nor nand 成本差距电子行业深度报告供需呈现结构性差异,国产化仍是长期主线（上）

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

电子行业深度报告供需呈现结构性差异,国产化仍是长期主线（上）

（报告出品方：中信建投证券）

一、需求端：呈结构性分化态势，汽车、工业景气度高企

1.1 智能车：未来将是最大智能终端，汽车电子成长潜力巨大

未来汽车将成为最大的智能终端，其产品与服务体系将共同组成一个新型的场景和商业模式，成为一个新的生态系统。从硬件层面看，整车电子电气相关价值量将大幅提升。传统燃油车汽车电子占比 15%，新能源车 BOM 成本中，现阶段汽车电子（含电控电驱）合计占比 20%，除电池以外最大，预计未来占比进一步提升。电子零部件中，最大市场在 ECU/DCU（包括计算芯片在内的计算单元）、功率半导体、其他电子元件，复合增速最快的是 ECU/DCU、功率半导体、其他电子元件等，其他汽车电子包括 MCU、模拟 IC、存储、被动元件、 PCB、面板等。

1.1.1 功率半导体：电车半导体的最大增量，IGBT、SiC 等需求高速增长

功率半导体作为电动车半导体价值增量中最大部分，随着电动车销量增长未来成长空间巨大。假设燃油车功率半导体价值量为 88 美元，根据 Strategy Analytics 的统计，纯电汽车的功率半导体价值增量超过 400 美元，预计 2022 年全球车规级功率半导体市场规模达到 98 亿美元。其中电动车 75%的功率半导体用于电驱系统中的逆变器，例如 IGBT 模块，MOSFETs 模块以及 SiC MOSFETs 模块，而剩下的 25%的功率半导体则用于车载充电机（OBC），直流-直流升/降压（DC-DC），电池管理系统、电动空调等设备。

电动车的功率半导体价值增量大部分来自 IGBT 模块。单车 MOSFETs 为 400 元左右的价值量，1 个 IGBT 模块约 1000 元左右，目前 A0/A00 级电动车用 1 个逆变器，1 个 IGBT 模块，如果是四驱的电动车一般采用 2 个模块，价值量为 2000 元左右，大巴车用 3 个模块，价值量为 3000 元左右，所以 IGBT 平均单车价值量约为 2000 元人民币。充电桩领域以 6.6KW 慢充为例，大概需要 20 多颗 IGBT 和 MOSFET 分立器件，总体成本在 300 元以下。

预计 2025 年国内 IGBT 市场规模将增长至 464 亿元人民币，其中电动车为最大市场。2021 年全球电动车销量从 2020 年的 324 万大幅增长 108%达到 675 万辆，市场份额从 2020 年的 4.2%增长至 8.3%，仅电动车就贡献了约 11 亿美元的 IGBT 销售金额增量，预计全球 IGBT 市场规模在 2021 年达到 87.8 亿美元。IGBT 模块在电动车电驱主控制器常用于逆变器的核心部件，随着电动车在全球范围内渗透率快速提升整个市场份额占比预计从 2020 年的 55%提升至 2022 年的 62%，IGBT 单管在电动车、光伏等领域均有应用，预计份额保持不变，而 IPM 模块在家电和工控领域应用更多，但是由于家电和工控市场增长趋缓，预计在整个 IGBT 市场中的份额逐渐下降。国内 IGBT 市场受益于电动车、风电、光伏等新能源相关需求的快速增长，预计 2025 年国内 IGBT 市场规模将增长至 464 亿元人民币。

2022 年将是国产 IGBT 厂商份额大幅提升的一年。海外 IGBT 龙头厂商扩产进度低于预期，反观国产厂商对于国内电动车政策理解更深刻，扩产也更积极，无论是与时代电气采用 IDM 生产模式的士兰微、比亚迪，还是采用晶圆代工模式的斯达半导体，在 2022 年的供应比例均大幅提升，国产厂商份额在 2022 年总计将达到 43%。我们认为率先实现导入的时代电气、斯达半导、比亚迪和士兰微将持续受益于车规级 IGBT 模块国产化进程。

SiC 功率器件预计成为车厂的标配，2026 年市场空间接近 50 亿美金。目前采用碳化硅模块作为逆变器的汽车厂商以特斯拉和比亚迪为代表，其中特斯拉 Model3 的主驱动逆变器采用了 24 个 SiC MOSFET，每个模块有 2 个 SiC 裸晶(Die)共 48 颗 SiC MOSFET，总成本约为 5000 元。比亚迪汉后驱三相桥 6 桥臂采用了 30 个 SiC MOS 模块，总成本 7000 元。在 2021 年发布的新款车型中，蔚来 ET、小鹏的 G9、广汽埃安的 LX 和长城的机甲龙均计划采用碳化硅模块作为逆变器，一个系统用到 30-50 个 SiC 芯片，以小鹏 G9 为例，一个碳化硅模块价格达到 800 美元，几乎是硅基模块的 5 倍。全球碳化硅龙头 WolfSpeed 预计 2026 年行业车用碳化硅功率器件市场规模将从 2022 年的 16 亿美金增长至 2026 年的 46 亿美金，预计车用领域占总需求的比例为 70%-80%。

1.1.2 传感器：自动驾驶所需信息输入大增，摄像头、激光雷达等增长动能强劲

自动驾驶与辅助驾驶将在未来智能汽车中广泛应用，自动驾驶与 ADAS 分为感知层、决策层、执行层三层技术架构。感知层的作用为收集及预处理周围环境的信息，决策层对收集的数据整合、分析与判断，执行层根据判断结果做出实时反应。三层技术架构分别对应（1）我在哪里？即感知和定位；（2）我要去哪儿？即决策和规划；（3）我怎么去？即控制和执行。感知层是汽车的“眼睛”，包括视觉、毫米波雷达、激光雷达等多种传感器遍布车身以保证驾驶安全。

高级别的自动驾驶需要使用大量的摄像头作为视觉信息输入。自动驾驶与 ADAS 感知层的主流传感技术包括视觉、电磁波雷达（毫米波雷达和激光雷达为主）及超声波雷达，这些传感器遍布车身，实现 360 度无死角和远中近扫描，保证驾驶安全。越高级别的自动驾驶所需传感器数量越多，L3 以上智能车将需要使用大量的摄像头作为视觉信息的输入，以保证自动驾驶安全，因此车载摄像头成为巨大增量市场。

越高级别的自动驾驶所需摄像头及传感器数量越多。例如，L3 级别的奥迪 A8 用到了 5 个摄像头、1 个激光雷达、1 个远程毫米波雷达、4 个中程毫米波，12 个超声波雷达；L3 级别的蔚来 ET7 搭载了 11 个高清摄像头，12 个微波雷达、5 个毫米波雷达、1 个超远距高精度激光雷达。由于汽车对于安全冗余的要求较高，而视觉信息是 ADAS 感知层面的核心输入，因此摄像头的数量也会呈现高速增长的趋势。一般情况下，L2 级别的自动驾驶平均搭载 6 个摄像头，承担泊车辅助（PA）、车道保持辅助（LKA）的功能；L3 级别的自动驾驶平均搭载 13 个摄像头，增加了自动制动（AEB）、驾驶员监控（DM）、交通拥堵辅助（TJA）等功能；L4 级别的自动驾驶平均需要搭载 29 个摄像头，增加了高速无人驾驶辅助和传感器融合；而实现 L5 级别的无人驾驶，则需要 30 个以上的摄像头来辅助完成。

1、车载摄像头使用场景包括前视、环视、侧视、后视和舱内监控等。根据目前主流智能车型传感器搭配方案中，摄像头使用场景包括（1）ADAS 前视，实现驾驶辅助功能，如车道偏离预警、行人碰撞预警、交通标志识别；（2）360°环视，侧视，消除盲点，为驾驶员提供 360°的环视景象，通常安装在外后视镜、车内 C 柱等，另外，侧视摄像头还被应用于生物识别功能，比如，在智能座舱中，我们经常用到的人脸识别开车门；（3）后视，获取车辆后方信息，如在自动泊车场景下实现安全停车；（4）内视，通常安装在方向盘、中控、顶棚等，以实现对车内情况的监控，如驾驶员认证，驾驶员注意力监测等，当驾驶员出现驾驶疲劳状况时，车辆会通过警报的形式（声音，灯光，减速，甚至是方向盘振动）提醒驾驶员；（5）车载摄像头还可以用作拍照、视频会议、车内支付等功能，例如拜腾 M-Byte 可以结合摄像头用手势来控制中控仪表界面。

2、车载镜头市场规模将迅速增长，伴随数量提升和规格升级。车载镜头是车载摄像头的重要组件，摄像头模组与镜头组通常是一对一的关系。一方面，随着 ADAS 渗透率提升，单车使用车载镜头数量将从目前的 2 颗提升至 6-8 颗，带来较大的市场增量空间。另一方面，由于 ADAS 镜头对于高可靠性、高耐热性、广角、宽动态等的要求，价值量比传统环视镜头有较大提升，目前普通车载环视镜头平均单价 5-6 美金，ADAS 感知镜头价格可达 10-20 美金。我们判断全球车载镜头市场规模将从 2021 年的约 7 亿美金增长至 2025 年 30 亿美金以上，并在 2030 年达到 70 亿美金以上。

3、车载图像传感器量价齐升，增长动能强劲。汽车电子应用领域内，多样的应用场景为芯片设计提出了不同的细节需求。例如夜视性能、更高的动态范围、出色的 LED 防闪烁抑制性能，以及全局快门的无形变精准成像等。随着车载摄像头使用场景更加丰富，性能和要求提高，汽车 CIS 也迎来量价齐升，行业增长动能强劲。根据 Frost & Sullivan 统计，2020 年，汽车电子领域 CMOS 图像传感器的出货量和销售额分别为 4.0 亿颗和 20.2 亿美元，分别占比 5.2%和 11.3%；预计汽车电子 CMOS 图像传感器出货量和销售额将在 2025 年达到 9.5 亿颗和 53.3 亿美元，市场份额占比将分别上升至 8.2%和 16.1%，预期年复合增长率将达到 18.89%和 21.42%。根据 Frost & Sullivan， 2020 年度智能车载 CMOS 图像传感器市场中，安森美、豪威科技、索尼份额分别为 54%、29%和 8%。

4、激光雷达量产元年，行业长期增长趋势明确。激光雷达相比摄像头、毫米波雷达等传感器具有分辨率高、受环境条件影响小等优点，其是自动驾驶系统的必选项已逐步成为业内共识。2021 年包括蔚来 ET7、小鹏 P5、威马 M7、极狐阿尔法 S 全新 HI、上汽智己 L7 等车型均搭载激光雷达作为自动驾驶系统的传感器。随着多款搭载激光雷达的车型逐步上市，我们预计 2022 年将成为激光雷达量产元年。根据我们测算，在保守估计下，2025 年中国 ADAS 领域激光雷达市场规模为 19 亿美元，乐观估计可达 45 亿美元。放眼全球，Strategy Analytic 预测 ADAS 领域的激光雷达需求量将从 2020 年的 4.8 万台增长到 2028 年的 970.7 万台，2020-2028 年 CAGR 达到 94.2%。根据 Frost&Sullivan 预测，2025 年全球车载激光雷达市场规模将超过 80 亿美元，中国车载激光雷达市场规模将超过 20 亿美元。

上游元器件占激光雷达成本 40%以上，未来随着行业爆发将优先受益。此外光学镜头、滤光片和保护罩等一系列光学器件也需要 100 美元以上，即占比超过 10%。根据 Systemplus Consulting 数据，4 线转镜式激光雷达 SCALA （4 路 905nm 激光）的激光源 BOM 占比 23%，转镜机械单元 BOM 占比 13%；双楔形旋转棱镜激光雷达 Livox 的激光源 BOM 占比 7%，光学组件 BOM 占比 54%。因此，激光源和光学器件等上游元器件是机械式和半固态式激光雷达 BOM 的核心组成，未来随着行业爆发将优先受益。

1.1.3 MCU：汽车电动化、智能化驱动成长，车规级 MCU 量价齐升

MCU 近 200 亿美元广阔空间，中国占近 30%。全球市场，根据 IC Insights，全球 MCU 销售随着 2021 年经济复苏的强劲增长而回升，MCU 市场在疫情危机爆发的 2020 年下跌 2%后攀升 23%，达到 196 亿美元的新高，2015-2021 年复合增速为 3.5%，预计至 2026 年达 272 亿美元，2021-2026 年复合增速达 6.8%。中国市场，根据 IHS，2021 年国内 MCU 市场有望大幅成长 36%至 365 亿人民币（56 亿美元，占全球的 29%），2015-2021 年复合增速为 12.5%，预计至 2026 年达到 513 亿人民币，2021-2026 年复合增速达 7.0%。

汽车电子中高阶系统多采用 32 位 MCU，价值量也以 32 位为主。车载 MCU 主要包括 32、16 和 8 位 MCU，分别占价值量的 77%、18%和 5%。8 位 MCU 主要应用于风扇控制、空调控制、雨刷、天窗、座椅控制、门控模块等较低阶的控制功能。16 位 MCU 主要应用为动力传动系统，如引擎控制、齿轮与离合器控制，和电子式涡轮系统等。32 位 MCU 主要应用于仪表板控制、车身控制、多媒体信息系统、引擎控制、智能性和实时性的安全系统及动力系统等高阶功能。

与消费级和工业级 MCU 相比，车规级 MCU 具有以下特点：（1）技术壁垒高。车规级 MCU 壁垒较高，大部分国内厂商在生产工艺、良品率、认证标准等处于追赶阶段。（2）车规认证难。需要满足 AECQ100（IC）和 ISO 26262 标准，一般需要 2~3 年时间，对供应商短期内的业绩没有较大的加持。（3）格局固化。全球整车供应链基本固化，新厂商切入较为困难。因此，目前国内外市场中，车规级 MCU 以海外厂商为主，行业集中度高，2020 年 CR7 达到 98%。

车规 MCU 市场海外厂商主导，国内厂商正大力布局车规级 MCU。国际格局：全球 MCU 市场集中度较高，CR10 为 88.9%，但没有绝对的垄断企业，国际龙头如瑞萨、恩智浦、英飞凌、意法、微芯等，市占率也仅 10%~20%，其产品侧重于于汽车电子、工业控制和通信等高端领域。国内格局：国内 MCU 厂商以消费电子、物联网、计算机等为主，集中于中低端产品，较少布局汽车和工控医疗。目前，国内正涌现出一大批车规级 MCU 的参与者，包括兆易创新、北京君正、国芯科技、杰发科技、芯驰、比亚迪半导体、芯旺微、赛腾微等，都已有或者正在推出车规级 MCU。

1.1.4 存储：汽车智能化带来海量信息，数据存储需求大幅增长

根据 Gartner，从各类半导体元件价值占比看，目前车载半导体元件价值量较高的有 MPU/MCU（占比 17%）、分立器件（16%）、模拟（14%）、非光电传感器（10%）、光电器件（9%），存储芯片占比约 9%，推算单车存储芯片价值量在 50-60 美元。

汽车智能化驱动数据存储需求，车载存储市场有望提速增长。2020 年全球车载存储市场规模约 46 亿美元， 2016-2020 年复合增速为 11.4%，预计随着汽车智能化水平的提升，车载存储市场提速增长，主要体现在 DRAM（尤其是新能源车用的 LPDDR）、NAND 等需求高速增长，2021 年车载存储市场将达到 56.6 亿美元， 2025 年增长至 119.4 亿美元，2021-2025 年复合增速为 21.0%。从结构看，车载存储市场以 DRAM 和 NAND 为主，占比分别为 57%和 23%，NOR Flash、SRAM 和 EPROM/EEPROM 也在车内有广泛应用。

1、DRAM 车载存储需求主要来自 ADAS 和 IVI 系统。ADAS 和 IVI 系统主要采用大容量存储，包括 DRAM 和 NAND。根据 SK 海力士，智能车对于 DRAM、NAND 等存储芯片的需求主要集中在信息娱乐&数字仪表盘、ADAS/自动驾驶、后座娱乐、事故记录、连接、高精度定位地图等应用，单车 DRAM 位元用量最高可达 150GB，NAND 位元用量合计可接近 2TB。从单个应用来看，智能车的信息娱乐&数字仪表盘、ADAS/自动驾驶、连接、后座娱乐等位元用量相当于或超过旗舰智能手机单机用量，事故记录、连接、高精度定位地图等位元用量也与中低端智能手机相当。当前主要车型的 DRAM 用量仍低，仅 IVI 系统使用量最高，因为目前 ADAS 渗透率仍较低，且相对 ADAS 系统而言，IVI 系统技术门槛较低，成熟度较高。

2、NOR Flash：NOR Flash 适用于小容量、快启动、高可靠领域，适用于汽车各个子系统。NOR Flash 最初从车用广播开始渗透，容量 1Mb，但过去十年来，中央控制台中的车载通讯以及其他特性和功能均提高了对于存储的需求，例如，汽车仪表板装载各种高解析的图形显示，因而一般需要 12Mb 甚至高达 1Gb 的 NOR Flash。NOR Flash 具有长时间数据保留、耐热（高可靠）、快启动等优势，同时车载 Flash 具有碎片化分布和低容量的特点，低容量 NAND 不具备成本优势，因此 NOR Flash 应用范围逐步拓展至显示屏、数字仪表盘、摄像头等传感器、动力传动系统、引擎控制系统和底盘控制等众多位置。根据 CINNO Research，2020 年全球 NOR Flash 市场规模为 31 亿美元，预计 2021 年达到 34 亿美元，其中车载 NOR Flash 市场规模约 6-8 亿美元。

汽车智能化拉动高阶 NOR Flash 需求。随着汽车智能化水平提升，其需要搭配更多存储芯片，许多技术都瞄准了车辆的核心应用，而 NOR Flash 则从子系统延伸至更多的车用体验，特别是 ADAS 系统。随着自动驾驶从 level 2 延伸至 level 3、level 4，也对 NOR Flash 的高容量和读写性能提出更高的要求。目前全球 NOR Flash 市场中，华邦电、旺宏、兆易创新、Cypress 四家占据 74%的市场份额，美光、 Cypress 在快速退出 NOR Flash 市场，收入规模缩水明显。车载市场领域，Cypress、美光、华邦电、旺宏、兆易创新均重点布局车载市场，处于领先位置。

1.1.5 模拟：新能源车新增数字隔离等模拟 IC 需求，本土厂商成长空间巨大

模拟 IC 在燃油车上有广泛应用，新能源汽车带来新增需求。比如发动机燃油喷射应用中高效控制电磁阀、 12V 电池管理、启动发电机、变速器、悬架、EPS 的位置检测及电流检测等，LED 驱动器用于外部车灯及内部氛围灯的驱动，音视频驱动 IC 用于车内多媒体系统。另外出于安全性考虑，汽车各子系统都有稳压、静电防护、信号隔绝等需求。新能源汽车包括混合动力汽车（PHEV）和纯电动汽车（BEV），动力总成部分主要包括了电机控制器、OBC、DC/DC、BMS 等，同时智能驾驶在传感器方面的需求也将推动模拟芯片市场发展。根据意法半导体的测算，电动车上 DC-DC 转换和电池管理系统 BMS 的单车价值量分别在 130 和 80 美元。

新能源汽车新增了多种数字隔离类芯片产品的需求。出于安规和设备保护的需求，数字隔离类芯片应用于新能源汽车高瓦数功率电子设备中，成为新型电子传动系统和电池系统的关键组件。以电机驱动为例，电控单元（ECU）和电机控制器之间的 CAN 通讯需要隔离芯片，功率管和控制器之间需要隔离栅极驱动器，电机驱动的电流采样需要隔离 ADC/隔离运放。

汽车的电动化和智能化使得单车芯片需求量增长，车规级模拟芯片单车价值量和需求提升。根据英飞凌和 IC Insights 数据，2021 年混合动力和纯电动车单车半导体价值量分别为 910 美金和 964 美金，较传统燃油车 495 美金分别提升 84%和 95%，其中价值量增量部分约 25%为 OBC/DC-DC/BMS 及其他模拟芯片。根据 IDC 数据，全球汽车领域半导体市场规模将在 2026 年达到 669.63 亿美元，2022-2026 年复合增长率（CAGR）为 4.7%，汽车模拟芯片市场规模约为 170 亿美元，在汽车芯片中占比约为 25%。目前车规级模拟 IC 国产化率较低，未来成长空间巨大。当前行景气度高，国产模拟 IC 进入车企时间窗口开启。（报告来源：未来智库）

1.2 消费电子：手机大盘需求承压，下半年有望边际改善

1.2.1 智能手机：疫情与通胀压制需求，下半年手机大盘有望恢复正增长

疫情及通胀影响下，全球手机市场需求疲弱。我们预计全球全年出货下滑 1.8%，国内全年下滑 5.9%。 2022 年 Q1，对全球通胀和经济增速的严重担忧抑制了消费者支出，再加上零部件和运输成本的上涨以及国内的防疫封控等政策，智能手机市场受到较为严重的影响。IDC 数据显示，2022 年 Q1 全球智能手机出货量同比下降 8.9%，连续第三个季度同比下滑。

从地区的角度来看，下降幅度最大的是乌克兰、俄罗斯和东欧其他地区，中欧和东欧地区同比下降了近 20%，目前前景仍不确定。从数量的角度来看，中东欧仅占全球出货量的 6-7%，对全球影响较小，而全球出货量下降幅度最大的是中国和亚太地区，该地区占全球出货量的近一半，而 21 年第一季度下降 12.3%。由于地缘政治、宏观经济和疫情的不确定性，我们预计全年全球手机市场出货 13.3 亿部，同比下滑 1.8%，国内手机市场出货 3.1 亿部，同比下滑 5.9%。

1、品牌厂商：苹果增长确定性较强，国内安卓品牌厂商阶段性承压，有望在下半年恢复正增长。苹果及三星增速优于大盘，苹果全年增长确定性较强。2022 年一季度，苹果和三星出货量增速（2.2%/- 1.2%）显著好于全球出货增速（-8.9%），主要原因为：1）国内市场的出货量下降幅度高于全球，而苹果/三星国内占比相对不高；2）海外市场疫情常态化，消费需求释放节奏较为平稳；3）苹果/三星具有更强大的供应链控制能力。但目前由于全球性通胀蔓延，主要经济体进入经济下行周期，对于下半年全球市场消费力也将带来一定不确定性。由于高端手机市场受到全球宏观经济影响相对较小，我们认为苹果全年的增长确定性依然较强，我们预测苹果全年将实现 2.4 亿部的手机出货，同比增长 3%。

2、代工组装：疫情封控部分影响了主要厂商的物流和产能情况，但目前已逐步恢复，全年影响可控。由于厂区分布不同，下游代工厂受到疫情的影响程度有所差异，五月中旬后产能均开始边际恢复。富士康方面，全球厂区分散，国内厂区主要集中在郑州、深圳、惠州、中山等地，国内大部分厂区采用闭环方式正常生产，疫情整体影响有限。和硕方面，国内厂区主要在昆山、上海，五月中旬昆山厂已复工，上海尚未复工，因此二季度营收影响较大。立讯精密方面，国内厂区主要分布在昆山、吉安、东莞、苏州等地，将近 60%产能在华东实现，因此二季度存在一些不确定因素。整体来看，由于二季度为淡季，产能利用率较低，产能调配较为灵活，四月损失的产能在五六月份有望能够补回，对于代工厂全年的影响可控。

3、光学元件：目前降规降配的压力仍在持续，但同比数据正出现边际转好的可能性。手机光学镜头方面，降规降配趋势持续，大立光承压最严重，舜宇光学已开始边际改善。全球光学镜头龙头厂商大立光月度营收连续 15 个月同比下降，一定程度上体现了疫情之后光学厂商短期面临的压力：手机厂商在需求疲软压力下光学规格升级的趋势放缓，中低端降规降配的势头尚未得到缓解，进一步带来激烈的价格竞争，上游光学厂商的利润进一步压缩。因此产品规格最高、技术创新最领先的大立光受到冲击最为严重，处在追赶者位置的舜宇光学则由于高端产品导入海外大客户、同时又与二线厂商如瑞声科技等拉开一定技术差距，因此在格局上相对处于较好的攻守位置，从 4 月数据来看，舜宇光学手机镜头出货量在经历 10 个月的同比下滑后，同比环比均已开始转正。我们预计舜宇光学 5、6 月份数据会比较明显得到边际改善。

手机光学摄像头模组方面，月度下滑幅度较高，但有望未来几个月逐季环比向好。舜宇光学手机摄像头模组出货量在 2022 年以来月度数据均出现双位数的同比下滑，与安卓品牌厂商的出货量下滑幅度较为一致，需求疲弱与基数较高是重要原因，但 4 月环比数据已出现转正，我们认为未来几个月份很可能出现逐季环比向好的趋势，并在下半年达到同比转正。处在追赶者位置的丘钛科技数据表现比较平稳，与舜宇在手机镜头上的表现优于大立光同样逻辑，丘钛科技由于高端产品导入国内大客户、同时又与其他低端模组厂商如合力泰、同兴达等拉开一定技术差距，因此在格局上相对处于较好的位置。我们预计手机摄像头模组厂营收数据在下半年均会恢复平稳。

手机图像传感器方面，预计全年增速前低后高，高位库存带来的风险整体在可控范围。国内图像传感器厂商韦尔股份及格科微从 2021Q3 开始，季度收入连续 3 季度同比下滑，一季度两家公司同比环比均下滑。由于二季度国内下游需求仍较弱，同时基数较高，我们预计二季度同比转正仍有难度，下半年增速转正机会较大，预计全年增速呈现前低后高。

同时，两家公司的库存均已处于历史高位，主要是由于台积电等上游晶圆代工厂不断涨价，且产能较为紧张，公司为了控制成本和保证供应因此提前下单备库存，同时下游手机厂商的拉货速度不及预期。如果下游需求出现较大变化，高额存货可能对公司经营业绩及经营现金流产生不利影响，或产品价格大幅下跌带来跌价计提风险。我们认为两家公司的库存风险整体可控，韦尔股份 2021 年报中披露库存商品账面余额 51.8 亿，与一个月营收规模大体相当，格科微 2021 年报中披露库存商品与发出商品合计账面余额 12.4 亿，小于一个月营收规模，均处于正常水平。而原材料及在产品是公司提前下单的晶圆，目前也已减少下单，预计未来可以得到充分消化。

4、射频：全球射频仍处于去库存过程，但是国产替代需求仍然非常旺盛。海外龙头厂商方面，由高增速回落到低速增长。Skyworks 一季度仍保持较为稳定的同比增长，主要由于苹果是公司收入占比超过 50%的大客户，同时公司在三星、谷歌中的份额也较高，对于国内市场需求下降并不敏感。Qorvo 的季度增速趋势与 Skyworks 相似，同样是因为苹果占到公司收入超过 30%。但随着大客户机型已完成从 4G 到 5G 的切换，两家公司的收入同比增速也由高双位数下降到低个位数。我们认为随着 5G 市场技术逐渐成熟，海外射频龙头厂商可能会面临更大的压力，技术升级的放缓带来更为激烈的竞争，而国内的射频厂商则在安卓市场中获得越来越大的份额，压缩龙头厂商的生存空间。

中期来看，国内射频将继续受益于海外市场的 5G 渗透、国产替代需求。2022 年，尽管国内 5G 的渗透率已超过 70%，但海外市场的 5G 发展还远未完成。联发科预测 2022 年全球 5G 手机销量将达到 6.5-6.8 亿部， 5G 渗透率将从去年的 30%增加到今年的全球超过 50%。同时，国内厂商继续依靠高性价比优势对于海外龙头进行份额替代。

长期来看，我们认为国内射频厂商的机会在于高端产品的国产替代。随着相对容易的分立器件逐步完成国产替代，国产化也开始进入“深水区”，PAMiD 或将成为国产射频公司需要突破的技术高峰。5G 是射频前端最大机遇，同时也对射频前端性能提出了更高要求。经过两年的方案迭代，5G 目前主要分为 Phase7 系列方案及 Phase5N 两种方案。两种方案在 Sub-6GHz UHB 新频段部分方案相同，均为 L-PAMiF 集成模组方案；在 Sub3GHz 频段分别为 PAMiD 模组方案和 Phase5N 分立方案。PAMiD 模组被誉为射频“皇冠上的明珠”，必须要同时掌握有源（PA 及 LNA）及无源（SAW、BAW 或 FBAR）并掌握极强的系统设计能力，才能设计出 PAMiD 模组。目前掌握这些技术和资源的厂商只有 Skyworks、Qorvo、Broadcom 及 Qualcomm，这也是国产厂商技术攻关的主要方向。我们认为国内厂商未来将突破 PAMiD 为代表的高端产品，打开成长空间。

5、模拟 IC：国产化率仍处于较低水平，终端智能化的趋势驱动数模混合芯片市场空间打开。海外龙头厂商增速分化，国产化率仍处于较低水平，未来增长空间大。TI 一季度收入 49.05 亿美元，同比增长 14.36%，考虑到疫情影响导致需求减少而产生的影响，TI 对 2022Q2 营收预期在 42 亿美元至 48 亿美元之间，中值 45 亿美元，同比下降 1.75%。ADI 2022 财年第二季度收入 29.7 亿美元，同比增长 78.76%，ADI 对第三季度营收预期中值 30.5 亿美元，同比增长 73.41%。国内模拟 IC 厂商产品品类不断扩充以及产品竞争力的提升，随着未来产能逐步缓解，国产替代仍将持续，由于模拟 IC 在手机应用场景多，行业空间大，国内的模拟 IC 厂商有望获得越来越大的份额，在安卓手机市场基础上逐步拓展至苹果手机市场。2021 年国内前十名模拟 IC 企业收入合计约为 22.86 亿美元，根据 IC Insights 数据 2021 年全球模拟 IC 销售额为 741 亿美元，其中中国模拟 IC 市场规模预计超过 300 亿美元，中国厂商 CR10 占国内市场比例约为 7.6%，处于较低水平，未来仍有巨大的替代空间。

终端智能化的趋势驱动数模混合芯片市场空间打开。数模混合芯片其内部电路既有模拟电路基本模块，如电压源、电流源、运算放大器、比较器等模拟芯片基本单元；还会有数字逻辑功能模块，如倒相器、寄存器、触发器、MCU、内存等数字芯片基本单元。比如音频功放即声音功率放大的信号处理，由模拟功放向数字功放演进，形成数模混合类产品。马达驱动亦属于信号链分类，通过信号处理来驱动电子部件（音箱或马达），与音频功放具有类似技术属性，也是数模混合类产品。根据 Cirrus Logic 数据，2020 年终端产品音频及高性能数模混合芯片（包括 haptic driver、camera controllers 等）市场空间为 27 亿美元，预计到 2025 年将达到 65 亿美元，五年 CAGR 为 19.21%。2020 年数模混合芯片市场空间 4.35 亿美元其中智能手机 3.4 亿美元，其他设备（平板/可穿戴/AR/VR 等）0.95 亿美元，预计 2025 年数模混合芯片市场空间 35 亿美元其中智能手机 25 亿美元，其他设备 10 亿美元，高性能数模混合芯片五年 CAGR 为 51.75%，行业步入高速增长阶段。

1.2.2 可穿戴及智能家居：手表、TWS、ARVR 需求高增，全屋智能兴起带来智能终端机遇

1、智能手表：市场规模将持续增长，健康监测成为新增长点。根据 Counterpoint 数据，2021 年全球智能手表出货量为 1.27 亿件，同比增长 24%，我们预计智能手表市场未来仍会保持稳定的增长，并在 2025 年有望突破 2 亿出货量。一方面，传感器、芯片等技术不断迭代优化，手表的基础功能和续航得到提升，健康监测的准确性也大幅提升；另一方面，疫情成为新常态，大众健康意识增强，运动健康类智能手表市场需求不断上升。

2、TWS 耳机：预计 2022 年 TWS 耳机市场将继续稳定成长，品牌替代白牌趋势较为明确。自从 2017 年开始，TWS 耳机市场已经发展五年，呈现百花齐放的景象，产业链上下游也逐渐成熟完善。全球 TWS 耳机的出货量逐年递增，2022 年我们预计 TWS 耳机品牌销量还将稳定增长。一方面，TWS 耳机首批用户的换机潮已经到来，另一方面 TWS 耳机有新技术和新功能加持，满足新的使用场景需求，如心率监测，而 TWS 耳机品牌替代巨大白牌市场的趋势仍然持续，中端腰部市场占比提升，将为安卓 TWS 品牌带来较为明显的增长。

3、AR、VR：2021 年 VR 出货量破千万级，行业迎来飞速发展。根据 IDC，2021 年全年全球 AR/VR 头显出货量达 1,123 万台，同比增长 92.1%，其中 VR 头显出货量达 1,095 万台，突破年出货量一千万台的行业重要拐点，是继 2016 年后再度爆发一年。其中 Oculus 份额达到 80%。预计 2022 年，全球 VR 头显出货 1,573 万台，同比增长 43.6%。

4、智能家居：全屋智能兴起，智能照明、家庭安防、视频娱乐等终端快速增长。随着智能手机渗透率逐渐饱和，从移动智能终端逐步转移至全屋智能领域，智能家居主要分为以智能电视、智能机顶盒为代表的视频娱乐终端，以智能摄像头与智能门铃为代表的家庭安全监控终端，可以实现智能控制的照明设备和智能插座等。根据 IDC 的统计，2021 年智能家居终端出货量达到 8.96 亿个，预计 2026 年智能家居终端出货量将增长至 14.4亿个，复合增速达到 10%，其中增速最快的细分领域为智能照明，预计 2026 年出货量达到 2.47 亿，复合增速达到 24%。

家庭联网设备量激增，WiFi-6 为智能家居时代打造全新体验：智能家电普及率逐渐提升，需要连接 Wi-Fi 网络的设备量也急剧增长，从原来的 3C 数码产品到新增的扫地机器人，智能门铃，智能门锁，智能灯泡，智能音箱，智能插座，智能摄像头，智能窗帘等等。而随着接入网络的智能设备数量越来越多，数据传输量越来越大，当多个家庭成员同时尝试在自己的设备上播放带宽密集型视频时，便会受到带宽总量的限制，导致每个连接 WiFi 的成员或多或少都遇到了一定的网络连接性问题。为智能家居时代打造的最新一代的 WiFi6 技术将为室内无线网络带来一次革新，WiFi-6（11ax）理论带宽达到达到 9.6Gbps，相对于 WiFi-5 理论速度提升近 3 倍，AP 接入容量是 WiFi-5（11ac）的 4 倍，同时接入 WiFi-6 的终端功耗节约 30%以上，满足物联网终端对低功耗的要求。

我国机顶盒由于机顶盒产品换机周期一般为 2-3 年，经历了两年的招标集采量下滑以后，2021 年中国移动招标量开始恢复增长，由于国内机顶盒市场主要以运营商招标为主，因此招标量恢复后国内机顶盒市场再 2021 年迎来放量增长，预计 2022 年三大运营商规划采购量仍然达到 7000 万台左右。

2020 年下半年全球范围内疫情持续蔓延，居家时间延长，以 Roku，亚马逊和谷歌(Youtube)为代表的互联网流媒体厂商快速崛起，通过智能机顶盒作为流媒体新入口，海外 OTT 机顶盒销量快速增长，其中 Roku 的活跃用户数从 2020 年初 3980 万增长至 6130 万。海外运营商也在积极寻求业务转型，随着电视收视从传统付费电视向流媒体的转变，更多的美国用户开始抛弃传统线性和付费电视，转投流媒体服务，包括迪斯尼、AT&T、 Comcast 等传统电视运营商也在通过新设立 OTT 流媒体业务展开自救，加速自身流媒体转型，带动机顶盒渗透率在海外市场提升。

智能手机销量放缓，AIOT 领域成为 SoC 主控厂商布局重点：SoC 主要应用于消费电子、商用电子及汽车电子等领域，目前 SoC 芯片在手机、平板、智能机顶盒、智能电视、智能音箱、安防视频监控等领域都获得了较好的应用，而且其应用监控还在扩展到更广的领域，随着手机销量放缓，AIOT 领域的 SoC 主控市场成为各大芯片厂商布局重点。全球范围内的领导厂商包括苹果、高通、联发科，基于 arm 架构与安卓系统，国内涌现出大量的 SoC 的优秀公司，包括紫光展锐和翱捷等在蜂窝通信为主的 SoC 和瑞芯微、全志、晶晨、恒玄、海思、富瀚微等以 SoC+WiFi 通信为主一批优秀的 SoC 设计公司。国内依托庞大的下游市场，SoC 领域取得了巨大的进展，晶晨股份在智能电视和机顶盒 SoC 领域市占率分别为 14%和 30%，恒玄科技在安卓品牌 TWS SoC 领域占据 50%以上份额，瑞芯微则发力显示大屏、智能音箱和扫地机器人等 SoC。

借力台积电、三星先进制程工艺，迈向高端 SoC 领域：从整个产业链环节来看，SoC 产业链仍然以垂直代工模式为主，国内 SoC 设计公司依赖台积电、三星等能够实现先进制程工艺的晶圆代工厂迈向高端 SoC，填补海思留下的高阶 SoC 市场。紫光展锐旗舰芯片 T770 采用台积电 6nm EUV 工艺，定位 5G 手机领域，在非手机领域，瑞芯微于 2021 年底推出了采用三星 8nm 工艺打造的 RK3588，面向安防 NVR，高端笔记本电脑、轻量级 AI 服务器以及智能座舱等目标市场。可穿戴设备主控 SoC 厂商恒玄科技率先推出领先安卓阵营的 12nmTWS 耳机 SoC，进一步提升产品的降噪能力。

高速发展的物联网将持续影响工业、医疗、交通、家居等行业的发展，物联网技术让所有能行使独立功能的重点节点能够互联互通。Wi-Fi 作为全球应用最广的局域网连接通信协议，是物联网主要的连接方式之一。因此物联网的高速发展也在推动着 Wi-Fi 芯片出货量的快速增长。根据 ABI Researh 数据，2019 年全球 Wi-Fi 芯片出货量约为 32 亿片，随着 Mesh 网络、智能家居、车联网等应用的兴起，Wi-Fi 芯片保持快速成长态势。同时根据 Techno Systems Research 数据，全球物联网 Wi-Fi 芯片 2019 年出货量约为 5 亿片，保持 40%以上高速成长。Markets and Markets 的数据，2020 年，WiFi 芯片市场规模已达到 197 亿美元，预计 2026 年全球 WiFi 芯片市场将增长至 252 亿美元，2021 年至 2026 年预计复合增长率达 4.2%。

WiFi 芯片可以分为两大类别：WiFi-MCU 和 Wifi 单芯片，其中对于算力要求较低的领域如智能家居领域的智能灯泡、插座以及支付类的 PoS 机普遍采用性价比更高的 Wifi-MCU 集成产品，而对于算力要求更高的如智能音箱、智能机顶盒、智能摄像头和扫地机等场景普遍采用 SoC+Wifi 的套片形式，国内 SoC 出货量的增长，推动配套的 Wifi 芯片销量提升。在 Wifi-MCU 领域，乐鑫科技凭借硬件设计优势与软件生态抢占了全球 35%左右市场份额，在 Wifi 套片市场，目前全志和瑞芯微已有布局，晶晨已经推出了配套自己品牌 SoC 的 WiFi 芯片，主打蓝牙低功耗市场的恒玄科技也推出了应用于智能家居领域的 WiFi 和蓝牙双模产品。

1.2.3 PC/平板/TV：整体需求回落，Mini LED、折叠屏等细分仍有布局机会

1、PC 及平板：商用 PC 稳定增长，教育平板市场兴起。（1）PC：根据 IDC 数据，2021 年全球 PC 出货量 3.47 亿台，同比增长 16.3%，但 21Q3 开始全球 PC 出货量季度同比开始走弱，显示市场需求增长力度有所放缓。22Q1 全球 PC 出货 8050 万，同比下滑 4.1%，主要原因是疫情加剧造成的跨区域的供应链中断以及地缘政治冲突带来的影响。尽管出现一定下滑，但全球出货量连续第七个季度超过 8000 万，出货量仍处于较高水平。细分领域来看，随着全球范围内的通胀高企以及疫情反复，消费受到压制，2C 端 PC 市场需求不佳，但商用 PC 需求仍然强劲，联想集团 2021/22 财年第三季度财报显示，公司商用 PC 收入同比增长 25-50%，远高于 PC 行业整体增速，戴尔 2021 年三季度财报也显示其商用 PC 同比增长 40%。展望未来几个季度，美国进入加息周期尽管对通胀有所抑制，但经济面临衰退风险，2C PC 市场需求预计不会有较大增长；而数字经济在各行业渗透方兴未艾，仍将作为核心动力推动商用 PC 需求保持强劲。

（2）平板：根据 Wind 数据，2021 年全球平板出货量 1.69 亿台，同比增长 3.5%，22Q1 出货量 3840 万台，同环比均出现下滑，主要系成熟市场需求放缓以及原材料短缺的问题，但受益于疫情期间居家线上办公的高需求，出货量仍高于疫情前水平。展望未来几个季度，消费仍受到疫情、通胀等多方面压制，整个平板市场需求将维持平稳，在线教育高需求可能将促使教育平板市场兴起。

2、TV：整体需求回落，Micro/Mini LED、OLED 等高端 TV 有望保持增势。根据 AVC Revo 数据， 2022Q1 全球 TV 出货量 4640 万台，同比下滑 6.3%，环比下滑 23.8%，主要系一方面海外国家解封后，居家娱乐的需求回落，此外俄乌战争以及供需错配加剧全球通胀与经济压力，导致终端消费需求承压；另一方面一季度中国疫情反弹，需求端同样受到抑制。但在消费升级驱动下，OLED TV 渗透率持续提升，22Q1 全球 OLED TV 出货量 150 万台，同比增长 25%。展望未来几个季度，在全球通胀高企以及中国多地疫情反复背景下，全球 TV 需求回升阻力仍然较大，但细分市场中搭载 Mini LED、OLED 的高端 TV 有望保持增长态势。

面板环节，建议关注两个高成长的方向，分别为 Mini LED 和折叠屏：

（1）各大厂商纷纷加速布局 Mini LED 产品，渗透率逐步提升助力行业爆发。我们关注到，2020 以来，品牌厂商纷纷发布 Mini LED 产品，终端厂商和面板厂商均有较强的推动意愿。21 年 7 月，华为发布了 Mini LED 背光的智慧屏 V75 Super 采用华为自研的鸿鹄 Super Mini LED 精密矩阵背光解决方案，采取了很多创造性的 Mini LED 解决方案。2021 年三星针对 Mini LED 电视推出 5 大系列，其中 8K 有两个系列（QN900A 和 QN800A ），4K 产品有三大系列（QN95A、QN90A 和 QN85A）。2021 春季发布会上，苹果发布的新款 12.9 吋 iPad Pro 首次搭载 Mini LED 背光显示屏幕，并在 2022 年大规模推广 Mini LED 的 iPad 及 MacBook。22 年 3 月， TCL 推出系列化的三款 Mini LED 背光电视。根据 Omdia 数据，2021 年 Mini LED 笔电面板渗透率已增至 1.6%，其预计 2022 年该渗透率将增至 3%。Omdia 同时预计到 2025 年，随着成本不断下降，Mini LED 背光电视的出货量将达到 2500 万台，占整个电视市场的 10%。根据 SNOW Intelligence 数据，2021 年 Mini LED 显示应用将超过 500 万台，2025 年 Mini LED 显示应用将超过 4000 万台，其中数量最多的显示终端为 TV、笔电以及平板。从面积角度看，电视会是未来 Mini LED 背光的主要贡献者，至 2025 年为止累计占比将至七成以上。

（2）折叠屏手机迎来快速增长期，带动柔性 OLED 加速放量。2021 年起，多家主流手机厂商陆续发布折叠屏手机，折叠手机作为旗舰款的定位逐步受到市场认可。根据 IDC 数据，2021 年全球折叠屏手机全年出货量达 710 万部，与 2020 年的 190 万部相比激增 264.3%，IDC 预测，2025 年可折叠手机出货量将达到 2760 万部，2020 年至 2025 年的复合年增长率（CAGR）为 69.9%。随着主流厂商折叠屏手机产品的逐步完善，以及消费者对于折叠屏概念认知的进一步成熟，有望加速柔性 OLED 的渗透。据 HIS 预测，2021-2025 年折叠式 AMOLED 面板出货量将从 1750 万片上升到 5050 万片，CAGR 高达 30.34%，柔性 OLED 最终将成为智能手机显示屏的主流。

1.3 工业及其他：新能源需求持续强劲，服务器迭代升级在即

1.3.1 新能源：光伏、风电迎来新一轮周期，IGBT 及模块需求成长

以装机量占比超过一半的组串式逆变器为例，光伏逆变器的功率单元从结构上可以分为升压单元（DC/DC）和逆变单元（DC/AC）。升压单元用于实现电池板的最大功率跟踪(MPPT)，根据电池板的连接方式以及逆变器的功率等级，升压单元可以一路或者多路不等。逆变单元用于将直流电压转换为工频的并网电压，最后通过隔离变压器接入电网。

1700V 的半桥模块是风电 IGBT 模块主流。风电变流器的核心部件之一就是 IGBT 模块，在降本提效的要求下，风机单机功率增大已经成为不可逆转的趋势，单机功率增加可以有效降低风场的度电运营成本，大功率意味着大电流，为了减少系统成本，国内 1140V 风机系统越来越成为主流。将风机电压从传统的 690V 提升至 1140V，同等功率的风机电流降低 35%，大幅提升电气传动系统和输变电系统的效率，降低度电成本，使得产品具备更强的市场竞争力。对于 1140V 变流器如果采用两电平拓扑，需要 3300V 电压等级 IGBT 模块，但是 3300V 器件的开关和导通损耗无法满足系统的效率和开关频率的要求，同时价格也更贵，因此采用 1700V 的半桥模块组成三电平拓扑目前是国内主流方案。

风电变流器需求稳定增长，预计对应的 IGBT 模块市场预计在 2025 年达到 28 亿元。风电变流器成本中 IGBT 占比约为 20%，预计 2022 年风电 IGBT 市场规模约为 18 亿元，随着风电抢装潮在 2020 年结束，2021 年风电变流器市场略微下降，随着海上风电进入平价阶段，装机需求逐步上升，预计到 2025 年国内风电变流器市场空间为 139 亿元，对应的 IGBT 市场需求约为 28 亿元。

海上风电场景中 IGCT 作为变流器主功率器件：除了 IGBT 的技术路线外，在海上风电场景中，在需要达到 4500V 以上电压等级时，IGCT 作为电流控制型器件的耐压能力更强，所以国内最大的风电变流器厂家禾望电气中压风电变流器则使用 IGCT 作为主功率器件，采用三电平电路拓扑结构。与 IGCT 相比，IGBT 工作电流较小，增加输出容量，只能采用元件并联或变流器并联的方式。无论是采取元件串联或并联使用还是采用变流器并联的方法，都会增加系统的复杂性，导致效率和可靠性的降低。但是 IGBT 的工作开关频率较高，适用于低电压应用，而 IGCT 适用于高电压或中压。（报告来源：未来智库）

1.3.2 服务器：DDR5 世代升级，推动内存接口芯片量价齐升

北美云计算厂商资本开支维持高位。随着 5G、AI、大数据等信息技术的蓬勃发展，庞大的数量流量需要更多服务器的支持。互联网云计算厂商资本开支是服务器行业景气度的先行指标。北美五大云计算厂商（Amazon、Meta、Microsoft、Google、Oracle）总资本开支自 20Q3 开始大幅提升，持续处于高位，表明服务器市场景气度持续提升。服务器即将迎来升级，出货量持续提升。2020-2021 年服务器升级不及预期、出货量低迷是因为：1、企业资本开支减少，订单从采购转为租借；2、Intel 新一代 CPU 延迟发布；3、PMIC 等配套芯片短缺。2022 年随着疫情以及缺芯缓解以及 Intel、AMD 新一代服务器 CPU 出货，服务器出货量已经呈现上升趋势。据 IDC 预测， 2022 年全球服务器出货量有望达到 1403 万台，同比增长 8.01%，并将在未来 3 年持续增长。

信骅科技月度营收持续高涨。信骅科技为服务器必备的远端管理芯片全球最大供应商，月度收入与服务器出货量呈高度正相关。自 2021 年 8 月开始，单月营收增速显著提高。2022 年 2 月、3 月分别实现营收 3.34、 4.33 亿元，同比增长 32.53%、61.46%，进一步验证了备货周期已至、服务器市场高景气度。英特尔 DCG 部门营收持续高涨。服务器 CPU 市场中英特尔的 X86 架构市占率常年达 90%以上，英特尔生产服务器 CPU 的 DCG 部门季度营收充分体现服务器市场景气度。自 20 年 Q3 开始，DCG 部门季度营收及同比增速大幅下滑，表明服务器市场开启去库存周期；自 21 年 Q3 开始复苏回升表明服务器市场需求旺盛。

DDR5 世代升级，推动内存接口芯片量价齐升。1、量：（1）由于服务器市场高景气度确定性强，出货量有望持续增加；（2）5G、AI 推动大数据运算需求，服务器内存容量提升趋势明显，单台服务器内存模组数量有望增加；（3）在内存接口芯片数量上，DDR5 世代的 LRDIMM 搭配 1+10 架构即 1 颗 RCD 和 10 颗 DB，相较于 DDR4 世代增添一颗 DB 芯片用量，并且在 DDR4 时代 LRDIMM 的渗透率只有约 5%左右，随着存储容量及传输速率的提升，在 DDR5 中后期阶段，LRDIMM 的渗透率会进一步提升。2、价：（1）短期来看，随着技术更新，内存接口芯片每一代新产品的 ASP 会有所提高。DDR5 世代的升级意味着对应内存接口芯片的价格及毛利会有大幅提升。2021 年 Q4，由于 DDR5 第一子代上量，内存接口芯片主要供应商澜起科技的互联类芯片收入达 6.01 亿，同比增长约 69%，毛利率提升至 69.21%，迎来盈利拐点。（2）中长期来看，随着 DDR5 的渗透率逐渐提升，产品平均单价会进一步提升。参考 DDR 以往渗透率，DD5 在 2022 年末渗透率可达到 20-30%， 2023 年末可达到 50-70%，2024 年末基本可以完成渗透。

1.3.3 安防：传统安防需求放缓，数字化转型 AI 长趋势

考虑到国内疫情及经济压力，安防需求预计呈现前低后高。全球疫情持续两年以上，防疫抗疫工作仍然对区域经济带来巨大的影响。随着逆全球化趋势的加剧，部分国家之间的冲突对抗继续加大，政治经济形势对商业经营带来的挑战日益严峻。全球芯片短缺的情况仍然在持续，原材料价格上涨加剧了制造成本的上行。国内对教育行业、房地产行业政策的调整，导致行业洗牌，带来诸多变化。从 2021 下半年开始，国内经济增速放缓，以及叠加 2022 年疫情，安防整体增速放缓，其中，海康威视 2022Q1 营收实现 165 亿元，同比增长 18%；大华股份 2022Q1 营收实现 58 亿元，同比增长 14%；此外，综合考虑疫情经济环境影响，对比 2020 年疫情的影响，2022 年整体安防需求会呈现前低后高的格局。

AI 安防与传统安防对比，在技术维度、应用维度、成本维度、商业模式等存在差异性。随着社会的进步，传统的安防逐渐显露弊端，远不能满足现代的需求。从技术维度看，AI 安防相比传统安防产品由单纯的软硬件分离转变为依据客户需求开发的定制化解决方案，从单纯的性能提升转向数据价值的进一步兑现；从应用维度看，AI 技术结合至不同产业模式中，安防应用场景越来越广泛；从成本维度看，AI 安防的高成本也体现了 AI 安防的价值所在，侧面印证 AI 安防在前端数据上的感知与数据处理能力提升，后端数据云存储端的空间扩大化。从商业模式看，AI 安防软件价值大幅提升，收入模式由软硬件打包决定，客户拓展由被动转为主动。

AI 安防市场总体增速放缓，智慧社区或将成为重点。在 AI 技术的赋能下，安防成为过去一两年中极少数能将 AI 落地变现的行业之一。据艾瑞咨询统计，AI+安防软硬件市场在 2020 年规模为 453 亿元，预计到 2025 年规模将超过 900 亿元。艾瑞预测，2021-2025 年市场进入产业结构调整期，市场增速将放缓，预计 2025 年从细分领域看，公安交通领域仍然是市场支撑力量，但随十三五收官，该领域已基本完成重点领域智能视频监控系统覆盖，市场增长相对疲软。而其他细分领域受安全需求刺激、技术迭代加快、产品价格大杀等影响，将不断侵蚀公安交通领域市场份额，特别是围绕智慧城市综合治理展开的智慧社区或将成为下半场重点。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。未来智库 - 官方网站

一文对比DRAM、FLASH和DDR

定义

DRAM

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)。

Flash内存

Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

NOR Flash和NAND Flash

NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。

紧接着1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。

DDR

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

DDR2

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR3

DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍)，也是现时流行的内存产品规格。

主要特点：

(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。现在许多低端的显卡也有采用DDR3显存的

DDR4

DDR，英文全称为：Dual Data Rate，是一种双倍速率同步动态随机存储器。严格的说，DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器，而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

简单来说，DDR4就是第二代内存的意思，目前不少智能手机与电脑都用上了新一代DDR4内存，它属于我们熟知的DDR3内存的下一代版本，带来了更低的功耗与更出色的性能。

区别

NAND flash和NOR flash

一、NAND flash和NOR flash的性能比较

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

1、NOR的读速度比NAND稍快一些。

2、NAND的写入速度比NOR快很多。

3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。

5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

二、NAND flash和NOR flash的接口差别

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

三、NAND flash和NOR flash的容量和成本

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性

采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

六、位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用

七、EDC/ECC算法

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

八、坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

九、易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

十、软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

DDR与DDR2

DDR与DDR2区别一览表

DDR2与DDR3

特性区别：

1、逻辑Bank数量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

2、封装(Packages)

由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

3、突发长度(BL，Burst Length)

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

4、寻址时序(Timing)

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。

DDR3与DDR4

主要区别：

1、外观改变

DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。

2、DDR4内存频率与带宽提升明显

频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。

带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。

综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。

3、DDR4内存容量提升明显，可达128GB

上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。

4、DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低。上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。

简单总结：DRAM、FLASH和DDR等都是目前主流的存储器，在服务器三大件中占了重要的占比。在酷热炎暑，客户数据中心的冷却电力成本更是达到了年度高峰，如果您的数据中已经全部FLASH化，冷却电力成本会大幅度下降。非洲估计也很热吧。

文章及配图来源：ittbank

电子行业深度报告供需呈现结构性差异,国产化仍是长期主线（上）

一、需求端：呈结构性分化态势，汽车、工业景气度高企

一文对比DRAM、FLASH和DDR

关于我们

产品中心

服务与支持