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怎么判定nand坏块固态硬盘如果发现坏块就完蛋了

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

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固态硬盘如果发现坏块就完蛋了

硬盘是电脑不可或缺的存储设备。硬盘的故障或者性能下降，往往会严重影响到电脑的正常使用和整体性能，甚至危及到我们的数据安全。

坏块、坏道是我们经常遇到的硬盘问题，它们严重的影响硬盘的性能，甚至会导致我们的硬盘报废，数据丢失。那么什么是坏块和坏道呢？坏块，bad block，block是硬盘里最小的擦写单位，坏块意思是该块已经无法进行擦写。而坏道Bad track，是机械硬盘里出现了坏块的磁道。

在机械硬盘上发现，坏块、坏道是比较正常的。机械硬盘的坏道分为物理坏道，逻辑坏道。前面的文章我们讲过两个修复机械硬盘坏道的工具和使用方法。一般机械硬盘的坏道如果少的话，都是可以通过擦除、重映射、再生/修复等方法解决的。

而如果我们在固态硬盘发现坏块，那么几乎可以宣告这个

固态硬盘可以寿终正寝了。为什么这样说呢？

固态硬盘不容易出现坏块。准确的说是，固态硬盘的坏块不容易被我们察觉。固态硬盘坏块由BBT管理，执行坏块替换策略。在出厂时，固态硬盘NAND里的坏块会被屏蔽替换，坏块率不超过2％。在使用时，固态硬盘主控仍在对NAND执行着坏块管理、坏块替换，以保证固态硬盘的寿命和性能。

固态硬盘坏块替换策略，一般有两种策略：一是、用固定的预留空间的好块替换，当坏块太多，可替换的空间用完，固态硬盘就意味着报废了，这是较老的主控或个别主控的策略；二是，用整个SSD空闲空间的好块替换，这是现在大多数主控的坏块替换策略，然而尽管现在主控非常给力了，但是如果坏块太多依然会使得固态硬盘性能大降或者导致固态硬盘、掉盘、报废等。

固态硬盘坏块都被屏蔽了，替换了，因此我们很难看到固态硬盘上出现坏块的。如果我们发现了固态硬盘坏块，那么可能意味着，这个固态硬盘闪存坏块太多了，已经不堪使用了，固态硬盘可以寿终正寝了。

固态硬盘耐用与否，使用时性能下降严重与否，很大程度取决于闪存的好坏，以及固态硬盘厂家的闪存测试能力。上游厂商把控着闪存供应，目前消费市场上主流的固态硬盘仍然存在着严重的溢价，而大多数性价比高的固态硬盘都是使用的镁光原厂降级片SpecTek闪存片，俗称白片。

SpecTek闪存片虽然在上游厂家就已经经过了严格的测试。但是只有固态硬盘厂商拥有强大的闪存测试能力才能保证固态硬盘最终质量。因此，我们在购买性价比高的固态硬盘时，需要注意的是一定不要选择小厂商生产的固态硬盘。那些在设备上投资数亿，光是闪存测试设备就投资上千万的厂商所生产出产品和那些小作坊的产品品质是完全不一样的。我们在追求性价比的同时，也需要产品质量注意是否靠谱。

我们熟知的NAND闪存，还有个“双胞胎兄弟”

【IT168 评论】无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。

　　NOR闪存是另一种与NAND不同的闪存类型，它具有不同的设计拓扑结构，某些特定的应用场景下更为适合。在比较NAND和NOR闪存在不同应用中的相对优势和适用性之前，检查其结构差异是很重要的。

　　NAND闪存产品是当今已经达到高水准的存储芯片，是当前市面上嵌入式以及独立式SSD的主要原材料。多层单元(MLC)技术和3D制造工艺的结合，将NAND存储单元垂直蚀刻到硅衬底上，使存储密度和NAND芯片容量呈几何级增长。

　　NAND与NOR电路基础

　　尽管NAND闪存是这两种非易失性内存技术中相对流行的一种，但NAND和NOR都是由同一名东芝公司的工程师在上世纪80年代中期发明的。要理解这两个种类的区别和命名，需要简要回顾一下逻辑门的基础知识。

　　NAND和NOR分别涉及到布尔逻辑函数中的逻辑“和”（and）以及“或”（or）。如下所示，NAND和NOR都生成响应两个二进制输入的输出。

响应两个二进制输入的NAND和NOR输出

　　NAND和NOR逻辑门仅仅为它们各自的功能实现了上面这个真值表。

　　NAND门在概念上是作为AND门实现的——当两个输入都是1时输出1——后面跟着一个NOT门，这是一个逻辑反转。相应的，NOR门在概念上是一个OR门——有任何一个输入是1时输出1，然后是NOT门，这是一个逻辑倒装。

　　布尔逻辑的背景对于理解NAND和NOR闪存至关重要，因为闪存单元被连接到一个行和列的数组中。在NAND闪存中，一组中的所有单元(通常是一个字节的倍数，取决于芯片的大小)共享一条位线，并以串行方式连接每个单元，每个单元连接到一个单独的字行。同一字行连接一个内存块中的多个字节，通常为4 KB到16 KB。因此，只有当所有的字线都是高或单状态时，位线才会降低或变为零状态，这实际上将内存组转换为一个多输入NAND门。

　　与此相反，NOR闪存并行组织位线的方式是，当位线和字线都处于低或零状态时，内存单元只保持高或单状态。

　　NAND单元的串联结构使得它们可以通过导电层(或掺杂层)连接在衬底上，而不需要外部接触，从而显著减少了其横截面积。

　　NAND闪存单元的串联连接意味着它们不需要单元之间通过金属层进行外部接触——而这正是NOR拓扑结构所需的。使用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度通常比NOR高两个数量级，或100倍。此外，组内单元的串联连接使它们可以垂直地堆积在3D数组中，位线类似于垂直管道。

　　相反，由于NOR闪存单元不能单独寻址，因此它们对于随机访问应用程序更快。

　　NAND与NOR产品类型

　　这两种类型的闪存具有明显的特性和性能差异，它们有各自最适合的应用程序类型。除了容量外，NAND和NOR闪存还具有不同的运行、性能和成本特性，如下图所示。

　　这两种闪存中也有几种不同的产品类型，它们在I/O接口、写入持久性、可靠性和嵌入式控制功能方面有所不同。

　　NAND闪存产品类型

　　NAND闪存以单层（SLC）、多层（MLC）、三层（TLC）或四层（QLC）的形式在每个单元（cell）中存储bit，分别为1 bit/cell、2 bit/cell、3 bit/cell、4 bit/cell。要确定哪种类型的NAND最适合于工作负载，简单来说，每个单元的位数越高，其容量就越大——当然，是以数据持久性和稳定性为代价的。

　　NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片，这些外围电路使NAND闪存可以在SSD、U盘或其他存储设备中使用。相比之下，托管型NAND产品嵌入了一个内存控制器来处理必要的功能，比如磨损调平、坏块管理(从使用中消除非功能性内存块)和数据冗余。

　　NOR闪存产品类型

　　串行设备通过只暴露少量(通常是1到8个)I/O信号来减少包的pin数。对于需要快速连续读取的应用程序来说，这是理想的选择。NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

　　并行NOR产品暴露多个字节，而且通常使用内存页而不是单独的字节进行操作，更适用于启动代码和高容量应用程序，包括数码单反相机、存储卡和电话。

　　两种闪存都是不可或缺的

　　NAND是闪存的主力，广泛用于嵌入式系统和SSD等存储设备的大容量数据存储。不过，NOR 闪存在存储可执行的启动代码和需要频繁随机读取小数据集的应用程序方面起着关键作用。显然，这两种类型的闪存将继续在计算机、网络和存储系统的设计中发挥作用。

　　原文作者：Kurt Marko

固态硬盘如果发现坏块就完蛋了

我们熟知的NAND闪存，还有个“双胞胎兄弟”

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