传小米采购长存232层3D NAND闪存，用于最新款智能手机

长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度，也是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案。目前X3-9070主要用于国内销售的存储产品上，不过很快可能会出现在全球销售的终端设备里。

小米在上个月举行了旗舰新品发布会，正式发布小米14系列智能手机。据Business Korea报道，小米已向长江存储采购了232层3D NAND闪存芯片，用在了旗下最新的智能手机上。目前智能手机主要使用176层的NAND闪存芯片，而小米的新产品可能有着全球智能手机里最强的存储子系统。

小米去年推出了旗下首款桌面PC，也就是小米迷你主机，其中就使用了长江存储专为OEM打造的PC300系列SSD，不过采用的是基于晶栈2.0架构的第三代NAND闪存芯片。由于长江存储已进入小米供应链，双方进一步扩大合作范围也不会让人感到奇怪。

目前长江存储至少有两种232层3D NAND闪存芯片，除了X3-9070这款1Tb 3D TLC NAND闪存芯片以外，还有新款消费级SSD产品致态TiPro600上使用的1Tb 3D QLC NAND闪存芯片，两者均基于晶栈3.0架构打造，I/O传输速率达到了2400 MT/s。

闪迪发布iNAND 7232闪存：手机中的“固态硬盘”

IT之家讯 MWC 2015世界移动大会上海站将于7月15日开幕，大会期间会有一些新产品与我们见面。闪迪宣布，他们将推出新一代移动设备嵌入式闪存存储方案iNAND 7232。

此前，闪迪曾推出iNAND 7132闪存存储方案，它基于eMMC 5.0 HS400接口，采用1Ynm TLC NAND，拥有SmartSLC缓存加速技术，分为16GB/32GB/64GB三种容量版本，连续写入速度为125MB/s，读取速度为280MB/s。

iNAND 7232继续采用TLC NAND+SmartSLC缓存加速组合，接口升级至eMMC 5.1，改用15nm TLC NAND新工艺，容量则跳过16GB，从32GB起步，另外还有64GB和128GB容量版本，根据容量的不同将会搭配500MB至1GB容量SLC加速缓存。另外，iNAND 7232还支持命令队列，可提升I/O随机读取性能。

iNAND 7232连续读取性能与iNAND 7132相同，达到280MB/s，而连续写入性能则提升至150MB/s。

闪迪称，iNAND 7232将会是高端智能手机、平板等设备的优先选择，它支持安卓、Chrome以及Windows Phone系统。目前，闪迪已向OEM厂商提供了测试样品，预计今年秋天可以看到搭载该闪存的产品出现。

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