存储大厂NAND技术迎突破
AI人工智能正推动存储器产业强劲发展,AI应用带来了海量数据增长,存储容量与性能需求大幅提升,NAND Flash技术重要性不断凸显。因此,存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时,也并未忽视NAND Flash的发展。最新消息显示,三星、铠侠两家大厂NAND技术迎来新进展。
三星第九代V-NAND闪存材料技术突破
三星于今年4月宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,今年下半年三星将开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND。与第八代V-NAND相比,第九代V-NAND 1Tb TLC产品提高约50%的位密度(bit density),功耗也降低了10%。
近日韩媒The Elec报道,三星正在其第九代V-NAND“金属布线”(metal wiring)环节中首次使用钼(Mo)材料。
图片来源:三星
“金属布线”是半导体制造过程的一大工艺,使用不同的方式连接数十亿个电子元器件,形成不同的半导体产品。目前, NAND工艺中所使用的材料是六氟化钨(WF6),随着钨材料在降低层高方面不断触及物理极限,三星开始锁定钼作为替代材料。据悉,三星的这一转变有望进一步缩减层高并降低NAND响应时间,性能将进一步提升。
不过,引入钼材料要求生产设备能够耐高温处理,将固态钼原材料加热至600 ℃以转化为气态,为此三星已从Lam Research公司引进了五台Mo沉积机,还计划明年再引进20台设备。此外,三星正与多家相关供应商紧密合作,包括Entegris和Air Liquide公司。
除了三星之外,报道指出美光等存储大厂也在探索钼应用于NAND生产的可行性。
铠侠推出2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存
7月3日,铠侠宣布已经开始使用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术,向客户提供2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存样品,该款产品在业内拥有最大容量,有望推动包括人工智能在内的多个应用领域成长。
据悉,铠侠通过专有工艺和创新架构,在存储芯片的垂直和横向扩展上均取得了突破,并采用了CBA(CMOS直接键合到阵列)技术,以制造更高密度的设备,并提供3.6Gbps接口速度。
图片来源:铠侠
铠侠表示,与公司当前第五代QLC设备(铠侠产品中容量最高)相比,2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存位密度约提高了2.3倍,写入能效比提高了约70%,全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片,从而为业界提供4TB容量,同时,它还具有更小的封装尺寸(11.5 x 13.5毫米)和1.5毫米的封装高度。
除了2Tb QLC之外,铠侠还在其产品组合中增加了1Tb QLC存储设备。与容量优化的2Tb QLC相比,性能优化的1Tb QLC的顺序写入速度大约提高了30%,读取延迟大约改善了15%。1Tb QLC将被部署于高性能应用中,包括客户端SSD和移动设备。
QLC SSD,人工智能领域大有可为!
与多层单元(MLC)和三层单元(TLC)设备相比,QLC NAND每个单元可以存储更多数据,显著提升存储性能。因此,无论是三星还是铠侠,针对QLC NAND皆有布局。
此前QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域,随着AI大模型不断普及,数据中心存储需求不断激增,QLC NAND尤其是QLC SSD有望在AI、大数据领域大显身手。
受益于AI需求推升,全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预估,2024全年QLC Enterprise SSD出货位元上看30EB(EB;Exabyte),较2023年成长四倍。
图片来源:拍信网
TrendForce集邦咨询认为,QLC SSD在AI应用搭载提升有两大原因,一是该产品的读取速度,二是TCO(总体拥有成本;Total Cost of Ownership)优势。由于AI推理服务器主要以读取为主,资料写入次数不若AI训练型服务器(AI Training Server)频繁,相较HDD,QLC Enterprise SSD读取速度更胜,且容量已发展至64TB。
此外,实际上目前通用型服务器采用的HDD产品主流容量在20~24TB,而QLC Enterprise SSD(64TB)单个产品运转除了较HDD节省电力外,在存储容量布局上,QLC所需使用空间减少,可大幅降低TCO成本。AI Training已然成为重度电力消耗应用,因此节能将成为存储产品的优先考量,故大容量QLC Enterprise SSD产品更是大宗AI客户寻求的解决方案。
晶升股份:设备已具备DRAM和NAND用抛光片能力,部分产品已通过客户量产验证
金融界7月22日消息,有投资者在互动平台向晶升股份提问:领导,您好!公司大硅片生长炉技术仅限在28nm存储领域,请问能否用于DRAM 和NAND存储芯片制造。
公司回答表示:目前公司设备已经具备DRAM和NAND用抛光片能力,生产的部分产品已经通过客户量产验证,公司将继续和客户合作推进产品在先进制程应用的覆盖面。
本文源自金融界AI电报
相关问答
近期 NAND 闪存价格持续走低,这一趋势可以延续到什么时候?2019年全球半导体市场凛冬将至,从以往的牛市转向了熊市,主要原因就是存储芯片价格不断下跌,其中DRAM内存芯片去年Q4季度才开始由涨转跌,不过NAND闪存比DRAM内...
nand 闪存是什么颗粒?NandFlash闪存颗粒中根据存储密度的差异可分为SLC、MLC、TLC和QLC四种,按照存储方式划分,NAND闪存已经发展了四代:第一代SLC(Single-LevelCell)每单元可.....
清华紫光定下 NAND 闪存时间,大家怎么看?近期,高启全接受媒体记者采访时称:2019年,长江存储就很可能开始量产64层堆栈3DNANDFlash。这等于是说,长江存储所研发NANDFlash。另外,长江存储在今年也...近...
NAND 与ROM有什么不同-ZOL问答我的PPC有8G的NAND但是ROM只有128MB,我想问在WM系统中NADN和ROM的使用功能一样吗,或者说NADN能够当作是ROM使用吗?在待机状态系系统会像SDMMC那样切断储存器电...
除了当前在售的EX系列NVMe SSD,惠普还会开辟DDR4内存产品线吗?而在本届台北电脑展(Computex2019)上,我们又见到了由BIWIN代工的HP品牌DDR4内存模组。【组装门槛不高,代工贴牌盛行。题图viaAnandTech】近年来,.....
NASA近期发现的年轻磁星有怎样的特点?来自欧洲(ESA)和美国宇航局(NASA)的天文学家,刚刚通过操纵一套天基望远镜,发现了迄今为止最年轻的“磁星”(Magnetar)。周三发表于《天体物理学杂志快报...来自...
东芝推出的第四代BGA SSD怎么样?-ZOL问答东芝BG4硬盘的NAND闪存升级到了最新的96层堆栈3DTLC闪存,相比64层堆栈的3DTLC闪存容量更大,所以最大容量提升到了1TB,是之前的两倍。此外,BG4的主控也从之前...
金百达的固态硬盘怎么样?很不错对于一块SSD而言,最为关键的就是闪存颗粒和主控芯片的选择。金百达KP230使用了最新的3dNAND闪存颗粒,通过型号查询可以看到是镁光的B16a,没想到这次金...
三星980pro固态硬盘什么时候出?三星980Pro固态硬盘计划于2020年第三季度发布。作为三星旗下顶级产品,980Pro采用了最新的PCIe4.0接口,具备更高的传输速度和更低的延迟。预计配备三星自家...
三星860 QVO SSD的性能怎么样?三星在本周正式发布了旗下首款QLCSSD860QVO,容量直接从1TB起步,它的售价比现在使用TLC闪存的860EVO更便宜,想必很多人都对这款QLC闪存的SSD很感兴趣,它确...