三星西安NAND闪存工厂全面投产,占全球总产量超10%
三星位于西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂,近期已完成了第二工厂的扩建工程,并在这个月初投产,开工率已达到100%。这将大幅度提高三星NAND闪存产量,有望扩大其市场份额。
据DigiTimes报道,第二工厂基于12英寸(300mm)晶圆,NAND闪存产量为每月13万片,加上第一工厂每月12万片,三星在西安NAND闪存工厂的总产量将达到每月25万片。此次扩建工程以后,三星西安NAND闪存工厂成为了全球单个产能最高的NAND闪存工厂,占三星NAND闪存总产量的40%以上,占全球NAND闪存总产量的10%以上。
据了解,三星在西安的NAND闪存工厂从2012年9月开始建设,并于2014年5月开始生产。三星最初计划在第一工厂投资70亿美元,随着设备的增加,最终投资额达到了108.7亿美元。其中NAND闪存生产线花了大概100亿美元,其余部分用在测试和封装设施上。第二工厂的建设始于2017年,并在2019年进行扩建和升级,第一期工程在去年年末完成,第二期工程则在今年2月份完成。三星最早在第二工厂投资了70亿美元,随后又追加了80亿美元。
三星目前占据了全球约三分之一的NAND闪存市场,处于行业领先的位置。随着西安第二工厂的全面投产,业界预计三星的市场份额将提高到35%到40%,继续稳固第一的位置。
2022年NAND市场规模、价格走势及重点企业经营情况
原文标题:2022年全球和中国NAND技术格局分析,国产长江存储有望追赶上三星等一线龙头「图」
一、NAND产业概述
NAND flash目前属于主流只读存储器,除开DRAM在在储存芯片领域应用最多。
1、市场定位
就全球存储芯片定位而言,除开占比全球储存市场61%的市场份额的DRAM外,NAND占比36%。主要原因是DRAM属于易失存储器,多用与cpu缓存和图像系统的帧缓存区,起到临时储存数据的功能,属与电子设备必须的组成部分。而NAND属于只读存储器,即使断电也能够储存数据,是数据储存和多次采用的关键。
2021年全球存储细分市场结构占比情况
资料来源:WSTS,华经产业研究院整理
2、分类状况
NAND芯片按结构可划分2D NAND和3D NAND,随着2D NAND的线宽已接近物理极限,目前如三星等企业在14nm等已停滞数年,NAND闪存已进入3D时代。按照闪存颗粒储存原理又可分为根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC,层级逐步升高。
四种类型的 NAND闪存单元存储量及单元擦/写寿命
资料来源:公开资料整理
二、NAND技术及国产化历程
1、技术历程
随着2D NAND逐步被3D NAND替代,3D NAND企业持续推进NAND层数,从目前堆叠层数看,今年5月,美光发布首款232层NAND,并预计今年年底量产,三星预计在今年年底推出200+层的NAND,铠侠目前制程停留在112层。国产企业长江存储持续追赶,国产化替代持续将进行。
全球3D NAND主要领先企业技术路线图
资料来源:公开资料整理
2、国产化历程
长江存储致力于提供3D NAND闪存设计、制造和存储器解决方案的一体化服务,产品广泛用于移动通信、消费数码、计算机、服务器等领域。企业于2016年7月在武汉成立,发展2021年底就已经达到了每月生产10万片晶圆的产能,截止2022年上半年已完成架构为128层的NAND量产,近日有新闻称,长江存储将跳过原定192层NAND,直接挑战232层NAND,并有望于2022年底量产。若长存在年底量产232层NAND,将缩小一代制程差距,成功追上国际大厂。
长江存储技术发展历程
资料来源:公开资料整理
三、NAND产业链
1、供给端
全球电子信息产业快速发展,硅资源作为集成电路发展基础资源,整体产量保持稳定增长,叠加2021年需求爆发,下半年价格高涨,全球产量达到412万吨,其中中国产量321万吨,主要增量由中国提供,2019年以来,环保政策趋严背景,国内去低端产能持续推进,中国工业硅产能持续下降,带动全球工业硅产能逐步收缩。
2014-2021年全球工业硅产能产量走势图
资料来源:广期所,华经产业研究院整理
2、应用端:
智能手机仍是目前NAND主要下游应用组成,占比从2019年的40%下降至37%,PC变动幅度较小,企业级小幅度上升至18%,其他如主机、内存卡等占比17%左右。整体来看,随着全球智能手机端增速放缓,单机容量提升已成为主要推动力。服务器端,受益人工智能、物联网和云计算等应用兴起,服务器出货量及单机容量提升推动增长。
2020年全球NAND下游结构占比情况
资料来源:公开资料整理
四、NAND市场现状
1、市场规模
随着全球计算机产业快速发展,电子信息技术需求持续提高,叠加人们生活水平提高,精神需求提升,PC和服务器等需求持续增长,带动全球NAND市场规模自2019年快速增长,2019年受智能手机终端需求疲软影响,加之国产企业实现量产,整体价格下降,市场规模出现较大下降,随着5g推动智能手机需求回暖加之PC等需求稳步增长,市场回暖,2021年市场规模达686亿美元。预计随着物联网、自动驾驶等新兴产业智能化推进,存储芯片需求将出现快速增长。
2016-2021年全球NAND市场规模及增长率
资料来源:Statista,华经产业研究院整理
2、市场结构
细分结构而言,随着技术持续发展,TLC和QLC成本持续走低,市场占比逐步上升,截止2020年数据来看,单元储量为3bit/cell的TLC已成为占比最高的NAND闪存组成,4bit/cell的QLC占比也已经超过10%,预计随着技术的开发,成本有望持续下降,TLC和QLC仍有较大渗透空间。
2020年NAND闪存细分类型结构占比情况
资料来源:智能计算芯世界,华经产业研究院整理
3、市场价格
全球NAND市场价格分为合约价和现货价,价格走势是跟踪景气变化的关键指标。随着铠侠及西部数据产能逐月提升,全球NAND产能逐渐恢复,但消费性电子需求疲软,供需整体趋向平衡。5月合约价月环比持平,持续坚挺,现货价涨跌不一。MLC NAND 5月合约价环比无变化,月同比上涨5%-8%。截止5月中旬,3D TLC 1Tb的现货价为19.43美元。
2019-2022年6月3D TLC NAND芯片现货价走势
资料来源:Dramexchange,公开资料整理
4、区域分布
中国是全球第一大NAND市场,占据37%的市场份额,美国占NAND市场的31%,位列第二;长存量产前,本土自给率几乎为0;长江存储大陆首家3D NAND IDM厂商,2016年成立,计划建立三个工厂,每个工厂规划产能为10万片/月,计划于2025年实现满产; 2021年中国大陆NAND产能占全球6%,长存NAND产能占全球6%,引领大陆发展
2019年全球NAND主要国家地区占比分布情况
资料来源:Yole,华经产业研究院整理
四、竞争格局
1、市场集中度
相较市场高度集中DRAM市场,NAND集中度略低,CR3达67%,其中三星占比最高,达34%。
就近期格局变动情况而言,三星计划于今年 5 月初在其平泽工厂的新先进晶圆厂 P3 上安装晶圆厂设备,预计首先为 NAND 生产安装晶圆厂设备,而 SK海力士在 2021 年底收购了 Intel 位于大连的 NAND 业务后,也将于今年 5月在大连建设新的 3D NAND 闪存晶圆厂,继续扩大产能。英特尔出售NAND业务,但保留Optane傲腾业务,符合转型需求。国产长江存储在去年实现 128 层 3D NAND 的量产后将继续攻克 200 层以上的技术,总产能有望从 2021 年的 10 万片/月增长至 2022年的 30 万片/月。提升生产良率,在大规模商用投产后NAND将受到冲击。
2021年全球NAND主要企业市占率情况
资料来源:Statista,华经产业研究院整理
2、主要企业经营现状
随着整体电子信息产业需求快速扩张,三星作为NAND龙头受益NAND营收快速增长,一度在2021年Q3达到今年最大值65.1亿美元,原料高涨背景下,疫情影响NAND供给下降叠加整体NAND价格持续高涨,是营收增长的关键因素,随着原料供求充足整体供给回升,价格回落,2022年2月西数和铠侠称遭遇材料污染,市场价格转跌为涨,三星受益营收再度上升。随着生产恢复,预计2022年q3价格将下降。
2019-2022年Q1三星NAND营收变动情况
资料来源:TrendForce,华经产业研究院整理
六、NAND国产整体前景
随着国产企业长江储存在2016成立,并随后在2018年完成32层 MLC NAND,标志着国内国产替代开始,目前长江储存已能够达到128层 NAND,部分新闻显示截止2022年底有望完成新产品,届时或将影响全球NAND格局,真正意义上芯片赶上国际一线水平。目前长江储存产品包括致态 PCle 3.0固态硬盘、致钛系列固态硬盘(SATA 2.5')等面向个人和企业用户,整体价格与技术亦可与国际品牌竞争。
原文标题:2022年全球和中国NAND技术格局分析,国产长江存储有望追赶上三星等一线龙头「图」
华经产业研究院对中国NAND行业发展现状、行业上下游产业链、竞争格局及重点企业等进行了深入剖析,最大限度地降低企业投资风险与经营成本,提高企业竞争力;并运用多种数据分析技术,对行业发展趋势进行预测,以便企业能及时抢占市场先机;更多详细内容,请关注华经产业研究院出版的《2022-2027年中国NAND闪存行业市场调研及未来发展趋势预测报告》。
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