平三星的960 PRO，并没有达到Intel标称的10倍现今SSD的性能，镁光正在加紧研究二代、三代的QuantX（即3D Xpoint技术，镁光内部称呼为 QuantX）。

提起“UFS”，广大数码爱好者尤其是手机爱好者朋友肯定不会陌生，通常这指的是一种高性能存储颗粒，通常用来作为手机的数据存储硬盘。

这几年，UFS相关技术和产品发展速度很快，已经从之前的UFS 3.0、UFS 3.1发展到目前的UFS 4.0。

对于未来的UFS技术的发展方向，当然，首当其冲的是希望可以进一步提升性能，但是，这并不是UFS技术唯一的发展方向，另外一个发展方向要尽可能地缩小体积。

缩小存储颗粒体积的意义非常大，因为智能手机内部空间寸土寸金，比如节省下来的空间可以用来放置容量更大的电池。

近日，镁光宣布推出基于232层3D NAND工艺制造的、全球面积最小的UFS 4.0存储颗粒，面积仅为9毫米x13毫米，比常规版的UFS 4.0存储颗粒的面积（11毫米x13毫米）缩小了20%。

UFS 4.0存储颗粒的面积进一步缩小，这当然是好事，但是由此产生了另外一个非常值得关注的问题，那就是它的性能有没有影响和缩水？

答案是否定的，这种新颗粒的面积有所降低，但是性能并没有下降。经过测试，面积缩小后的UFS 4.0存储颗粒的顺序读取速度为4,300MB/s，顺序写入速度为4,000MB/s。

除了面积性能之外，还有一个重要的参数指标也非常值得关注，那就是功耗，这种新UFS 4.0存储颗粒的功耗有没有改进呢？答案也是肯定的，镁光方面表示功耗可以降低25%。

在容量版本方面，镁光表示，这种新的UFS 4.0存储颗粒将提供256GB、512GB和1TB三种容量版本。

据悉，镁光已经将这种最新UFS 4.0存储颗粒提供给相关的智能手机厂商进行进一步地适配调教，因此，广大消费者真正可以买到、体验到搭载这种最新UFS 4.0存储颗粒的智能手机，将不用等太久。

整体看来，这种新UFS 4.0存储颗粒的优势非常大，预计将可以进一步地提升智能手机的使用体验，非常值得期待。

不过，目前尚不清楚具体哪一家智能手机厂商将会率先采用，首先可以排除苹果，因为该公司在其iPhone和其他产品中使用NVMe存储，而不是UFS 4.0颗粒，因此，大概率可能是某家国产智能手机厂商第一个吃螃蟹。

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