美光推出手机专用3D NAND闪存,读写性能速度飙升
昨天我们报道了美光为自家的3D XPoint创立新品牌QuantX,该品牌主推企业级市场的SSD和NVDIMM产品。但美光同样没有忽视手机市场的重要性,也发布了专门适用于手机的3DNAND闪存。
美光宣称这种3D NAND闪存采用了最新的UFS 2.1传输标准,读写速度可以达到1.5GB/s、500MB/s,相比UFS 2.0标准效能提高2倍。单芯片容量为32GB,封装面积仅有60.217平方毫米,对比以往相同容量的闪存面积减少30%。采用了MCP多晶片封装技术,支持LPDDR4X。
现在的4k视频、VR、大型3D游戏都需要超高的存储容量,16GB的存储空间根本无法满足使用需求,也因此传闻iPhone7将会取消16GB而增加256GB版本。对于这种内部空间寸土寸金的手机来说,小面积的闪存芯片可以让出更多空间集成其他功能芯片或增加电池容量和存储容量,也可以令手机设计更加轻薄。
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差距这么大:读写速度最快的手机排行
IT之家(www.ithome.com):差距这么大:读写速度最快的手机排行
一般来说,我们衡量一个手机的性能通常都只是对比下芯片组、运行内存,存储空间大小这些显而易见的硬件参数,其实,NAND内存的读写速度同样是影响手机运行速度的重要因素,它对手机的流畅性有着至关重要的作用。
不过没有任何厂商将手机内存的读写速度作为自家产品的宣传点,现在市面上的主流安卓旗舰手机的NAND内存读写表现如何还需要实际测试一下,WeAnd就使用测试工具AndroBench为大家带来了一些机型的对比测试结果。
测试分为连续读写速度和随机读写速度,连续读写速度主要关系到读写大块文件(比如电影、大型游戏等),速度越快,在读取大型文件的时候也就越快。随机读写速度主要关系到小位数据的更新,比如后台应用更新的内容,快速的随机读写速度能够让系统个更加流畅、避免掉帧。
下面来看一下WeAnd的测试数据,在随机读写速度上三星Note4和索尼Z3的表现最好,并且将其他机型甩开较远,其次是LG G3、MotoX等,值得一提的是索尼Z3的随机写入速度比其他机型快了将近3倍。
在连续读写的测试中,索尼Xperia Z3当仁不让的成为了最快的手机,并且比第二名快了很多,其次是三星S5,LG G3、Moto X和三星Note4,HTC One M8则与上述机型差距较大。
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